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杜云

作品数：71 被引量：78H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 45篇期刊文章
  • 16篇专利
  • 8篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 52篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 35篇激光
  • 35篇激光器
  • 16篇探测器
  • 14篇光电
  • 13篇谐振腔
  • 12篇微腔
  • 11篇多量子阱
  • 11篇微腔激光器
  • 11篇半导体
  • 10篇谐振腔增强型
  • 9篇光电探测
  • 9篇光电探测器
  • 8篇面发射
  • 8篇半导体激光
  • 8篇半导体激光器
  • 8篇INGAAS...
  • 8篇波导
  • 7篇调制器
  • 7篇腔面
  • 7篇面发射激光器

机构

  • 71篇中国科学院
  • 3篇北京邮电大学
  • 2篇天津大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇吉林大学

作者

  • 71篇杜云
  • 40篇吴荣汉
  • 27篇黄永箴
  • 20篇陈弘达
  • 19篇杨晓红
  • 16篇梁琨
  • 15篇韩勤
  • 14篇唐君
  • 12篇牛智川
  • 11篇杨跃德
  • 10篇肖金龙
  • 9篇毛陆虹
  • 7篇邓晖
  • 7篇隋少帅
  • 6篇倪海桥
  • 6篇张权生
  • 5篇裴为华
  • 5篇石志文
  • 5篇陈志标
  • 5篇徐应强

传媒

  • 21篇Journa...
  • 6篇光电子．激光
  • 5篇光子学报
  • 4篇激光与光电子...
  • 2篇高技术通讯
  • 2篇第五届全国光...
  • 2篇2014`全...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇天津大学学报
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇中国科学：技...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 5篇2009
  • 5篇2007
  • 4篇2006
  • 5篇2005
  • 8篇2004
  • 5篇2003
  • 4篇2002
  • 4篇2001
  • 4篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1997
共 71 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响被引量：18
1999年
结合垂直腔面发射激光器的制备 ,详细研究了 Al As选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和 Al As薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响 ,给出了合理的定性解释 ,并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件 .在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的 In Ga As垂直腔面发射激光器 .
张益潘钟杜云黄永箴吴荣汉
关键词：砷化铝氧化速率
基于VCSEL的RCE探测器光电响应特性
2002年
对垂直腔面发射激光器 (VCSEL )及由此制成的谐振增强型 (RCE)光电探测器进行分析研究。激光器的 Ith=3m A、ηd=15 %、λp=839nm和 Δλ1 / 2 =0 .3nm;作为探测器 ,光电流谱峰值响应在 839nm,响应谱线半宽 2 .4 nm、具有良好的波长选择特性 ,量子效率 5 %～ 35 % (0 V～ 5 V)。优化设计顶镜反射率 ,还能得到量子效率峰值和半宽优化兼容的 VCSEL基
梁琨陈弘达杜云唐君杨晓红吴荣汉
关键词：垂直腔面发射激光器VCSELRCE光电探测器
InGaAsP/InP 有源时分光子交换器件
1998年
自行设计并研制成功了两种有源时分光子交换器件：ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＥＭＰＢＨ双稳激光器及ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＭＱＷＤＣＰＢＨ双稳激光器，对这两种器件的部分性能作了简要报道。
张权生石志文杜云芦秀玲吴荣汉林世鸣
关键词：时分复用光通信激光器
微光电子集成芯片及其应用被引量：2
2003年
一、引言目前,半导体科学技术在低维结构物理、微腔物理、光学量子器件及电学量子器件、超高速电子器件与集成电路、微光电子集成芯片、微光机电系统(MOEMS)器件等方面的研究与发展,其特征尺寸都已进入深亚微米、十纳米以至纳米量级。所研究对象的低维化和结构的微细化不仅是其性能改善的要求。
陈弘达毛陆虹邓晖唐君杜云吴荣汉
关键词：SEED光子集成光输出倒装焊VCSEL光互连
可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置
本实用新型一种可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置，其特征在于，其组成包括：一承载舟，该承载舟为矩形槽体，在内部底面上刻有多个窄槽；一石英柄，该石英柄与承载舟的一窄侧端连接。本实用新型适用于砷化铝高精度氧化处理，可用于...
佟存柱牛智川韩勤杜云吴荣汉
文献传递
介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成金属限制激光器被引量：1
2014年
硅基键合Ⅲ-Ⅴ材料激光器,作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件,近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制,提高界面反射率和工艺容差,从而实现小体积低能耗硅片上集成光源。对金属限制介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器进行了研究,介绍了该激光器的基本原理和实验方案,并对制作的不同结构激光器的特性进行了分析,该研究工作的开展将有助于实现Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器在低能耗高带宽的硅基光互连中的应用。
杨跃德隋少帅唐明英肖金龙杜云黄永箴
关键词：半导体激光器晶片键合
四波长硅基混合微盘激光器阵列
基于DVS-BCB键合技术制作出了四波长硅基微盘激光器阵列，微盘chl-ch4半径分别为8.36, 8.34, 8.32和8.3μm，硅波导宽度为1.7μn，高为340 nm。相邻两微盘间距约为40μm。根据激光器谐振条...
隋少帅唐明英杜云黄永箴
关键词：性能表征
文献传递
980nm垂直腔型面发射和接收器件及列阵的研制(英文)
2002年
采用相同生长结构的 MOCVD外延片 ,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵 ,发射及接收波长相同 ,由谐振腔模式决定 .采用双氧化电流限制结构 ,优化串联电阻 ,提高电光转换效率 ,制备 980 nm波段发光器件及 1× 16列阵芯片 ,发射谱线半宽≤ 4 .8nm,注入电流为 5 0 m A时 ,发射功率为 0 .7m W.对列阵芯片用探针进行在线检测 ,器件均有良好的发光特性 .接收器件光电响应具有良好的波长和空间选择特性 ,谐振接收波长可利用不同角度光入射实现简单易行的调节 .通过腐蚀器件顶部 DBR的方法调节入射镜反射率 ,可以分别实现具有单片集成结构的谐振增强型发射和接收器件的优化设计 .
梁琨陈弘达杜云唐君杨晓红吴荣汉
关键词：面发射列阵光互连谐振腔增强型光子器件单片集成
基于两端口微腔激光器空间干涉的光学生物传感器
一种基于两端口微腔激光器空间干涉的光学生物传感器，包括：一微腔激光器，该微腔激光器为室温电注入激光器，输出的激光具有较高的边模抑制比，具有好的单模特性；一第一输出端口和第二输出端口，该第一输出端口和第二输出端口直接连接在...
林建东黄永箴杨跃德肖金龙姚齐峰吕晓萌杜云
硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制被引量：2
2007年
采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导边发射激光器.室温连续工作的1.55μm激光器阈值电流为48mA,对应的阈值电流密度和微分电阻分别为2.13kA/cm2和5.8Ω,在约220mA时输出光功率达15mW.
于丽娟赵洪泉杜云李敬黄永箴
关键词：直接键合
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