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李倩

作品数：108 被引量：4H指数：1
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 101篇专利
  • 6篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 7篇理学
  • 4篇文化科学
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 31篇量子
  • 23篇单光子
  • 23篇光子
  • 20篇电极
  • 16篇单光子源
  • 16篇光子源
  • 15篇半导体
  • 12篇探测器
  • 12篇激光
  • 10篇二极管
  • 9篇电路
  • 9篇雪崩
  • 9篇雪崩光电二极...
  • 9篇介质
  • 9篇光电
  • 9篇光电二极管
  • 8篇随机介质
  • 8篇光源
  • 6篇电容
  • 6篇异质结

机构

  • 107篇中国工程物理...
  • 3篇绵阳职业技术...
  • 3篇中国工程物理...
  • 1篇西南科技大学

作者

  • 107篇李倩
  • 63篇李沫
  • 60篇张健
  • 60篇陈飞良
  • 30篇姚尧
  • 22篇龙衡
  • 21篇曾建平
  • 21篇安宁
  • 21篇孙鹏
  • 19篇代刚
  • 14篇谭为
  • 13篇王文杰
  • 10篇高铭
  • 7篇苏娟
  • 5篇石向阳
  • 4篇唐海林
  • 3篇李倩
  • 3篇刘军
  • 2篇陈樟
  • 2篇杜亦佳

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇河南科技
  • 1篇科技资讯
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇科学技术创新

年份

  • 3篇2024
  • 14篇2023
  • 10篇2022
  • 7篇2021
  • 5篇2020
  • 8篇2019
  • 29篇2018
  • 16篇2017
  • 12篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 108 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种GaN基异质结变容管装置及其外延结构
本发明提供了GaN基异质结变容管装置及其外延结构，旨在解决现有的倍频器件以金属和半导体形成的肖特基接触为基础，导致功率特性较差的问题。GaN基异质结变容管装置，包括由GaN基材料制作的衬底、高阻缓冲层、第一层重掺杂导电层...
曾建平安宁李倩谭为
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一种环腔纳米线电注入单光子源器件
本发明公开了一种环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：包括p型电极、pin纳米线、嵌埋于纳米线中的量子点、多层同心环腔、n型电极、n型材料和衬底。这种器件的优点在于：在实现电注入工作的同时，利用多层同心圆环构成的圆环...
陈飞良李沫黄锋张晖李倩王旺平康健彬李俊泽张健
一种具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列
本发明公开了一种具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列，结构为二维周期性排列的偏振探测单元，每个偏振探侧单元包括单光子探测器组及4个不同偏振方向的汇聚耦合结构，偏振方向分别为水平、右倾45度、垂直和左倾45度。汇聚耦合结构...
李倩李沫陈飞良康健彬王旺平黄锋张晖李俊泽张健
文献传递
一种制备部分覆盖侧面电极的方法
本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J...
王文杰谢武泽李舒啸安宁李倩曾建平
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一种高线性增益红外雪崩光电二极管及其制备方法
本发明属于半导体光电探测器领域，提供了一种高线性增益红外雪崩光电二极管及其制备方法，该二极管结构包括下电极接触层、周期性异质结构倍增层、电荷层、周期性异质结构吸收层和上电极接触层。周期性异质结构吸收层利用导带内子带能级跃...
康健彬李沫李倩王旺平陈飞良张健
一种光学物理不可克隆函数器件及制备方法
本发明公开了一种光学物理不可克隆函数器件，包括衬底；位于衬底一侧表面的混沌超表面；混沌超表面对衬底设置的双层薄膜轰击刻蚀产生的混沌超表面；混沌超表面复合有量子点。利用离子束对双层纳米薄膜轰击刻蚀过程中发生的辐射化学反应来...
李倩康健彬苏娟黄锋王丕东万永彪张泰平姚尧
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一种基于原子缺陷的量子物理不可克隆函数及其制作方法
本申请公开了一种基于原子缺陷单光子发射的量子物理不可克隆函数，包括宽禁带半导体薄膜，宽禁带半导体薄膜中随机分布有不同种类的原子缺陷，且宽禁带半导体薄膜为晶体结构；其中，原子缺陷受到激发光的照射时产生单光子，不同种类的原子...
李倩
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一种光学PUF、其制备方法及应用
本发明涉及基于PUF的安全技术领域，尤其涉及一种光学PUF、其制备方法及应用。本发明提供了一种光学PUF的制备方法，包括以下步骤：A)在基底上沉积第一金属，得到第一金属层；B)在所述第一金属层上沉积第二金属，得到第二金属...
李倩康健彬苏娟黄锋王丕东万永彪张泰平姚尧
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硅基半导体晶体管的激光模拟辐射剂量率效应试验方法
本发明涉及一种硅基半导体晶体管的激光模拟辐射剂量率效应试验方法，该方法的步骤为：1）选取同批次同型号的硅基半导体晶体管至少三个，进行开封预处理，作为待测半导体晶体管；2）测试待测半导体晶体管功能正常；3）焊接测试电路板，...
孙鹏李沫龙衡陈飞良李倩代刚张健
一种高发射速率、高收集效率的单光子源器件
本实用新型公开了一种高发射速率、高收集效率的单光子源器件，包括：基底、金属薄膜、介质条、金属纳米棒，金属薄膜沉积于基底上面，介质条沉积于金属薄膜上；金属薄膜和介质条形成介质承载表面等离激元波导，所述介质承载表面等离激元波...
黄锋李沫陈飞良张晖李倩张健
文献传递
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