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杨扬

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金：浙江省重点科技创新团队项目浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电致发光
  • 1篇异质结
  • 1篇光强
  • 1篇光强度
  • 1篇发光
  • 1篇发光强度
  • 1篇盖层
  • 1篇SI异质结
  • 1篇SNO2
  • 1篇P

机构

  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇蒋昊天
  • 1篇杨德仁
  • 1篇杨扬
  • 1篇马向阳
  • 1篇朱辰

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SnO_2/p^+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO_2盖层提高发光强度被引量：1
2014年
通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800℃热处理形成SnO2/p+-Si异质结.基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱动下电致发光.进一步地,通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层,使器件的电致发光获得显著增强.这是由于TiO2盖层的引入,一方面使SnO2薄膜更加致密,减少了非辐射复合中心;另一方面TiO2较大的折射率和合适的厚度使SnO2薄膜电致发光的出光效率得到提高.
蒋昊天杨扬汪粲星朱辰马向阳杨德仁
关键词：SNO2电致发光
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共1页<1>
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