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王兵

作品数：23 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 10篇二极管
  • 9篇氮化镓
  • 8篇发光
  • 8篇发光二极管
  • 6篇成核
  • 5篇氮化
  • 4篇多量子阱
  • 4篇照明
  • 4篇照明系统
  • 4篇投影式
  • 4篇衬底
  • 3篇氮化物
  • 3篇再结晶
  • 3篇抗静电
  • 3篇化物
  • 3篇缓冲层
  • 3篇基板
  • 3篇硅基
  • 3篇硅基板
  • 3篇高温

机构

  • 23篇中国科学院
  • 2篇山西中科潞安...
  • 1篇山西大学

作者

  • 23篇王兵
  • 18篇李晋闽
  • 15篇王军喜
  • 14篇王国宏
  • 12篇李璟
  • 10篇伊晓燕
  • 9篇李志聪
  • 9篇姚然
  • 7篇梁萌
  • 6篇孔庆峰
  • 6篇杨华
  • 5篇李鸿渐
  • 5篇李盼盼
  • 4篇卢鹏志
  • 4篇闫建昌
  • 4篇薛斌
  • 4篇刘志强
  • 4篇刘立莉
  • 3篇闫发旺
  • 3篇郭亚楠

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法
一种非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法，该氮化物薄膜结构包括：一非晶衬底；一石墨烯缓冲层；一纳米结构支撑层；一氮化物薄膜。该非晶衬底的氮化物薄膜结构的制备方法包括：提供一非晶衬底；将石墨烯转移到非晶衬底上；利用化学气相...
伊晓燕王蕴玉刘志强梁萌王兵任芳尹越王军喜李晋闽
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利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法
一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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紫外LED抗静电硅基板的封装结构
一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，包括：一硅基板，该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极，所述正极位于硅基板上面的一侧，所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧；一稳压二极管，其制作在正极部分的硅基板上；一紫外LE...
闫建昌刘春岩郭亚楠崔志勇王兵
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采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法
本发明提供了一种采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法。该发光二极包括：衬底；依次沉积于衬底上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，其中，该发光二极管一侧的p型GaN层、p型AlGaN层...
王兵伊晓燕孔庆峰刘志强王军喜王国宏李晋闽
在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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一种投影式照明系统
本发明公开了一种投影式照明系统，其包括：投影系统，用于提供投影式照明系统的投射光线。控制系统，用于控制各个系统之间的互联通信，反射系统，用于将投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述方案利用投影...
杨华刘立莉卢鹏志薛斌孔庆峰王兵李璟王军喜李晋闽
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一种光斑可调的室内投影式照明系统
本发明公开了一种光斑可调的室内投影式照明系统，包括：多路投影系统，用于提供室内投影式照明系统的投射光线；控制系统，用于控制各个系统之间的互联通信；多路反射系统，用于将所述多路投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光...
刘立莉杨华卢鹏志薛斌孔庆峰王兵李璟王军喜李晋闽
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侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法
一种侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法，其中侧面粗化的倒装发光二极管，包括：一上衬底和依次在上衬底上生长的成核层和电子注入层，该电子注入层的一侧形成一台面；一发光层生长在电子注入层上；一空穴注入层生长在发光层上；一P电...
田婷谢海忠张逸韵王兵杨华李璟伊晓燕王国宏
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一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓...
王兵李志聪王国宏闫发旺姚然王军喜李晋闽
在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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