芦秀玲
- 作品数：9 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- InGaAsP/InP 有源时分光子交换器件
- 1998年
- 自行设计并研制成功了两种有源时分光子交换器件：ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＥＭＰＢＨ双稳激光器及ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＭＱＷＤＣＰＢＨ双稳激光器，对这两种器件的部分性能作了简要报道。
- 张权生石志文杜云芦秀玲吴荣汉林世鸣
- 关键词：时分复用光通信激光器
- 低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器被引量：4
- 1992年
- 一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.
- 张权生吴荣汉林世鸣高洪海高文智吕卉韩勤段海龙杜云芦秀玲
- 关键词：双稳激光器INGAASP/INP
- (111)AInP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性
- 2004年
- 为了研究 (111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器 ,利用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)研究了 (111)AInP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)AInP衬底的悬挂键密度比较低 ,在生长过程中有意提高了V/Ш比。通过扫描电子显微镜 (SEM )和光荧光 (PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现 ,表面形貌和光学特性随V/Ш比和温度的变化非常大。最佳V/Ш比和温度分别为 4 0 0和 6 2 5℃。
- 刘瑞东于丽娟芦秀玲黄永箴张福甲
- 关键词：金属有机化学气相淀积表面形貌半导体材料
- SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系被引量：3
- 2000年
- 文章对电阻为负载时 ,硅光电负阻器件 (SPNRD)的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的 7个基本参数 ,并分析了负载电阻 (RL)和电源电压 (V0 )对这些参数的影响 ,理论分析结果与实测结果相一致。所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况。
- 郭维廉郑元芬沙亚男张培宁张世林李树荣郑云光陈弘达林世鸣芦秀玲
- 关键词：硅光电负阻器件
- 硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性
- 2000年
- 在本文中 ,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究 ,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究 .硅光电负阻器件包括有各种类型 ,本文主要对“λ”型双极光电负阻晶体管 (PLBT)
- 郑元芬郭维廉张世林张培宁李树荣郑云光陈弘达吴荣汉林世鸣芦秀玲
- 关键词：硅光电负阻器件
- 1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长
- 2003年
- 采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。
- 于丽娟金潮渊芦秀玲黄永箴
- 关键词：半导体光放大器偏振不灵敏
- InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H^+轰击掩膜研究
- 1993年
- 在InP H^+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H^+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的制备中获得了成功应用。
- 张权生吕卉杜云马朝华吴荣汉高洪海高文智芦秀玲
- 关键词：半导体激光器INGAASP/INP
- (lll)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性
- (Ⅲ)InP衬底的生长工艺受到人们的广泛关注.相比于(100)InP,(Ⅲ)衬底上生长的多重子阱激光器具有更低的阈值电流、更强的量子限制Stark效应和更大的内建压电场引起的非线性效应.
- 刘瑞东于丽娟芦秀玲张福甲黄永箴
- 关键词：金属有机化学气相淀积多量子阱激光器表面形貌光学特性
- 文献传递
- 用MOCVD外延P-InP的掺杂特性
- 本文研究了用MOCVD方法在(100)InP衬底上外延InP,其p掺杂在不同浓度下的扩散问题,发现了扩散长度随浓度的变化关系,还研究了P-InP的掺杂浓度与退火环境的关系,结果显示,在不同的退火环境(AsH<,3>/H<...
- 于丽娟杨辉芦秀玲金潮渊
- 关键词：光电器件半导体材料化学气相沉积磷化铟
- 文献传递
