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  • 4篇离子敏场效应
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机构

  • 5篇湖南大学
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  • 1篇苏州中科集成...

作者

  • 5篇杨振
  • 3篇齐良颉
  • 3篇颜永红
  • 2篇代建玮
  • 1篇刘继周
  • 1篇夏宇闻

传媒

  • 1篇传感器技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 2篇2005
  • 3篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
CMOS技术在生物传感器中的应用被引量:2
2004年
介绍了应用传统CMOS工艺实现ISFET的设计方法,比较了四种不同结构ISFET的传输特性,提出了应用同一CMOS工艺实现衔接电路的差分结构形式,并通过实验验证了此电路设计的合理性。传感单元ISFET与衔接电路可整体集成于同一芯片,提高了生物传感器的品质。
杨振颜永红齐良颉
关键词:生物传感器离子敏场效应晶体管敏感膜差分结构参考电极
低成本VLSI时延测试策略的探讨
2004年
本文针对VLSI的时延测试进行了研究和讨论。介绍了几种实现时延测试的方法,并提出了一种低成本实现时延测试的策略。在实际应用中取得了良好效果。
代建玮夏宇闻杨振
关键词:时延测试VLSI
利用CMOS技术实现pH-ISFET传感器集成化的设计被引量:1
2004年
在对离子敏场效应晶体管(ISFET)基本结构及电学特性分析的基础上,提出了一种基于CMOS技术实现ISFET与信号处理电路集成化的设计方法。模拟仿真的结果表明,所采用的ISFET/MOSFET“互补对”结构的信号读取电路形式能够抑制“温漂”和克服“硅衬底体效应”对器件测量灵敏度的影响,是一种适用于ISFET集成设计的信号读取方式。
杨振颜永红齐良颉
关键词:离子敏场效应晶体管CMOS工艺自对准体效应
pH-ISFET生物传感器集成化设计的研究
鉴于目前各类传感器的研制趋向于微型化、集成化和智能化的发展方向,将离子敏传感器的敏感单元与信号读取电路集成于同一芯片也就成为了业界对此类传感器的研究热点。离子敏场效应晶体管/(ISFET/)与金属-氧化物-半导体场效应晶...
杨振
关键词:离子敏场效应晶体管SPICE模型CMOS实现体效应
文献传递
离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真被引量:1
2005年
根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据基本相符。
杨振颜永红代建玮刘继周齐良颉
关键词:离子敏场效应晶体管
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