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盛国兴

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇晶体管
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇微波功率晶体...
  • 4篇功率晶体管
  • 4篇场板
  • 3篇刻蚀
  • 3篇硅衬底
  • 3篇衬底
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成电路
  • 2篇电路
  • 2篇电阻
  • 2篇增益
  • 2篇栅结构
  • 2篇镇流电阻
  • 2篇射频
  • 2篇套刻
  • 2篇套准

机构

  • 11篇中国电子科技...

作者

  • 11篇盛国兴
  • 8篇刘洪军
  • 6篇应贤炜
  • 6篇赵杨杨
  • 4篇王佃利
  • 2篇傅义珠

年份

  • 2篇2020
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基极多晶硅自对准套准结构及其制备方法
本发明公开了一种基极多晶硅自对准套准结构及其制备方法，该自对准套准结构包括具有局部氧化区的SiO<Sub>2</Sub>介质的硅衬底，在硅衬底上方中间部位具有SiO<Sub>2</Sub>介质保护层，基极多晶硅层位于Si...
刘洪军应贤炜赵杨杨盛国兴
一种基极多晶硅自对准套准结构及其制备方法
本发明公开了一种基极多晶硅自对准套准结构及其制备方法，该自对准套准结构包括具有局部氧化区的SiO<Sub>2</Sub>介质的硅衬底，在硅衬底上方中间部位具有SiO<Sub>2</Sub>介质保护层，基极多晶硅层位于Si...
刘洪军应贤炜赵杨杨盛国兴
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一种平面化厚隔离介质形成方法
本发明涉及的是一种特别适用于硅微波功率晶体管和微波单片集成电路研制生产的平面化厚隔离介质形成方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、在硅片表面刻蚀深孔阵列；二、通过氧化工艺将深孔边缘剩余的硅衬底材料全部氧化，变成二氧化...
傅义珠盛国兴王佃利刘洪军
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一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法
本发明公开了一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法，采用湿法刻蚀，在硅衬底外延层表面中间位置形成梯形氧化层；然后在梯形氧化层两侧采用常规工艺，形成沟道、源漏等常规掺杂区；接下来在外延层表面生长栅氧化层并覆...
赵杨杨刘洪军应贤炜盛国兴
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一种平面化厚隔离介质形成方法
本发明涉及的是一种特别适用于硅微波功率晶体管和微波单片集成电路研制生产的平面化厚隔离介质形成方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、在硅片表面刻蚀深孔阵列；二、通过氧化工艺将深孔边缘剩余的硅衬底材料全部氧化，变成二氧化...
傅义珠盛国兴王佃利刘洪军
一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法
本发明公开了一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法，采用湿法刻蚀，在硅衬底外延层表面中间位置形成梯形氧化层；然后在梯形氧化层两侧采用常规工艺，形成沟道、源漏等常规掺杂区；接下来在外延层表面生长栅氧化层并覆...
赵杨杨刘洪军应贤炜盛国兴
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发射极二次镇流及减小发射极集边效应的结构及工艺方法
本发明是发射极二次镇流及减小发射极集边效应的结构和工艺方法，采用二次镇流技术：有源区外部仍采用离子注入P+（硼）形成的硅体电阻做一次镇流，有源区内部增加一个二次镇流电阻。优点：1）实现了器件的处处镇流，镇流均匀性明显提升...
盛国兴
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一种射频LDMOS的“Γ”型栅结构及其制备方法
本发明是一种射频LDMOS的晶体管的“Γ”型栅及其制备方法，其特征在于，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，其栅为“Γ”形状，“Γ”型栅的下端为掺杂多晶硅，控制栅的特征长度，“Γ”型栅的表端为多晶硅硅化物，控制栅的电阻大小...
刘洪军赵杨杨应贤炜盛国兴王佃利
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一种横向双极晶体管及其制作方法
本发明公开了一种横向双极晶体管及其制作工艺，发射极和集电极位于晶体管表面，基极位于晶体管背面。由此带来的好处是：1、缓解了击穿电压与工作电流的矛盾，可以提高器件的工作频率与带宽、输出功率、线性功率；2、散热面积大大增加，...
盛国兴
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一种射频LDMOS的“Γ”型栅结构及其制备方法
本发明是一种射频LDMOS的晶体管的“Γ”型栅及其制备方法，其特征在于，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，其栅为“Γ”形状，“Γ”型栅的下端为掺杂多晶硅，控制栅的特征长度，“Γ”型栅的表端为多晶硅硅化物，控制栅的电阻大小...
刘洪军赵杨杨应贤炜盛国兴王佃利
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