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王佃利

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 7篇栅结构
  • 6篇亚微米
  • 6篇氧化层
  • 6篇微米
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇刻蚀
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 4篇薄栅
  • 4篇掺杂
  • 3篇晶体管
  • 3篇不兼容
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成电路
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇电流放大
  • 2篇电流放大系数

机构

  • 16篇中国电子科技...

作者

  • 16篇王佃利
  • 12篇刘洪军
  • 8篇应贤炜
  • 8篇赵杨杨
  • 4篇盛国兴
  • 4篇吕勇
  • 2篇傅义珠
  • 1篇李熙华

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种精细多晶硅硅化物复合栅结构及其制备方法
本发明是一种射频LDMOS的晶体管的精细多晶硅硅化物复合栅结构及其工艺制备方法，其特征在于，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，栅多晶硅表面有一层薄SiO<Sub>2</Sub>覆盖保护，通过胶回刻方法来控制栅多晶硅正面和...
刘洪军王佃利应贤伟
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无负阻LDMOS器件结构及其生产方法
本发明是无负阻LDMOS器件结构及其生产方法，该结构包括沟道区、漂移区、源漏区，在有源区边界用一高浓度的浓硼区将LDMOS器件漂移区包围起来，该浓硼区与漂移区在有源区边界形成一个P<Sup>+</Sup>N<Sup>-<...
王佃利
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无负阻LDMOS器件结构及其生产方法
本发明是无负阻LDMOS器件结构及其生产方法，该结构包括沟道区、漂移区、源漏区，在有源区边界用一高浓度的浓硼区将LDMOS器件漂移区包围起来，该浓硼区与漂移区在有源区边界形成一个P<Sup>+</Sup>N<Sup>－<...
王佃利
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高性能双层多晶硅双极型晶体管的制造方法
本发明公开了一种高性能的双层多晶硅双极型晶体管的制备方法，包括如下步骤：1）采用LOCOS和CVD淀积SiO<Sub>2</Sub>来形成复合隔离结构，减少高温工艺时间；2）采用SiO<Sub>2</Sub>作为基极多晶...
应贤炜庸安明吕勇王佃利
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一种射频LDMOS平坦化工艺中氮化硅的去除方法
本发明涉及一种射频LDMOS平坦化工艺中氮化硅的去除方法，其特征在于，对于通过两次湿氧进行平坦化后的掩蔽介质，利用图形边缘腐蚀速率高于中间，边缘鸟嘴处氮化硅厚度大于图形中间位置的特点，采用两次磷酸腐蚀的方法，将氮化硅去除...
吕勇赵杨杨刘洪军王佃利严德圣庸安明梅海
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一种射频LDMOS的“Γ”型栅结构及其制备方法
本发明是一种射频LDMOS的晶体管的“Γ”型栅及其制备方法，其特征在于，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，其栅为“Γ”形状，“Γ”型栅的下端为掺杂多晶硅，控制栅的特征长度，“Γ”型栅的表端为多晶硅硅化物，控制栅的电阻大小...
刘洪军赵杨杨应贤炜盛国兴王佃利
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一种平面化厚隔离介质形成方法
本发明涉及的是一种特别适用于硅微波功率晶体管和微波单片集成电路研制生产的平面化厚隔离介质形成方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、在硅片表面刻蚀深孔阵列；二、通过氧化工艺将深孔边缘剩余的硅衬底材料全部氧化，变成二氧化...
傅义珠盛国兴王佃利刘洪军
射频LDMOS的PolySi薄栅结构及其制备方法
本发明是一种射频LDMOS的PolySi薄栅结构，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，在栅氧化层表面形成自上而下的PolySi/SiO<Sub>2</Sub>/PolySi三明治栅结构，经过栅自对准掺杂后，去除三明治栅结构...
刘洪军赵杨杨王佃利应贤炜
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一种平面化厚隔离介质形成方法
本发明涉及的是一种特别适用于硅微波功率晶体管和微波单片集成电路研制生产的平面化厚隔离介质形成方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、在硅片表面刻蚀深孔阵列；二、通过氧化工艺将深孔边缘剩余的硅衬底材料全部氧化，变成二氧化...
傅义珠盛国兴王佃利刘洪军
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一种射频LDMOS的薄栅结构及其制备方法
本发明是一种射频LDMOS的薄栅结构及其制备方法，其特征在于，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，在栅氧化层表面形成PolySi/SiO<Sub>2</Sub>栅结构，经过栅自对准掺杂后，去除PolySi上面的SiO<Su...
赵杨杨刘洪军王佃利应贤炜
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