潘洪哲
- 作品数：7 被引量：31H指数：3
- 供职机构：四川师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：四川省教育厅重点项目山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- C掺杂β-Si_3N_4的电子结构和光学性质
- 2008年
- 运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对替代式C掺杂β-Si3N4的超晶胞电子结构进行了模拟计算,分析了β-Si3N4:C的电子结构和光学性质.对C掺杂前后电子结构的异同以及价键的一些性质进行了对比分析发现,由于C的掺杂,价带宽度展宽,导带宽度和禁带宽度均变窄;态密度出现了几个新的峰,平均峰值有所减小.通过对比分析光吸收系数发现,相对于β-Si3N4的光吸收系数,β-Si3N4:C的吸收系数有所降低,并且向长波方向移动,100nm处的吸收峰向长波方向移动约11.8nm.
- 潘洪哲
- 关键词：密度泛函理论
- 压力对β-Si_3N_4的电子结构和光学性质的影响被引量：1
- 2007年
- 采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对不同压强下β-Si3N4的电子结构和光学性质进行了计算,较好地解释了已经报道的实验结果,进一步研究了β-Si3N4其它物理参数随外压力的变化规律.
- 潘洪哲徐明丁迎春沈益斌
- 关键词：氮化硅电子结构光学性质
- γ-Si_3N_4在高压下的电子结构和物理性质研究被引量：7
- 2007年
- 采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.
- 丁迎春徐明潘洪哲沈益斌祝文军贺红亮
- 关键词：光学性质力学性质
- β相氮化硅材料的第一性原理研究
- 运用局域密度泛函理论可将多电子系统转化为单电子系统，由此对各类半导体材料和金属材料的结合能、晶格常数、体变模量做计算得到了与实验符合很好的结果，使之成为近年来电子理论中的一项重要的成就。在密度泛函理论的框架下，出现了很多...
- 潘洪哲
- 关键词：第一性原理半导体材料密度泛函理论氮化硅
- 文献传递
- 纳米硅的光致发光机制被引量：1
- 2006年
- 10多年来,人们对纳米硅的制备方法、微结构特征以及发光机制等方面进行了深入的研究和探讨。重点对不同制备条件及后期处理条件下的纳米硅的发光机制做了评述和总结,并对目前研究状况中存在的问题及发展前景进行了分析。
- 潘洪哲徐明
- 关键词：多孔硅纳米硅发光机制量子限制效应
- β-Si_3N_4电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：18
- 2006年
- 采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.
- 潘洪哲徐明祝文军周海平
- 关键词：电子结构光学性质
- 单层正三角锯齿型石墨烯量子点的电子结构和磁性被引量：7
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA),对不同尺寸(N=2—11)的单层正三角锯齿型石墨烯量子点(ZN-GNDs)的结构进行优化,得到与实验数据较好符合的晶格常数,进一步计算得到不同尺寸下体系的自旋多重度、磁矩、电子态密度以及自旋电子密度.结果表明:所有体系都呈现金属性,在尺寸较小的体系中量子尺寸效应对电子结构的影响比较明显;与单层石墨烯片一样,sp2杂化作用和非键态电子在量子点中仍起到非常重要的作用;费米能级上有自旋向上的电子分布,体系的自旋多重度和总磁矩随着体系尺寸的增大而增大,分析认为总磁矩主要来自于锯齿形边界上碳原子的2p轨道上非键态电子的贡献.本工作对基于三角锯齿型石墨烯量子点的器件设计具有指导意义.
- 潘洪哲徐明陈丽孙媛媛王永龙
- 关键词：石墨烯量子点电子结构磁性
