殷士端
- 作品数：11 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 硅化物薄膜的质子弹性散射分析被引量：1
- 1992年
- 本文报道了一种分析硅衬底上SiN_x和SiO_x的N/Si和O/Si含量比的简便方法。用1.95MeV质子弹性散射测量薄膜(9000—15000)的组分比和厚度,实验值与2.1MeV He的背散射分析(RBS)结果符合得很好;对微米以上厚度样品,MeV H束分析更为有利,这是与He束背散射分析互补的一种方法。文中给出了实验结果,并进行了讨论。
- 朱沛然江伟林徐天冰殷士端
- 关键词：硅化物弹性散射质子
- 背散射实验技术
- 殷士端
- 关键词：核物理离子注入沟道效应散射加速器
- La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成
- 1990年
- 用AES,X-射线衍射和RBS等方法分析研究了热反应与离子束混合La,Ce及Nd稀土金属膜和硅反应生成硅化物的物理过程。实验表明:不同的生成条件如热反应温度或离子束混合的剂量能生成富金属硅化物,单硅化物和二硅化物,但最终稳定相都是二硅化物LaSi_2,CeSi_2和NdSi_2。氧的沾污不但影响生成的硅化物相和质量,甚至阻止硅化物的生成。镀膜时的衬底温度和防止氧化的保护层对硅化物薄膜的质量,平整度,均匀性等都有明显的影响。
- 牟善明王佑祥殷士端张敬平刘家瑞
- 关键词：稀土金属硅化物热反应离子束
- 中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究被引量：1
- 1998年
- 用沟道ＲＢＳ方法研究了中子辐照ＧａＡｓ的缺陷在快速退火过程中的恢复行为．结果表明，在１０１４～１０１７／ｃｍ２范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长．中子辐照效应对ψ１／２没有影响．经一定剂量辐照后，退火温度越高，退火时间越长，离位原子的恢复效果越明显．１０１５／ｃｍ２剂量辐照损伤的恢复激活能Ｅ１０．３５ｅＶ，可能对应空位与迁移而来的填隙原子的复合；而１０１７／ｃｍ２剂量辐照损伤的恢复激活能Ｅ２０．１３ｅＶ，对应空位与其附近的填隙原子的复合．
- 刘键王佩璇柯俊朱沛然扬峰殷士端
- 关键词：砷化镓中子辐照
- Si_（0．5）Ge_（0．5）合金的热氧化物的研究
- 1995年
- 利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征．结果表明：这种氧化物为双层结构．靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ混合层，在其下面是纯的ＳｉＯｘ层，Ｇｅ被排斥并堆积在ＳｉＯｘ／Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５界面附近．在本实验条件下，（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ层的厚度约为２５００Ａ，它的形成时间不足５分种．当氧化的时间延长时，ＳｉＯｘ的厚度随之增加，但（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ的厚度几乎不变．还发现：在这些氧化物中，Ｓｉ２ｐ和Ｇｅ３ｄ芯能级的化学位移比在单晶Ｓｉ和Ｇｅ上生长的ＳｉＯｘ和ＧｅＯ２中相应的值明显增大。
- 邢益荣崔玉德殷士端张敬平李侠朱沛然徐田冰
- 关键词：半导体材料硅锗合金
- Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系的As离子注入和退火被引量：2
- 1989年
- 本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比,形成Ni_2Si相.在Pt/Si系中,硅混合量也与剂量的平方根成正比,先后形成Pt_3Si和Pt_2Si相.对Ir/Si系,Q_(s1)与Φ则是线性关系:Q_(s1)=aΦ+b,未测到化学相.实验表明:离子束混合能大大增强金属和硅化物的化学反应.在离子混合和退火形成硅化物的过程中,注入杂质As的分布有显著变化.
- 吴春武殷士端张敬平范缇文刘家瑞朱沛然
- 关键词：离子注入硅化物
- 离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
- 1990年
- 本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,再结晶后的GaAs层的晶体质量特别在界面区有很大的改善;当剂量超过该阈值时,出现部分再结晶。激光Raman实验也表明,经过处理后的GaAs层Raman谱TO/LO声子的比率比原生长的样品有很大的降低。
- 肖光明殷士端张敬平范缇文刘家瑞丁爱菊周均铭朱沛然
- 关键词：离子注入退火GAAS/SI晶体
- MBE-GaAs/Si的背散射沟道分析
- 1991年
- 对 MBE-GaAs/Si 进行离子注入和退火.GaAs 外延层的厚度为0.9-2.0μm.Si离子的注入能量及剂量分别为1.2-2.8MeV,l×10^(14)-7×10^(15).cm^(-2).退火采用红外瞬态退火(850℃,15s)及白光退火(1050℃,8s).背散射沟道分析采用4.2MeV^7Li.实验表明,注入结合退火是改善 GaAs 外延层晶体质量的一种有效方法.注入剂量过大,由于正化学配比遭到破坏,外延生长终止.
- 郑丽荣殷士端
- 关键词：MBEGAASSI背散射
- 注锌硅的物理行为
- 1990年
- 对经不同方式处理的注锌硅样品(注入剂量1×10^(14)-1×10^(17)cm^(-2),注入能量170keV和180keV)的物理行为进行了研究。样品的CWCO_2激光退火和快速淬火处理是在特定的实验条件下进行。分别利用高分辨的背散射-沟道效应和全自动扩展电阻探针进行研究。结果表明,硅中锌主要占据晶格的间隙位置,并且起弱施主作用。CWCO_2激光退火期间锌扩散系数表明,它是一种间隙扩散机理。
- 卢励吾许振嘉殷士端
- 关键词：离子注入
- In_(0.25 )Ga_(0.75)As/GaAs应变异质结的离子沟道分析
- 1989年
- 本文采用Li离子作为背散射-沟道实验的分析束来研究In_(0.75)Ga_(?)As/GaAs应变异质结的结构.沟道效应和角扫描的实验表明,由于晶格失配,异质结的点阵发生应变,晶格常数在生长方向产生～0.04A的拉伸或压缩,于是离子沟道在<110>倾斜方向发生0.9°的扭折,导致沿这个方向的严重退道.对较厚外延层的样品,除应变结构外,在生长过程中还形成失配位错结构及其他点阵缺陷,从而产生附加的退道。
- 殷士端吴春武张敬平刘家瑞朱沛然
- 关键词：异质结沟道
