朱沛然
- 作品数：35 被引量：19H指数：3
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- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学金属学及工艺更多>>
- 线调谐的长寿命TEA CO_2激光器
- 1981年
- 利用红外光栅调谐的双放电TEA CO_2激光器,在CO_2的10.4μ带和9.4μ带的P支和R支的86条谱线上获得了激光输出,强线输出能量2j,10p(20)线线宽为0.19cm(-1)。激光器一次充气可正常工作几十万次。用激光引发“闪光”方法成功地纪录了激光输出谱线。该器件已用于激光分离同位素工作。
- 朱沛然朱文森赵玉英
- 关键词：CO2激光器光栅调谐TEA长寿命激光输出谱线
- 硅化物薄膜的质子弹性散射分析被引量：1
- 1992年
- 本文报道了一种分析硅衬底上SiN_x和SiO_x的N/Si和O/Si含量比的简便方法。用1.95MeV质子弹性散射测量薄膜(9000—15000)的组分比和厚度,实验值与2.1MeV He的背散射分析(RBS)结果符合得很好;对微米以上厚度样品,MeV H束分析更为有利,这是与He束背散射分析互补的一种方法。文中给出了实验结果,并进行了讨论。
- 朱沛然江伟林徐天冰殷士端
- 关键词：硅化物弹性散射质子
- 溅射负离子源靶的制作与使用
- 1993年
- 研究制作了多种溅射负离子源靶,在2×1.7MV串列加速器上采用Middleton-Ⅶ型溅射负离子源引出了流强大、稳定的30多种元素的负离子束。探讨了靶的材料、形状和尺寸等因素对束流质量的影响,以及如何通过控制铯蒸汽、电离器电流、靶压和靶位等来改善束流的质量,提高靶及电离器的寿命,降低源体的污染等。
- 徐天冰周俊思邱长青朱沛然
- 关键词：溅射束流电离器负离子源
- 用C离子的弹性反冲法测固体中氢分布被引量：2
- 1990年
- 文章介绍了用1.7MV小串列加速器提供的4—7MeV多电荷C离子,采用弹性反冲法(ERD)分析了α-Si:H中氢元素的深度分布。计算表明,近表面处的深度分辨率为15-30nm,可探测深度100—700nm。探讨了入射能量和散射几何条件的优化问题。比较了几种分析方法的测量结果。
- 刘家瑞朱沛然封爱国李大万
- 关键词：加速器氢
- 铒注入Si（100）的结晶和掺杂规律研究
- 1995年
- 研究了Ｓｉ（１００）注入铒后所形成的表面非晶层在不同退火温度下的固相外延结晶以及铒的迁移和掺杂规律。结果表明，表面非晶层先以基体单晶硅为晶种固相外延结晶，铒在品体非晶界面们析，但当用偏析聚集到一定浓度时则外延结晶停止，剩余损伤层变为多晶结构。在３５０ｋｅｖ的高剂量注入下，再结晶区域内的最大掺杂浓度随退人温度的增加而降低，但对１５０ｋｅｖ的低剂量注入，观察到８５０℃退火温度下掺杂浓度的反常增强。
- 万亚李岱青章蓓陈孔军徐天冰朱沛然
- 关键词：铒离子注入硅
- 全文增补中
- 一种新的退卷积解谱技术
- 1993年
- 本文介绍一种新的退卷积方法,它是将退卷积问题化为求解逆矩阵问题,用奇异值分解(SVD)法处理病态矩阵体系,结合本文提出的最佳判据,求得退卷积结果。该方法已用 FORTRAN 5编成程序,对实验观测能谱及计算机模拟谱进行了退卷积处理,方法可靠,且退卷积解是稳定的。
- 江伟林朱沛然
- 关键词：退卷积病态矩阵带电粒子能谱
- He离子注入不锈钢中的温度影响被引量：2
- 1990年
- 用增强质子背散射、SEM、TEM和显微硬度测量等手段,研究了He离子注入316L型不锈钢中的行为,离子束能量和剂量区域分别为30—170keV和10^(14)-3×10^(17)He^+/cm^2,靶温和后退火的温度区域为77—673K。研究了温度对He捕获、He泡结构、He泡的生长和合并等特性的影响。测量了注氦层显微硬度的变化。
- 李玉璞王佩璇张国光马如璋刘家瑞朱沛然杨峰邱长青
- 关键词：不锈钢HE捕获离子温度
- 300keV Xe^(2+)离子束诱导的金属/硅界面反应
- 1990年
- 采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe^(2+)离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。
- 毛思宁杨熙宏陈坚刘家瑞高文玉朱沛然
- 关键词：离子束
- 脉冲激光沉积碳膜的电学特性
- 朱沛然张政军
- 关键词：气相沉积金刚石薄膜
- 1MeVSi~＋衬底加温注入Al＿（0．3）Ga＿（0．7）As／GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究
- 1994年
- 用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ＿（０．３）Ｇ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。
- 李岱青宫宝安万亚朱沛然周俊思徐天冰穆善明赵清太王忠烈
- 关键词：超晶格离子注入MEV能区
