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范涛

作品数：41 被引量：13H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇专利
  • 12篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇矿业工程
  • 1篇农业科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 11篇芯片
  • 7篇带隙基准
  • 7篇基准电压
  • 7篇基准电压源
  • 6篇带隙基准电压
  • 6篇带隙基准电压...
  • 6篇电路
  • 6篇CMOS带隙
  • 6篇CMOS带隙...
  • 6篇CMOS带隙...
  • 5篇电流
  • 5篇微流控
  • 4篇溶剂残留
  • 4篇热塑性
  • 4篇微通道
  • 4篇键合
  • 4篇功耗
  • 4篇核酸
  • 4篇参考电压
  • 4篇参考电压源

机构

  • 41篇中国科学院微...
  • 3篇北京中科微电...

作者

  • 41篇范涛
  • 18篇李超波
  • 18篇袁国顺
  • 18篇解婧
  • 13篇刘金虎
  • 10篇黄强
  • 9篇彭杰
  • 9篇张峥
  • 6篇杜波
  • 2篇代向明

传媒

  • 4篇微计算机信息
  • 2篇半导体技术
  • 2篇微电子学与计...
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇南开大学学报...
  • 1篇科学技术与工...

年份

  • 9篇2024
  • 1篇2023
  • 7篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 8篇2010
  • 7篇2009
  • 1篇2008
共 41 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种USB信号转换接口电路
本发明公开了一种USB信号转换接口电路，包括：上拉场效应晶体管(M7)、下拉场效应晶体管(M2)、第三开关场效应晶体管(M3)、第四开关场效应晶体管(M4)、第五开关场效应晶体管(M5)、第六开关场效应晶体管(M6)、第...
范涛杜波袁国顺
核酸扩增芯片及其制备方法、核酸扩增装置
本发明公开了一种核酸扩增芯片及其制备方法、核酸扩增装置，该核酸扩增芯片包括：微流控结构和控温单元。其中，微流控结构包括进样通道、扩增流道以及出样通道，进样通道、扩增流道以及出样通道依次连通。控温单元设置在微流控结构上，用...
解婧孙大鹏刘金虎范涛王欢邢建鹏李超波
一种温压复合传感器的制作方法
本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种温压复合传感器的制作方法，包括：形成压力敏感结构，包括：在第一衬底正面形成压阻结构，在第二衬底背面形成背腔结构；在压组结构上形成金属电极；形成温度敏感结构，具体包括：在第二衬底上...
解婧李超波林琳范涛王迪远雁刘瑞琪
文献传递
互补型CMOS基准电压源
本发明公开了一种互补型CMOS基准电压源，属于电源及微电子技术领域。所述CMOS基准电压源包括：参考电流产生电路，用于产生参考电流；NMOS管补偿产生电路，用于复制参考电流作为漏电流，产生与温度成反比例变化的栅源电压；P...
范涛袁国顺
文献传递
一种纳米线传感器及其制备方法
本发明公开了一种纳米线传感器及其制备方法。该纳米线传感器，包括：衬底；传感元件，位于所述衬底的表面，所述传感元件包括若干纳米线传感单元。本发明中的纳米线传感单元在衬底上形成了若干个传感区域，每个纳米线传感单元均能够独立感...
解婧宋宏岩邢建鹏王欢范涛刘金虎李超波
微流体芯片
本申请实施例提供了一种微流体芯片，包括：流体反应单元，流体反应单元包括进样端和出样端；进样管道，连通于流体反应单元的进样端；出样管道，连通于流体反应单元的出样端；第一气管，连通于进样管道；第二气管，连通于出样管道。该微流...
刘金虎李超波范涛解婧邢建鹏王欢
一种微流控芯片
本发明属于微流控技术领域，公开了一种微流控芯片，包括：芯片主体、气动控制接头以及第一双面胶结密封垫；所述气动控制接头为不锈钢材质，所述气动控制接头固定在所述芯片主体上并通过按方阵排列的进气口与所述芯片主体的接口相连通；所...
范涛解婧宋宏岩邢建鹏王欢李超波
一种提高金属微电铸均匀性的方法
本说明书实施例提供了一种提高金属微电铸均匀性的方法，方法包括：基于光刻技术，根据基底上阴极的位置，在电流密度不均匀区域，制备辅助阴极；所述辅助阴极为环形，环绕所述阴极设置，且覆盖所述电流密度不均匀区域，所述电流密度不均匀...
王欢解婧 邢建鹏范涛刘金虎李超波
一种USB信号转换接口电路
本发明公开了一种USB信号转换接口电路，包括：上拉场效应晶体管(M7)、下拉场效应晶体管(M2)、第三开关场效应晶体管(M3)、第四开关场效应晶体管(M4)、第五开关场效应晶体管(M5)、第六开关场效应晶体管(M6)、第...
范涛杜波袁国顺
文献传递
数字可编程的宽电压范围比较器
2008年
提出的比较器采用基准电压源产生2.5 V的电压,用电阻串并结合数字译码器和模拟开关通过控制码可以产生参考电压范围从0.039～4.922 V的64个等级的比较器参考电压,利用PMOS差分对管和NMOS差分对管同时作为输入实现轨到轨的放大器作为预放大级,级联迟滞比较器实现电压比较。采用CSMC的0.5μm工艺流片,测试结果显示,比较器可以通过数字编程在地电压到电源电压的范围内实现电压比较。
范涛张峥袁国顺彭杰黄强
关键词：比较器轨到轨
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