朱占平
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 低温下应变外延层的单层生长(英文)
- 2003年
- 用接触式原子力显微镜来观察 4 6 0℃低温下生长的 In0 .35Ga0 .6 5As/ Ga As外延层形貌 .实验发现 ,这种 4 6 0℃低温生长材料的失配外延层既不是层状的 Fvd M生长模式也不是岛状的 SK自组织生长模式 ,而是由原子单层构成的梯田状大岛 .原子力显微镜测试表明台阶的厚度为 0 .2 8nm,约为一个原子单层 。
- 段瑞飞王宝强朱占平曾一平
- 关键词：INGAAS/GAAS分子束外延原子力显微镜外延层砷化镓
- InAsSb量子阱异质结构输运特性的理论研究
- 张雨溦张杨王宝强朱占平曾一平
- 快速率生长MBE InAs/GaAs(001)量子点被引量：1
- 2009年
- 用快速率(1.0ML/s)生长MBE InAs/GaAs(001)量子点。原子力显微镜观察结果表明,在量子点体系形成的较早阶段,量子点密度N(θ)随InAs沉积量θ的变化符合自然指数形式N(θ)∝ek(θ-θc),这与以前在慢速生长(≤0.1ML/s)条件下出现的标度规律N(θ)∝(θ-θc)α明显不同。另外,在N(θ)随θ增加的过程中,快速率生长量子点的高度分布没有经历量子点平均高度随沉积量θ逐渐增加的过程。这些实验观察说明,以原子在生长表面作扩散运动为基础的生长动力学理论至少是不全面的,不适用于解释InAs量子点的形成。这些观察和讨论说明,即使在1.0ML/s的快速率生长条件下,量子点密度也可以通过InAs沉积量有效地控制在1.0×108cm-2以下,实现低密度InAs量子点体系的制备。
- 吴巨曾一平王宝强朱占平王占国
- 关键词：分子束外延量子点
- 高积分光电灵敏度多层Be浓度掺杂的GaAs负电子亲和势光电阴极(英文)
- 2005年
- 研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响.通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品.其中一组采用了均匀掺杂的单层结构,Be掺杂浓度为1×1019cm-3;另一组采用了变掺杂的多层结构,从衬底开始Be的掺杂浓度依次为1×1019,7×1018,4×1018和1×1018cm-3.负电子亲和势光电阴极通过在高真空系统中交替通入Cs和O激活得到.在线光谱响应测试曲线表明,多层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度比单层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度至少提高了50%.两种结构的GaAs样品表现出不同的表面应力情况.
- 王晓峰曾一平王保强朱占平杜晓晴李敏常本康
- 关键词：多层结构
- 制备纳米级超薄绝缘体上硅衬底的可控性腐蚀法
- 本发明涉及半导体硅微机械加工技术领域，是一种在室温下通过氨水湿法可控性腐蚀来制备超薄纳米级绝缘体上硅衬底。该腐蚀法，包括下列步骤：(a)先对绝缘体上硅衬底片子进行去油处理，稀释氢氟酸漂洗；(b)将(a)步中处理过的绝缘体...
- 王晓峰曾一平黄风义王保强朱占平
- 文献传递
- 制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法
- 本发明涉及半导体硅微机械加工技术领域，是一种在室温下通过氨水湿法可控性腐蚀来制备超薄纳米级硅可协变衬底。该腐蚀法，包括下列步骤：(a)先对可协变硅衬底片子进行去油处理，稀释氢氟酸漂洗；(b)将(a)步中处理过的可协变硅衬...
- 王晓峰曾一平黄风义王保强朱占平
- 文献传递
- 自组织量子点的优化生长(英文)被引量：1
- 2003年
- 在不同生长条件下 ,生长低组分InGaAs/GaAs自组织量子点并且使用接触式AFM进行测量 .通过对生长条件的优化 ,得到高密度、高均匀性的量子点MBE生长条件 ,这对于自组织量子点在器件方面的应用 ,比如量子点红外探测器和量子点激光器 ,是非常重要的 .同时 ,还与优化的InAs/GaAs生长条件进行了比较 .
- 段瑞飞王宝强朱占平曾一平
- 关键词：INGAAS/GAAS分子束外延原子力显微镜光电器件
- 极低温度下失配外延层的MBE生长
- 大失配异质结构的外延往往会导致SK生长模式的自组织量子点,而生长温度往往对量子点的密度产生很大的影响.为此,我们特意用MBE生长了极低温度下大失配的In<,0.35>Ga<,0.65>As/GaAs外延.结果发现,远远超...
- 段瑞飞曾一平王宝强朱占平
- 关键词：AFM半导体材料
- 文献传递
