焦威
- 作品数：6 被引量：18H指数：3
- 供职机构：西南大学物理科学与技术学院（电子信息工程学院）更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金重庆市自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 不同BCP插层厚度及工作温度对高场有机磁电导正负转变的影响
- 2013年
- 采用插入较厚(40,80和120nm)的BCP空穴阻挡层,制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP(xnm)/Al的有机发光二极管,并在不同温度下测量了器件电流随外加磁场的变化(即magneto-conductance,MC).发现不同厚度BCP插层器件在低场(0B50mT)下均表现为正磁电导效应,且这一特性与器件工作温度无关.但高场部分(B>50mT)的MC却表现出对温度及厚度有较强的依赖关系,即随着温度的降低,120nmBCP插层器件表现出明显的正负磁电导转变;而80和40nm的BCP器件则不存在这种转变现象,在低温下只存在负磁电导成分.其原因可能是:MC低场正磁电导部分由超精细相互作用引起;而高场MC的正负转变则主要是由于较厚BCP插层引起大量没有复合的剩余空穴,与低温下长寿命的三重态激子相互作用(即TQA作用)引起的.
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- 关键词：空穴阻挡层相互作用
- 激子复合区随温度移动对OLED磁效应的影响被引量：2
- 2013年
- 制备了DCM掺杂层靠近阴极的双发光层有机发光器件ITO/CuPc/NPB/Alq3(发射绿光)/Alq3:DCM(发射红光)/LiF/Al,并在不同温度下测量了该器件和无DCM掺杂的单发光层参考器件的磁电致发光(Magneto-ElectroLuminescence,MEL)和磁电导(Magneto-Conductance,MC).在注入相同电流密度下,发现双发光层器件MEL的高场(B50mT)效应随温度降低呈现先减小后增大的非单调变化,这与单发光层参考器件的单调递增变化明显不同.同时测量了不同温度下的电致发光光谱,发现双发光层器件的533nm和600nm两个特征峰的强度随温度变化出现了此消彼长的现象,表明激子复合区域随温度变化发生了移动.通过分析工作温度对器件各发光层中的三重态激子对间相互作用及载流子迁移率的影响,对双发光层器件中MEL的高场效应随温度的非单调变化进行了定性解释.实验结果进一步验证了在单发光层器件中得到的有机磁效应高场变化的相关结论.
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- 关键词：磁效应
- 光照下有机半导体器件中的磁电导效应
- 有机半导体器件中流过器件的电流在外加磁场作用下发生改变的现象被称为有机磁电导效应。由于器件材料中没有任何磁性成分而器件却表现出磁现象，因此引起了科学界的广泛关注。同时，有机材料所具有较强的自旋相干性，良好的柔韧性，材料种...
- 焦威
- 关键词：有机半导体器件光照条件物理机制
- 文献传递
- 不同温度下单重态激子裂变对Rubrene有机电致发光磁效应的影响被引量：6
- 2013年
- 采用具有单重态激子裂变(Singlet Exciton Fission,即STT过程)的红荧烯(Rubrene)作为发光层制备了有机发光器件,并在不同温度下(15KT300K)研究了器件发光随外加磁场的变化(即Magneto-Electro Luminescence,MEL).实验发现,与不具有STT过程的参考器件相比,Rubrene器件的MEL无论是在线型还是在幅度方面都表现出了新现象:室温下参考器件的MEL主要表现为低磁场下的快速上升和高磁场下缓慢增加直至逐渐饱和的特点,但Rubrene器件MEL的低磁场部分受到很大抑制且其高磁场部分一直增加而没有表现出饱和迹象,其线型也有很大不同;另外,这些特性受温度的影响较大,其光谱随温度的降低还出现了红移.通过对磁场作用下器件的超精细相互作用、STT过程和三重态激子湮灭过程(Triplet-Triplet Annihilation,TTA)以及这些微观过程温度效应的综合分析,认为室温300K下器件的MEL可用超精细相互作用和STT过程来解释,低温15K下器件的MEL则是超精细相互作用与TTA作用叠加的结果.
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- 关键词：磁场效应
- 有机发光二极管的光致磁电导效应被引量：4
- 2012年
- 制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq_3/LiF/Al的常规有机发光二极管,之后对器件采用波长为442 nm和325 nm的激光线进行照射产生激子,并在小偏压下(保证器件没有开启)对激子的演化过程进行控制,同时测量器件的光致磁电导(photo-induced magneto-conductance,PIMC).实验发现,不同于电注入产生激子的磁电导效应,PIMC在正、反小偏压下表现出明显不同的磁响应结果.当给器件加上正向小偏压时,器件的PIMC在0—40mT范围内迅速上升;随着磁场的进一步增大,该PIMC增加缓慢,并逐渐趋于饱和.反向小偏压时,器件的PIMC随着磁场也是先迅速增大(0—40 mT),但达到最大值后却又逐渐减小.通过分析外加磁场对器件光生载流子微观过程的影响,采用‘电子-空穴对'模型和超精细相互作用理论对正向偏压下的PIMC进行了解释;反向偏压下因各有机层的能级关系,为激子与电荷相互作用提供了必要条件,运用三重态激子与电荷的反应机制可以解释PIMC出现高场下降的实验现象.
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- 有机发光器件的磁电导效应被引量：6
- 2012年
- 制备了基于三(8-羟基喹啉)铝(tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Ⅲ),Alq3)的有机发光二极管,并在不同偏压下测量了器件的室温磁电导效应.在小偏压下,发光器件展示出明显的负磁电导效应.偏压增加后,磁电导由负值变为正值,出现了正负转变的现象.N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(N,N′-Di(naphthalen-1-yl)-N,N′diphenyl-benzidine,NPB)与铜酞菁(Copper phthalocyanine,CuPc)单极器件磁电导的测量结果表明,发光器件在小偏压下的负磁电导效应来源于器件中的CuPc层.双极电流的磁电导效应可用电子-空穴对模型进行解释,而单极电流的磁电导效应可归因于器件中的极化子-双极化子转变.在注入电流的变化过程中,发光器件的正负磁电导转变是两种机理共同作用的结果.
- 张勇刘亚莉焦威陈林熊祖洪
- 关键词：有机发光二极管双极化子
