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王新强

作品数：189 被引量：14H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 137篇专利
  • 40篇会议论文
  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 67篇电子电信
  • 12篇理学
  • 8篇金属学及工艺
  • 8篇自动化与计算...
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇文化科学
  • 3篇化学工程
  • 3篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 41篇氮化物
  • 38篇氮化
  • 37篇半导体
  • 35篇化物
  • 24篇分子束
  • 23篇分子束外延
  • 20篇导体
  • 17篇氮化镓
  • 16篇晶格
  • 13篇激光
  • 12篇多量子阱
  • 12篇势垒
  • 11篇单晶
  • 11篇晶体
  • 11篇厚膜
  • 10篇探测器
  • 10篇位错
  • 10篇光电
  • 10篇红外
  • 10篇红外探测

机构

  • 189篇北京大学
  • 4篇上海交通大学
  • 2篇北京有色金属...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国科学院近...
  • 1篇南京大学
  • 1篇首都师范大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇重庆师范大学
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 189篇王新强
  • 133篇沈波
  • 59篇盛博文
  • 46篇许福军
  • 34篇荣新
  • 34篇王平
  • 31篇郑显通
  • 26篇张国义
  • 23篇唐宁
  • 23篇杨学林
  • 22篇吴洁君
  • 17篇杨志坚
  • 17篇王涛
  • 16篇秦志新
  • 13篇于彤军
  • 10篇张健
  • 10篇马定宇
  • 9篇王睿
  • 9篇陶仁春
  • 9篇刘强

传媒

  • 6篇第十届全国分...
  • 5篇第十七届全国...
  • 5篇第13届全国...
  • 3篇第十一届全国...
  • 2篇物理学报
  • 2篇中国科学：物...
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇物理实验
  • 1篇物理学进展
  • 1篇发光学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 6篇2024
  • 33篇2023
  • 24篇2022
  • 12篇2021
  • 11篇2020
  • 16篇2019
  • 12篇2018
  • 8篇2017
  • 6篇2016
  • 13篇2015
  • 9篇2014
  • 14篇2013
  • 14篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2000
共 189 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ⅱ型In0.17Al0.83N/GaN异质结构的实验证明及理论研究
通过X射线光电子能谱(XPS)、光致发光谱(PL)以及时间分辨光谱(TRPL)等手段,我们研究了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结构界面处的能带结构.研究样品为利用MOCVD技术生长的InAlN薄膜以及相...
王嘉铭许福军宋杰王新强葛惟昆杨志坚沈波
一种高指数晶面六方氮化硼薄膜的制备方法
本发明公开了一种高指数晶面六方氮化硼薄膜的制备方法。本发明在高指数晶面衬底上形成单晶AlN模板层构成高指数晶面衬底，在单晶AlN模板层上形成氧富集的Al<Sub>x</Sub>O<Sub>y</Sub>薄层；在Al<Su...
王新强刘放王涛陈兆营盛博文沈波
一种GaN衬底的制备方法
本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成一过渡层，该过渡层为含有碳纳米管的InN、高In组分InGaN材料或GaA...
于彤军龙浩张国义吴洁君贾传宇杨志坚王新强
文献传递
应力调控的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究
高铝组分AlxGa1-xN/GaN (x＞O.3)多量子阱结构由于在紫外LED、3-5lμm大气窗口波段的光电探测和1.3μm及1.55U m的光通信波段器件上具有巨大的应用前景，目前正成为国际上的研究热点。然而高Al组...
黄呈橙许福军许正昱王嘉铭张霞王新强沈波
关键词：化合物半导体材料多量子阱结构
文献传递
一种生长AlGaN薄膜的精细调控方法
本发明公开了一种生长AlGaN薄膜的精细调控方法。本发明通过停止Al源供应，以生长腔内残余的Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，显著降低生长速率，为Al源提供充足迁移时间，有助于Al源的均匀并入；以残余Al源的扩散迁移作为...
王新强李泰罗巍袁冶卢同心王涛陈兆营
p型沟道的III-V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种p型沟道的III‑V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法。本发明的p型沟道的III‑V族异质结构包括：衬底、缓冲层、势阱层、二维空穴气和势垒层，二维空穴气为极化诱导形成，无需掺杂；本发明的HEMT器件中...
王新强杨流云郭镛彬王平刘放魏嘉琪王锦林叶昊天张振宇沈波
全组分InGaN薄膜的MBE生长及其物性研究
本文利用分子束外延(MBE)设备，采用调节生长温度控制In组分的方法，获得了高质量的全组分InxGa1-xN合金薄膜，并对其b因子进行了深入研究。
刘世韬王新强陈广冯丽马定宇沈波
关键词：半导体材料分子束外延生长
一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用
本发明涉及一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在化学气相沉积法制备AlGaN过程中，对生长中断过程中Ga和Al金属原子的脱附速率进行控制，得到具有周期变化的Al<Sub>x</Sub>Ga<S...
许福军沈波王明星解楠孙元浩刘百银王新强秦志新
文献传递
Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法及其应用
本发明涉及生物质太阳能炼化技术领域，尤其涉及一种Au‑In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法及其应用，包括通过光沉积方法在外延III族氮化物上负载Au基二元纳米颗粒，具体步骤包括，将Si片上外延生长的III族氮...
周宝文王新强王舟舟盛博文
渐变InGaN的分子束外延生长
Ⅲ族氮化物因其宽直接带隙、高稳定性、高热导率、介电常数小、抗辐射以及组成合金后的宽发光光谱的优异特性,吸引了越来越多的注意力,在光电子器件以及微电子领域有着越来越广泛的用途.2002年,随着高质量InN膜的成功制备, 发...
郑显通王新强马定宇荣新王平沈波
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