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沈波

作品数：445 被引量：264H指数：8
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 235篇专利
  • 117篇期刊文章
  • 84篇会议论文
  • 5篇科技成果
  • 4篇学位论文

领域

  • 176篇电子电信
  • 63篇理学
  • 13篇电气工程
  • 11篇金属学及工艺
  • 10篇一般工业技术
  • 8篇化学工程
  • 8篇自动化与计算...
  • 2篇经济管理
  • 2篇机械工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇水利工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇政治法律

主题

  • 71篇半导体
  • 66篇氮化镓
  • 55篇GAN
  • 51篇氮化
  • 45篇氮化物
  • 40篇衬底
  • 37篇异质结
  • 36篇化物
  • 33篇导体
  • 32篇位错
  • 32篇发光
  • 26篇纳米
  • 26篇光电
  • 26篇二维电子
  • 25篇势垒
  • 25篇成核
  • 24篇单晶
  • 24篇二维电子气
  • 21篇晶体
  • 20篇退火

机构

  • 303篇北京大学
  • 145篇南京大学
  • 18篇中国科学院
  • 6篇河北大学
  • 3篇南京电子器件...
  • 2篇东北大学
  • 2篇教育部
  • 1篇河海大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇广西大学
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇解放军理工大...
  • 1篇南京理工大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇太原理工大学
  • 1篇厦门大学
  • 1篇北京大学第六...
  • 1篇中国航天员科...
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 445篇沈波
  • 133篇王新强
  • 122篇张荣
  • 109篇郑有炓
  • 102篇许福军
  • 79篇顾书林
  • 57篇张国义
  • 56篇施毅
  • 55篇江若琏
  • 54篇秦志新
  • 52篇韩平
  • 50篇杨学林
  • 49篇唐宁
  • 47篇陈志忠
  • 44篇胡立群
  • 44篇修向前
  • 43篇朱顺明
  • 43篇康香宁
  • 41篇杨志坚
  • 37篇吴洁君

传媒

  • 23篇Journa...
  • 16篇物理学报
  • 14篇固体电子学研...
  • 12篇发光学报
  • 10篇高技术通讯
  • 9篇第13届全国...
  • 6篇第十七届全国...
  • 6篇第十届全国分...
  • 5篇第十七届全国...
  • 5篇第十二届全国...
  • 4篇河北大学学报...
  • 4篇稀有金属
  • 4篇功能材料与器...
  • 4篇半导体光电
  • 4篇第十五届全国...
  • 4篇2000年中...
  • 4篇第十六届全国...
  • 3篇微纳电子技术
  • 3篇中国科学：物...
  • 3篇第十四届全国...

年份

  • 13篇2024
  • 34篇2023
  • 35篇2022
  • 20篇2021
  • 25篇2020
  • 21篇2019
  • 18篇2018
  • 13篇2017
  • 8篇2016
  • 20篇2015
  • 18篇2014
  • 14篇2013
  • 12篇2012
  • 6篇2011
  • 8篇2010
  • 13篇2009
  • 12篇2008
  • 12篇2007
  • 14篇2006
  • 10篇2005
共 445 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种改善蓝、绿光半导体激光器散热性能的方法
本发明公开了一种改善蓝、绿光半导体激光器散热性能的方法。通过对衬底打盲孔或通孔的处理方式，在孔内引入金刚石，获得金刚石嵌入式衬底，显著提高衬底导热能力。在该衬底上外延生长蓝、绿光激光器垂直结构，得到强散热、高效率的蓝、绿...
王新强黄振杨嘉嘉陶仁春沈波
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硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法
本发明公开了一种硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法，在高阻硅衬底上外延一层n型单晶硅，得到复合硅衬底，再在其上外延氮化铝和后续的氮化镓薄膜，通过复合硅衬底掺杂的n型电子与铝原子扩散带来的空穴流子复合，从而使硅衬底维持在...
杨学林沈波魏来马骋吴珊沈剑飞刘丹烁蔡子东黄华洋陈正昊
文献传递
基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法
本发明公开了一种基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法，通过该方法获得的层状叠加AlN材料，从下向上依次为：纳米图形硅衬底、纳米图形AlN成核层、高温AlN横向生长层和高温AlN纵向生长层，在纳米图形硅衬底、纳米图...
杨学林沈波沈剑飞张洁冯玉霞许福军王新强唐宁
文献传递
一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极；N型纳米线和多量子阱构成核-壳结构；通过设计图形化衬底的排布...
王新强王平荣新盛博文唐宁郑显通马定宇荀坤沈波
文献传递
硅上大失配应力诱导的外延方法生长高质量的AlGaN/GaN异质结构
底上AlGaN/GaN异质结构因其优良的物理性能在功率电子器件领域有着广阔的应用前景.然而,由于硅衬底与外延层之间存在较大的晶格失配和热失配,GaN中位错密度较高,而且表面容易龟裂.虽然许多方法诸如低温AlN插入层、超晶...
程建朋杨学林桑玲许福军沈波
关键词：氮化镓应力控制
一种纳米线耦合量子点结构及其制备方法
本发明公开了一种纳米线耦合量子点结构及其制备方法。本发明采用在生长衬底上生长纳米线形成纳米线基板，然后生长量子点结构，再通过原位热蒸发处理从侧壁缩小横向尺度，得到再构量子点结构，最后原位生长修复层；本发明的量子点的纵向尺...
王新强王平沈波孙萧萧王涛陈兆营盛博文郑显通荣新王丁
文献传递
一种利用陶瓷衬底生长单晶GaN自支撑衬底的方法
本发明公开了一种利用陶瓷衬底生长单晶GaN自支撑衬底的方法，首先在在陶瓷衬底表面沉积填充材料，通过研磨抛光获得光滑表面；然后在表面形成二维材料层，并进行等离子体处理和/或原位NH<Sub>3</Sub>处理；接着生长单晶...
杨学林沈波吴俊慷杨鸿才王豪捷刘伟
一种表面自氧化的氮化镓自旋注入结制备方法
本发明公开了一种表面自氧化的氮化镓自旋注入结制备方法，采用原子层沉积系统的远端氧等离子体吹扫GaN单晶薄膜，使氧初始附着氮化镓表面；然后采用氧化物分子束外延统，在高温下利用臭氧氧化氮化镓表面，在GaN表面形成一层薄的氧化...
唐宁孙真昊陈帅宇张仕雄樊腾姜稼阳李国平沈波
InN材料特性及其制备
本文首次介绍了InN材料的基本特性,探讨了InN材料生长技术和应用方向,最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景.
谢自力张荣修向前毕朝霞沈波韩平朱顺明顾书林施毅郑有炓
关键词：半导体材料材料特性
文献传递
一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法
本发明公开了一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明利用层状结构的二维晶体分离层和厚膜分离层结合原位刻蚀和高温退火等方法制备低位错密度的GaN厚膜，二维晶体分离层和厚膜分离层作为二维晶体掩膜能够防止在Ga...
王新强刘放刘强郭昱成吴洁君于彤军沈波张国义
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