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李沫

作品数：125 被引量：25H指数：3
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 115篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 8篇理学
  • 7篇自动化与计算...
  • 4篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 33篇量子
  • 28篇激光
  • 25篇光子
  • 24篇单光子
  • 19篇单光子源
  • 19篇光子源
  • 16篇半导体
  • 15篇剂量率
  • 12篇电离
  • 12篇脉冲
  • 12篇激光电离
  • 12篇光电
  • 12篇光电离
  • 11篇模拟系统
  • 10篇探测器
  • 10篇抗辐射
  • 9篇雪崩
  • 9篇雪崩光电二极...
  • 9篇伽马射线
  • 9篇纳米

机构

  • 124篇中国工程物理...
  • 9篇中国工程物理...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇重庆大学

作者

  • 125篇李沫
  • 100篇张健
  • 70篇陈飞良
  • 63篇李倩
  • 52篇代刚
  • 40篇孙鹏
  • 27篇龙衡
  • 23篇姚尧
  • 14篇宋宇
  • 12篇王文杰
  • 10篇高铭
  • 5篇梁堃
  • 5篇解磊
  • 3篇李顺
  • 2篇李倩
  • 1篇冯晓龙
  • 1篇施志贵
  • 1篇宋宇
  • 1篇代刚
  • 1篇孙鹏

传媒

  • 3篇太赫兹科学与...
  • 3篇2017量子...
  • 1篇物理学报
  • 1篇原子能科学技...

年份

  • 2篇2024
  • 14篇2023
  • 3篇2021
  • 5篇2020
  • 12篇2019
  • 41篇2018
  • 31篇2017
  • 15篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 125 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于二硫化钼-石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法
本发明涉及一种基于二硫化钼‑石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法，属于光电子技术领域。该方法包括将硅衬底进行清洗；在硅衬底上生长二硫化钼‑石墨烯复合层；利用原子层沉积法在二硫化钼‑石墨烯复合层上生长一层氮化铝层；在...
王文杰李沫李俊泽张建杨浩军谢武泽邓泽佳代刚张健
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一种用于碳化硅功率器件的结终端结构及制作方法
本发明提供了一种用于碳化硅功率器件的结终端结构及制作方法，属于功率半导体器件技术领域；本发明在功率半导体器件的结终端耐压区(即第一传导类型浅掺杂区和第二传导类型重掺杂区)的引入一层第二传导类型掺杂层，然后通过多次刻蚀的方...
李俊焘代刚施志贵徐星亮宋宇李沫张林
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一种集成式激光电离效应模拟系统
本发明公开了一种集成式激光电离效应模拟系统，该系统将调整底座、光源、衰减与光束调整模块、显微观察模块及测试与存储模块一体化集成，光源可选择输出266nm、532nm和1064nm三个波段的激光，可满足不同半导体器件辐射电...
李沫孙鹏黄锋汤戈王小凤代刚张健
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一种基于单光子激励和光学PUF的认证系统
本发明提出一种基于单光子激励和光学PUF的认证系统，该方法和系统使用激光脉冲衰减的方法制备单光子源，利用高速DMD数字微镜对入射光波前进行高速编码，将编码后的光照射到随机介质构成的光学PUF钥匙上产生散斑响应，利用sCM...
王丕东陈飞良李沫李倩姚尧张丽君张健
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一种背照式级联倍增雪崩光电二极管
本发明公开了一种背照式级联倍增雪崩光电二极管，在衬底上自下向上依次为缓冲层、n型掺杂Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N层、i型周期级联倍增层、i型本征吸收层及p型电极层，在i型本征吸收层台面周...
李倩李沫陈飞良康健彬王旺平黄锋张晖张健
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一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统
本发明公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本发明可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模...
孙鹏李沫汤戈龙衡李倩陈飞良代刚张健
一种单电路板上集成的量子认证系统
本发明公开了一种单电路板上集成的量子认证系统，包括：一体化电路板、从左向右依次通过锡焊互联集成在一体化电路板上并通过外壳封装于一体的量子光源模块、插卡槽、解码探测模块和触摸屏显示器芯片，以及由窗口上封装固定有光学PUF的...
陈飞良李沫李倩王丕东龙衡张丽君张健
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一种基于钛掺杂的高质量氧化硅薄膜及其制备方法
本发明提供一种基于钛掺杂的高质量氧化硅薄膜及其制备方法，所涉及到的器件包括但不限于MOS器件与双极型晶体管。通过在栅氧或者埋氧中掺入钛杂质，可以削弱氧空位与氢杂质的结合，并伴随着抑制了质子的释放，最终同时抑制SiO<Su...
董鹏宋宇代刚冯晓龙李沫张健
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一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统
本实用新型公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本实用新型可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离...
孙鹏李沫汤戈龙衡李倩陈飞良代刚张健
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一种环腔纳米线电注入单光子源器件
本发明公开了一种环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：包括p型电极、pin纳米线、嵌埋于纳米线中的量子点、多层同心环腔、n型电极、n型材料和衬底。这种器件的优点在于：在实现电注入工作的同时，利用多层同心圆环构成的圆环...
陈飞良李沫黄锋张晖李倩王旺平康健彬李俊泽张健
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