王保强
- 作品数：20 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划“九五”国家科技攻关计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 高功率宽带电调耿氏振荡器
- 1991年
- 一、引言在许多微波系统中,压控振荡器是一个很重要的部件。特别是在ECM中,系统的性能与压控振荡器的线性电压调频以及调频速度密切相关。要获得宽的电调范围,除了利用电容变化大的调谐变容管之外,采用电抗补偿的方法去改善调谐带宽已取得了明显的效果。在本文中,我们利用新研制成功的八毫米频段变容管,得到了性能优良的电调振荡器。最大调谐带宽达2GHz。通常,输出功率大于40mW。最佳的振荡器,在1GHz的电调带宽内。
- 吴晓东杨玉芬王保强侯梦会彭斌
- 关键词：耿氏振荡器振荡器宽带电调
- 高积分光电灵敏度多层Be浓度掺杂的GaAs负电子亲和势光电阴极(英文)
- 2005年
- 研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响.通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品.其中一组采用了均匀掺杂的单层结构,Be掺杂浓度为1×1019cm-3;另一组采用了变掺杂的多层结构,从衬底开始Be的掺杂浓度依次为1×1019,7×1018,4×1018和1×1018cm-3.负电子亲和势光电阴极通过在高真空系统中交替通入Cs和O激活得到.在线光谱响应测试曲线表明,多层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度比单层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度至少提高了50%.两种结构的GaAs样品表现出不同的表面应力情况.
- 王晓峰曾一平王保强朱占平杜晓晴李敏常本康
- 关键词：多层结构
- In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发光(PL)谱与电学性能的关系研究
- 用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能....
- 崔利杰曾一平王保强朱战平
- 关键词：MHEMT电学性能
- 文献传递
- 高稳定的恒温８ｍｍ Ｇｕｎｎ振荡器
- 杨玉芬王保强
- 关键词：微波振荡器等效电路电路设计半导体材料
- 纳米电子器件-高峰值峰谷电流比InP基共振隧穿二极管的实现
- 2007年
- 利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰值电流密度接近3kA/cm2,峰和谷的电流密度比率达到19.
- 张杨曾一平马龙王保强朱战平王良臣杨富华
- 关键词：共振隧穿二极管INP基分子束外延
- 毫米波耿氏管功率合成器
- 1991年
- 一个性能较佳的八毫米雪崩管振荡器涉及到器件制造、脉冲调制器和微波振荡电路三部分工作。只当每一部分工作都能达到较高水平才有可能做出一个较为满意的实用化的脉冲固态源。我们在器件制造、脉冲调制器和微波振荡电路都进行了大量的研究工作,已获得了实用化的脉冲振荡器。
- 杨玉芬王保强张黄河吴晓东侯梦会彭斌
- 关键词：雪崩管振荡器毫米波脉冲功率
- 八毫米脉冲高功率雪崩管振荡器
- 1990年
- 本文简述了IMPATT器件的设计、制造工艺、振荡器的微波电路结构和脉冲调制的研制。对脉冲偏置期间产生的频啁效应作了原理性的说明,并提出了减小频啁带宽的方法。目前所研制的八毫米雪崩管振荡器输出功率在20W以上,最大脉冲输出功率在35.5GHz时达到48W。重复频率在1—100kHz范围内可调,脉宽从50ns—1μs可调。频率稳定,工作可靠。
- 杨玉芬张黄河王保强侯梦会吴晓东彭斌
- 关键词：雪崩管振荡器调制器
- 低In组分InxGa1-xAs/GaAs自组织量子点的MBE生长
- 我们用MBE生长了低组分In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs量子点(x=0.3和0.5),反射高能电子衍射仪(RHEED)显示了良好的2×4再构向三维生长的点状图象转化的过程.同时,原子力显微镜(AFM)实验表明,...
- 段瑞飞曾一平孔梅影张昉昉朱战平王保强李灵霄
- 关键词：自组织生长INGAAS/GAAS分子束外延生长量子点材料
- 文献传递
- MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料被引量：1
- 2000年
- 用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss～ 2 80 m A/mm,Imax～ 52 0— 580 m A/mm,gm～ 32 0— 40 0 m S/mm,BVDS>1 5V( IDS=1 m A/mm) ,BVGS>1 0 V,微波特性 :P0 ～ 60 0— 90 0 m W/mm,G～ 6— 1 0 d B,ηadd～ 40— 60 % ;栅长为 0 .4μm的器件的直流特性 :Imax～ 80 0 m A/mm,gm>40 0 m S/mm.
- 曹昕曾一平孔梅影王保强潘量张昉昉朱战萍
- 关键词：PHEMTMBE掺杂
- 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法
- 一种无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法，包括：采用相同工艺对一系列不同结构的晶体管材料进行器件制备，根据器件结果选取最优的晶体管外延材料；将所确定的外延材料在一确定温度T下做PL谱实验，找出沟道层的2DEG...
- 崔利杰曾一平王保强朱战平
- 文献传递
