齐良颉
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：湖南大学物理与微电子科学学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 用于CMOS图像器件的超分辨率算法研究
- 2007年
- 提出一种基于CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法,该方法将4幅沿水平、垂直及对角线方向错位获取的CMOS图像重新组合,得到一幅重建的新图像.对重建图像的像素灰度进行了理论分析和计算,求出了重建超分辨率图像的算法.结果表明,在不提高CMOS工艺水平的条件下,该算法能将重建的CMOS图像的分辨率提高到原图像的2×2倍.实现了CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法.对该算法进行了计算机仿真,结果同理论分析计算的结果完全一致,证明了所提出的CMOS图像器件超分辨率算法是正确的.
- 颜永红齐良颉曾云
- 关键词：图像重建超分辨率
- CMOS技术在生物传感器中的应用被引量：2
- 2004年
- 介绍了应用传统CMOS工艺实现ISFET的设计方法,比较了四种不同结构ISFET的传输特性,提出了应用同一CMOS工艺实现衔接电路的差分结构形式,并通过实验验证了此电路设计的合理性。传感单元ISFET与衔接电路可整体集成于同一芯片,提高了生物传感器的品质。
- 杨振颜永红齐良颉
- 关键词：生物传感器离子敏场效应晶体管敏感膜差分结构参考电极
- 利用CMOS技术实现pH-ISFET传感器集成化的设计被引量：1
- 2004年
- 在对离子敏场效应晶体管(ISFET)基本结构及电学特性分析的基础上,提出了一种基于CMOS技术实现ISFET与信号处理电路集成化的设计方法。模拟仿真的结果表明,所采用的ISFET/MOSFET“互补对”结构的信号读取电路形式能够抑制“温漂”和克服“硅衬底体效应”对器件测量灵敏度的影响,是一种适用于ISFET集成设计的信号读取方式。
- 杨振颜永红齐良颉
- 关键词：离子敏场效应晶体管CMOS工艺自对准体效应
- 离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真被引量：1
- 2005年
- 根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据基本相符。
- 杨振颜永红代建玮刘继周齐良颉
- 关键词：离子敏场效应晶体管
- CMOS图像传感器错位成像原理的研究
- CMOS图像传感器有着广泛的应用前景，但图像分辨率和动态范围是影响其发展的两个关键问题。因此，研究解决这两个问题的方法有重要的理论和实际意义。本文介绍了CMOS图像传感器件的结构、工作原理和国内外发展，分析了影响其性能的...
- 齐良颉
- 关键词：图像传感器图像重建算法微电子学固体电子学图像分辨率
- 文献传递
