李悦
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 含He钛膜相关缺陷的慢正电子束表征
- He不易溶于金属材料,容易在材料内迁移、聚集形成He-空位复合体或者He泡,从而导致材料老化引发安全问题。所以He在金属中的行为是一个备受关注的问题。通过磁控溅射方法可以调控引入钛膜的He浓度,而且He在钛膜深度范围内均...
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- 文献传递
- 高温退火后含He纳米晶钛膜中He相关缺陷的演化被引量：1
- 2013年
- 利用X射线衍射(XRD)和慢正电子束分析(SPBA)技术研究高温退火后含He钛膜的微观结构和钛膜内He相关缺陷的演化。XRD分析表明,高温退火后Ti和Si在高温下发生反应形成稳定的多晶TiSi2化合物,He原子的掺入会影响TiSi2晶体的择优取向,而对TiSi2晶粒尺寸的影响较小。SPBA结果表明,室温下,钛膜内的缺陷浓度或尺寸会随着掺He浓度的增加而增大;高温退火后,当He浓度小于5%(原子分数,下同)时(除2%外),钛膜内的He相关缺陷浓度随着He浓度增加相应地增加。当He浓度增加到14%时,高温会使较高浓度的He原子、He-空位复合体以及小He泡迁移聚集形成一些尺寸较大He泡,而较大He泡周围与He相关的小尺寸缺陷的浓度则会发生相应地减少。
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- 关键词：金属材料直流磁控溅射XRD
- 掺He钛膜中He泡的演化研究被引量：3
- 2012年
- 本文利用慢正电子束分析(SPBA)和透射电子显微镜(TEM)方法研究了钛膜内He相关缺陷的演化.实验结果表明:室温下,钛膜中的He主要形成均匀的小He泡.随着He浓度的增大,He泡的密度相应地增加.在973K高温退火后,在含高浓度He的钛膜样品中观测到大He泡的出现.实验结果表明迁移合并和较大He泡周围的级联融合共同作用导致了大He泡的形成.
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- 关键词：慢正电子束
- 磁控溅射制备的含He纳米晶铜膜的微结构分析被引量：1
- 2011年
- 采用直流磁控溅射法,在不同的He/Ar混合气氛下,制备了不同He含量的铜膜.利用弹性反冲探测(ERD)方法探测了铜膜中氦的含量和深度分布,实验发现引入铜膜中的氦深度分布较均匀;并本文采用X射线衍射(XRD)分析了铜膜中氦的微结构。实验结果表明随着铜膜中氦含量的逐渐增加,对应Cu(111)晶面的峰强也有所增强;最后应用了慢正电子柬分析(SPBA)技术测量了不同含氦铜膜的缺陷结构,随着铜膜中氦的增加,S参数会发生相应的变化.
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- 关键词：磁控溅射X射线衍射
- 纳米多晶钨膜中He相关缺陷对H滞留的影响被引量：1
- 2014年
- 用磁控溅射方法制备纳米多晶钨膜,采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),弹性反冲探测(ERD)和慢正电子束分析(SPBA)等手段研究了在高能He+和H+依次对其辐照后He相关缺陷对H滞留的影响。结果表明,注He+钨膜在退火后从β型钨向α型钨转变;钨膜中的He含量随着退火温度的提高而减少,在873 K退火加剧钨膜中He原子的释放,且造成钨膜空位型缺陷的增加和结构无序度的提高;钨膜中的H滞留总量随着He滞留总量的减少略有下降。
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- 关键词：金属材料HHE
