罗俊锋
- 作品数：12 被引量：53H指数：4
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技支撑计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺冶金工程一般工业技术化学工程更多>>
- 高纯Ag变形及退火后的微观组织被引量：5
- 2012年
- 研究了压缩变形及退火热处理对高纯Ag(99.99%)微观组织的影响。结果表明,高纯Ag铸锭模锻后,经570℃×2 h退火可消除铸态组织,屈服强度约为66 MPa,随应变的增加应力明显增加;然后经道次变形量20%,总变形量85%的变形,退火温度为360℃时间为1.5 h,高纯Ag坯料的微观组织均匀,符合制备靶材的基本要求。
- 董亭义万小勇罗俊锋高岩王欣平
- 关键词：退火
- 垂直磁记录介质Co-50Fe10Ta5Zr合金高温塑性变形行为研究被引量：1
- 2011年
- 研究了铸造Co-50Fe10Ta5Zr合金在高温的塑性变形行为。结果表明,随加热温度的升高和应变速率的减小,该合金由脆性转变成塑性。当温度为1200℃,两火热轧,应变速率为1.2 s-1时,道次变形量为5%,总变形量为20%的工艺进行热轧制加工,可减少铸造Co-50Fe10Ta5Zr合金的内部缺陷。
- 董亭义罗俊锋万小勇王欣平
- 关键词：热模拟塑性变形热轧
- 真空热压烧结对高纯W-Si合金靶材性能影响被引量：3
- 2014年
- 以高纯W-Si合金粉（〉99．995％）为原料，采用真空热压烧结工艺制备高纯W-Si合金靶材。研究烧结温度、热压压力、保温时间等工艺条件对靶材密度、微观组织性能的影响。结果表明，烧结温度在1350-1380℃，热压压力25～30MPa，保温时间1．5～2h，可制备出相对密度99％以上、平均晶粒尺寸100gm以内的高性能W-Si合金靶材。
- 丁照崇何金江罗俊锋李勇军熊晓东
- 关键词：真空热压烧结
- 钌金属溅射靶材烧结工艺研究被引量：17
- 2012年
- 采用热压、放电等离子烧结及直接热压等粉末冶金工艺制备了钌金属溅射靶材,通过对致密度、晶粒度与氧含量分析研究了工艺过程对钌金属靶材制备的影响,并对比分析了三种方法制备钌靶的特点。结果表明:通过工艺优化利用三种方法均能制备出相对密度达到99%以上的高密度钌靶;随着制备温度的升高,钌靶氧含量降低,晶粒尺寸增大;热压工艺制备周期最长,钌靶表面有晶粒粗大层;放电等离子烧结与直接热压工艺都具有快速、近净成形的特点。
- 罗俊锋丁照崇董亭义何金江王欣平江轩
- 关键词：钌溅射靶材热压烧结放电等离子烧结
- 粉末冶金靶材的制备与应用被引量：6
- 2011年
- 粉末冶金工艺是制备难熔金属、陶瓷和多元合金溅射靶材的重要方法,本文首先对粉末冶金的制备方法进行了总结,并进一步针对靶材的特性分析了粉末冶金制备的控制问题,最后对粉末冶金靶材的主要应用领域进行了阐释。
- 罗俊锋
- 关键词：粉末冶金工艺难熔金属溅射靶材多元合金
- 高纯贵金属靶材在半导体制造中的应用与制备技术
- 高纯Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体PVD工艺制程中的溅射源材料,广泛用于半导体制造工艺中,成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料.本文阐述了高纯贵金属靶材的应用。阐述了高纯...
- 何金江陈明朱晓光罗俊锋尚再艳贺昕熊晓东
- 关键词：半导体
- 文献传递
- 高纯贵金属靶材在半导体制造中的应用与制备技术被引量：25
- 2013年
- 高纯Au、Ag、Pt、Ru贵金属及其合金溅射靶材是半导体PVD工艺制程中的溅射源材料,广泛用于半导体制造工艺中,成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备(金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等)以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点,以实现贵金属靶材产品的高效增值。
- 何金江陈明朱晓光罗俊锋尚再艳贺昕熊晓东
- 关键词：半导体溅射靶材高纯铂钌
- 钌金属溅射靶材烧结工艺研究
- 采用热压、放电等离子烧结及直接热压等热压烧结工艺制备了钌金属溅射靶材，通过对致密度、晶粒度与氧含量分析研究了工艺过程对钌金属靶材制备的影响，并对比分析了三种方法制备钌靶的特点。结果表明：通过工艺优化利用三种方法均能制备出...
- 罗俊锋丁照崇董亭义何金江王欣平江轩
- 关键词：溅射靶材性能表征
- 文献传递
- 热处理对Al-Cu合金电导率的影响被引量：2
- 2011年
- 通过电导率测量、硬度分析和金相组织观察,研究了不同热处理工艺对Al-4.0%Cu(质量分数,下同)合金电导率的影响,分析了析出相、合金硬度和电导率之间的关系。实验结果表明,Al-4.0%Cu合金的电导率主要受基体中Cu固溶度和析出相状态的影响;双级时效处理对电导率和硬度的决定因素主要为二级时效的温度与时间,一级时效后合金的电导率和硬度会随着二级时效发生改变;退火后的Al-4.0%Cu合金于350℃保温24h后,可获得较高的电导率,此时基体中的析出相为细小、弥散的θ相。
- 罗俊锋王欣平万小勇何金江朱晓光江轩
- 关键词：AL-CU合金溅射靶材显微组织电导率
- 钌金属溅射靶材烧结工艺研究
- ＜正＞采用热压、放电等离子烧结及直接热压等烧结工艺制备了钌金属靶材,通过微观结构与氧含量分析对比了三种工艺方法对钌金属靶材制备的影响。结果表明,随着制备温度的升高钌靶晶粒尺寸增大,氧含量降低;通过工艺优化,三种方法均能得...
- 罗俊锋丁照崇王欣平
- 文献传递
