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蒋昊天

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省重点科技创新团队项目浙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电致发光
  • 2篇异质结
  • 2篇发光
  • 2篇SNO2
  • 1篇异质结器件
  • 1篇光强
  • 1篇光强度
  • 1篇硅基
  • 1篇发光强度
  • 1篇盖层
  • 1篇SI异质结
  • 1篇SNO2薄膜
  • 1篇P

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇蒋昊天
  • 1篇杨德仁
  • 1篇杨扬
  • 1篇马向阳
  • 1篇朱辰

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
硅基SnO2异质结器件的电致发光及其增强策略的研究
SnO2是直接禁带半导体且具有相当高的室温激子束缚能(～130 meV)，然而由于其双极子-束缚特性，几乎不能产生带间复合发光。在此情况下，利用SnO2缺陷态产生电致发光近年来引起人们的研究兴趣。本文制备了SnO2/p+...
蒋昊天
关键词：异质结电致发光SNO2薄膜
SnO_2/p^+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO_2盖层提高发光强度被引量：1
2014年
通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800℃热处理形成SnO2/p+-Si异质结.基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱动下电致发光.进一步地,通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层,使器件的电致发光获得显著增强.这是由于TiO2盖层的引入,一方面使SnO2薄膜更加致密,减少了非辐射复合中心;另一方面TiO2较大的折射率和合适的厚度使SnO2薄膜电致发光的出光效率得到提高.
蒋昊天杨扬汪粲星朱辰马向阳杨德仁
关键词：SNO2电致发光
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共1页<1>
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