林舜嘉
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：西南科技大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 氧化程度对氧化石墨烯a-b轴结构及电学性能的影响被引量：5
- 2015年
- 采用改进的Hummers法及超声分散等后续处理制备不同氧化程度的氧化石墨烯样品。用XPS、XRD、AFM、UV-Vis及四探针测试仪对样品官能团变化规律、结构、形貌特征以及电学性能进行表征分析。结果表明,氧化石墨烯在超声波的作用下水相条件下可达单层分散,单层氧化石墨烯厚度约为1.4 nm:成膜过程中,在氢键力的作用下氧化石墨烯片层沿c轴重叠形成层状凝聚体,结构有序度较好;随氧化剂(KMn O4)用量增加,碳层平面上含氧官能团含量持续增加,特别是羟基官能团(C-OH)含量的增加,使a-b轴方向最大底面间距(d100和d110)一直增大,直至KMn O4用量达4.0 g时,部分C-OH水解,导致d100与d110略有减小;碳层平面上含氧官能团尤其是环氧官能团(C-O-C)含量的增加,使样品带隙宽度逐渐增大,导电性能越来越差。
- 王培草孙红娟彭同江林舜嘉
- 关键词：氧化石墨烯电学性能
- 长链烷基季铵盐插层氧化石墨的结构变化被引量：6
- 2013年
- 基于改进的Hummers法制备氧化石墨(GO),并以长链烷基季铵盐(CnTAB)对其进行插层处理;通过改变CnTAB的链长、浓度,得到系列CnTAB/GO插层复合物。采用XRD和元素分析对产物的最大底面间距及CnTAB插入量进行表征。结果表明,随着Cn TAB链长的增长、CnTAB浓度的增大,CnTAB/GO插层复合物的最大底面间距逐渐增大。CnTAB通过离子键作用和疏水键作用插入到GO层间,在GO片层上的吸附规律符合修正型(Modified)Langmuir模型,即CnTAB以单分子层吸附在GO片层上。根据CnTAB/GO插层复合物最大底面间距及CnTAB插入量的变化规律分析,得出CnTAB在GO层间的排布模式有单层平躺模式、类双层平躺模式、单层倾斜模式和单层直立模式。
- 林舜嘉孙红娟彭同江刘波
- 关键词：氧化石墨一维结构
- 石墨烯薄膜的制备及中间产物的结构变化研究
- ＜正＞石墨烯是一种由碳原子紧密堆积构成的二维晶体。自2004年被首次发现以来,因其优异的力学、热学、电学及光学性能,在电子器件、复合材料、传感器及电极材料等领域都具有潜在的应用前景,引起了物理、化学、材料等不同领域科研工...
- 孙红娟彭同江刘波林舜嘉
- 文献传递
- 聚苯胺/（氧化）石墨烯纳米复合物的制备及性能研究
- 针对聚苯胺/石墨烯纳米复合物制备及应用过程中存在的问题，本论文基于“改性—复合”的研究路线，采用系列烷基季铵盐(CnTAB)对氧化石墨进行非共价键改性处理，获得系列CnTAB插层氧化石墨样品;采用对苯二胺(PPD)对氧化...
- 林舜嘉
- 关键词：纳米复合物聚苯胺石墨烯共价键热稳定性
- 文献传递
- 石墨烯薄膜及中间产物的结构及导电性能研究
- 2014年
- 采用氧化还原法真空抽滤制备不同还原程度的石墨烯薄膜，用X射线衍射（XRD）、红外光谱（FTIR）、拉曼光谱（Raman）、四探针电阻率测试仪对石墨烯样品及中间产物表征。结果表明，石墨经氧化后结构层键合上多种含氧官能团，层间距增大，其拉曼光谱表现为D峰宽化且增强，C峰宽化并向高波数方向偏移，且导电性能急剧减弱。通过改变还原阶段的反应时间可对石墨烯的电学性能进行有效调控。
- 孙红娟林舜嘉彭同江黄桥
- 关键词：氧化石墨氧化还原法电导率
