蓝镇立
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京交通大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- P-MBE法生长ZnO薄膜及其结构和光学特性的研究
- 紫外探测器、传感器、短波长发光和激光二极管等光电子器件，在光通讯、光存储、显示等领域具有广泛的应用前景。而ZnO等宽禁带半导体材料是非常有希望的侯选材料，因此ZnO的研究已经成为国内外研究的热点。然而ZnO系列光电子器件...
- 蓝镇立
- 关键词：ZNO薄膜RAMAN散射宽禁带半导体材料
- 文献传递
- MBE生长ZnO薄膜的结构和光学特性的研究被引量：5
- 2008年
- 用等离子体源辅助分子束外延(P-MBE)方法在蓝宝石(0001)面上生长出了高质量的ZnO薄膜,并对其结构和发光特性进行了研究。在XRD中只观察到ZnO薄膜的(0002)衍射峰,其半高宽(FWHM)值为0.18°;而在共振Raman散射光谱中观测到1LO(579cm-1)和2LO(1152cm-1)两个峰位,这些结果表明ZnO薄膜具有单一c轴取向和高质量的纤维锌矿晶体结构。在吸收光谱中观测到自由激子吸收和激子-LO声子吸收峰,这表明在ZnO薄膜中激子稳定的存在于室温,并且两峰之间能量间隔为71.2meV,与文献上报道的ZnO纵向光学声子能量(71meV)相符。室温下在光致发光光谱(PL)中仅观测到位于376nm处的自由激子发光峰,而没有观测到与缺陷相关的深能级发射峰,表明ZnO薄膜具有较高的质量和低的缺陷密度。
- 蓝镇立张希清杨广武孙建刘凤娟黄海琴张蕊殷鹏刚郭林宋宇晨
- 关键词：ZNO薄膜光致发光RAMAN散射
- 以ZnO为空穴缓冲层的高效率有机电致发光器件被引量：1
- 2007年
- 研制了在传统双层有机电致发光器件(OLED)ITO/NPB/AlQ/Al的阳极与空穴传输层间加入ZnO缓冲层的新型器件。研究了加入缓冲层后对OLED性能的影响,并比较了新型与传统OLED的性能,结果表明,新型器件比传统器件的耐压能力有了显著提高;当电压达到7V时,发光效率提高了35%。分析认为,ZnO缓冲层的加入,改善了界面,减少了漏电流,并且阻碍了空穴的注入,有利于改善空穴和电子的注入平衡,提高复合效率。
- 姚辉张希清蓝镇立宋宇晨王永生
- 关键词：发光效率
