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丁迎春

作品数:15 被引量:160H指数:6
供职机构:成都信息工程大学光电技术学院更多>>
发文基金:四川省教育厅重点项目四川省教育厅自然科学科研项目四川省教育厅青年基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 14篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇第一性原理
  • 7篇电子结构
  • 7篇子结构
  • 7篇光学
  • 7篇光学性
  • 7篇光学性质
  • 6篇SI
  • 5篇SI3N4
  • 4篇第一性原理研...
  • 4篇结构和光学性...
  • 3篇力学性质
  • 3篇密度泛函
  • 3篇密度泛函理论
  • 3篇泛函
  • 3篇泛函理论
  • 3篇掺杂
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电池

机构

  • 11篇四川师范大学
  • 6篇成都信息工程...
  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇贵州师范大学
  • 1篇临沂师范学院
  • 1篇重庆邮电学院

作者

  • 15篇丁迎春
  • 9篇徐明
  • 7篇沈益斌
  • 4篇祝文军
  • 4篇段满益
  • 3篇陈青云
  • 2篇朱兴华
  • 2篇潘洪哲
  • 2篇向安平
  • 1篇周海平
  • 1篇唐军
  • 1篇贺红亮
  • 1篇胡晓飞
  • 1篇蒋孟衡
  • 1篇周勋
  • 1篇令狐荣锋
  • 1篇纪红萱
  • 1篇何修军
  • 1篇陈卫东
  • 1篇陈敏

传媒

  • 4篇物理学报
  • 2篇四川师范大学...
  • 1篇Chines...
  • 1篇高压物理学报
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇材料导报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇西昌学院学报...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 9篇2007
  • 1篇2006
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高压下BeP_2N_4结构相变和电子结构的第一性原理计算被引量:2
2012年
基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了硅铍石型和尖晶石型结构BeP2N4的总能量随体积的变化关系。利用Brich-Murnaghan状态方程,通过能量和体积拟合,得到了2种结构的体变模量及其对压强的一阶导数。在压力作用下,BeP2N4的相变是从硅铍石型结构(空间群R-3,No.148)转变到尖晶石型结构(空间群Fd-3m,No.227),计算出的相变点与其它理论值符合得非常好。同时计算了BeP2N4的相对晶格常数a/a0和相对体积V/V0的压缩率,在低压下发现,尖晶石结构BeP2N4的压缩率接近金刚石,进一步计算了不同压力下的体弹模量BH、剪切模量GH、BH/GH和杨氏模量E。此外,对两种结构的BeP2N4的电子态密度和带隙随压强的变化关系进行了计算和分析。结果表明:在压力作用下,上价带顶向费米能级移动,并有一定的展宽。Be—N、P—N键缩短,电子转移增加,导致电荷发生重新分布。
丁迎春刘海军蒋孟衡陈敏陈勇明
关键词:第一性原理密度泛函理论电子结构
纳米结构太阳能电池材料的研究进展被引量:6
2006年
纳米结构材料是当今科学研究的热点,它应用于太阳能电池具有成本低、稳定性好、光电转化率高等特点。介绍了纳米结构材料,如自组装纳米结构的有机盘状液晶太阳能电池和无机纳米晶太阳能电池材料(主要包括敏化Ti O2纳米晶、CdSe和CdTe纳米晶、Si基纳米结构)的研究和应用进展,并展望了这些纳米结构材料作为太阳能电池材料的未来发展。
丁迎春徐明沈益斌
关键词:自组装盘状液晶无机纳米晶太阳能电池
压力对β-Si_3N_4的电子结构和光学性质的影响被引量:1
2007年
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对不同压强下β-Si3N4的电子结构和光学性质进行了计算,较好地解释了已经报道的实验结果,进一步研究了β-Si3N4其它物理参数随外压力的变化规律.
潘洪哲徐明丁迎春沈益斌
关键词:氮化硅电子结构光学性质
γ-Si_3N_4在高压下的电子结构和物理性质研究被引量:7
2007年
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.
丁迎春徐明潘洪哲沈益斌祝文军贺红亮
关键词:光学性质力学性质
γ-Si_3N_4在高压下的光学性质研究被引量:8
2007年
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),详细计算了不同压力下γ-Si3N4的光学性质(反射系数、吸收系数、复介电常数、折射系数).分析了压力对光学性质的影响,发现在高压条件γ-Si3N4的一些光学性质并不发生太大的变化,表明γ-Si3N4在高压条件下的光学应用是可行的.
丁迎春徐明沈益斌陈青云段满益
关键词:光学性质第一性原理
过渡金属与氮共掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量:64
2007年
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA)研究了过渡族金属(Mn,Fe,Co,Cu)与N共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度分布、差分电荷密度和光学性质.计算表明Mn,Fe,Co与N共掺ZnO的光学性质与Mn,Fe,Co单掺杂相近,但是过渡族金属与N共掺杂有利于获得p型ZnO.
段满益徐明周海平沈益斌陈青云丁迎春祝文军
关键词:ZNO第一性原理电子结构光学性质
过渡金属掺杂ZnO的电子结构和光学性质被引量:61
2007年
利用基于密度泛涵理论的超软赝势法(USPP),结合局域密度近似(LDA),对过渡族金属离子掺杂的纤锌矿型ZnO做第一性原理计算,得到了它的平衡晶格常数、结合能、电子态密度分布、能带结构、介电函数、光学吸收系数等性质,详细讨论了掺杂后ZnO化合物的电子结构及成键情况,并结合实验结果定性分析了掺杂后光学性质的变化.
沈益斌周勋徐明丁迎春段满益令狐荣锋祝文军
关键词:氧化锌掺杂第一性原理光学性质
2H-PbI_2晶体的电子结构和力学性质
2014年
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)方法,计算了六角晶系2H-PbI2晶体的电子结构、力学性质和硬度.采用局域密度近似(LDA)方法计算的晶格常数、带隙、弹性常数与实验值和理论值符合较好.计算表明,2H-PbI2是一种直接带隙的半导体,带隙大约为2.38eV.运用复杂晶体硬度计算公式计算了六角晶系2H-PbI2晶体的硬度,硬度值大约为2.54GPa.还发现2H-PbI2晶体的各向异性非常明显.
涂小强朱簪巨丁迎春朱兴华
关键词:电子结构
γ-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>材料第一性原理研究
运用局域密度泛函理论可将多电子系统转化为单电子系统,由此对各类半导体材料和金属材料的结合能、晶格常数、体模量做计算得到了与实验符合很好的结果,使之成为近年来电子理论中的一项重要的成就。在密度泛函理论的框架下,出现了很多算...
丁迎春
关键词:第一性原理密度泛函理论
一种超硬新材料BeP2N4的电子结构和力学性质及本征硬度被引量:9
2011年
基于密度泛函理论,采用局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)泛函研究了硅铍石、尖晶石结构的BeP_2N_4材料的晶格参数、能带结构、态密度、分态密度、Mulliken布居值和弹性性质,计算结果与已有的实验值和理论值符合很好.能带结构和态密度表明两种结构的BeP_2N_4材料是宽的直接带隙的绝缘体材料.尖晶石结构BeP_2N_4的体弹性模量、剪切模量和弹性模量比硅铍石结构的相应的力学量大得多.利用Sung等提出的硬度经验划据和Gao等提出的基于Muilliken轨道重叠布居数的共价同体本征硬度计算方法,预测了两种结构的本征硬度值.计算结果表明硅铍石结构BeP_2N_4虽然体弹模量小,但是它并不是一种软的材料,而是一种易脆的硬度较硬的材料,随着压力增加硅铍石结构BeP_2N_4的脆性逐渐过渡到延性.尖晶石结构BeP_2N_4是一种易脆的超硬材料.采用GGA计算得到的硅铍石BeP_2N_4向尖晶石相转变压力为14 GPa,与理论预测值(24 GPa)相比偏小.
丁迎春肖冰
关键词:第一性原理电子结构力学性质
共2页<12>
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