谭刚
- 作品数：32 被引量：29H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金中国工程物理研究院电子工程研究所科技创新基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学一般工业技术更多>>
- 影响φ60mm探测器成品率因素分析及改进措施
- PIN系列半导体辐射探测器是我院有关试验中用于核辐射探测的重要产品,规格型号为φ60mm的PIN探测器是其中的一种,由于灵敏面积较大,在研制生产过程中,硅片腐蚀厚度控制、离子注入均匀性控制难度大,受污染概率增加,导致静态...
- 谭刚罗剑波
- 关键词：生产工艺成品率
- 文献传递
- 高浓度硼扩散硅片CMP工艺研究
- 2009年
- "叉指式微加速度计"的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,很难将其去除,不能在高浓度硼扩散层上制作更好的"叉指式微加速度计"结构。针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,选择合适的研磨料和抛光料以及研磨盘和抛光盘,通过对浆料浓度、流量大小、抛光温度进行改进,优化研磨抛光工艺流程及工艺参数,以完成高浓度硼扩散硅片的表面平坦化。
- 谭刚吴嘉丽唐海林
- 关键词：化学机械抛光平坦化
- 硅衬底的化学机械抛光工艺研究
- 在分析硅衬底CMP的动力学过程基础上,提出了在机械抛光去除产物过程中,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程,从而提高抛光效率.在对不同粒径分散度的氧化铈抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械抛光过...
- 谭刚吴嘉丽
- 关键词：硅衬底化学机械抛光动力学过程
- 文献传递网络资源链接
- SiH_2CL_2-NH_3-N_2体系LPCVD Si_3N_4薄膜因素分析被引量：1
- 2005年
- 以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si3N4薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增大,随着原料气中氨气和二氯甲硅烷的流量之比的增大单调减小。随着反应温度的升高,淀积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。在适当的工艺条件下,制备的Si3N4薄膜均匀、平整。较低的薄膜淀积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度。
- 谭刚吴嘉丽
- 关键词：LPCVD氮化硅薄膜淀积速率
- SiH2Cl2-NH3-N2体系热壁LPCVD Si3N4膜工艺研究
- 2004年
- 介绍了利用SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD制备Si3N4薄膜的工艺,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的厚度及折射率.结果表明:当原料气中氨气与二氯甲硅烷的流量之比(R)较小时(R≤2),获得富Si的Si3N4薄膜,折射率较高.当氨气远远过量时(R＞4),折射率处于1.95～2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的Si3N4薄膜表面均匀、平整,折射率达到理想值.
- 谭刚吴嘉丽
- 关键词：LPCVD氮化硅薄膜折射率
- 低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究被引量：3
- 2006年
- 在研制器件过程中,多晶硅制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了低压化学气相淀积(LPCVD)关键材料多晶硅薄膜的基本原理,考察了工作压力、反应温度等对多晶硅薄膜淀积速率的影响,以及影响多晶硅薄膜质量的因素,提出了改进措施,优化了多晶硅制备工艺参数,制备了合格的多晶硅薄膜。
- 谭刚吴嘉丽李仁锋
- 关键词：低压化学气相淀积多晶硅薄膜淀积速率
- 硅衬底的化学机械抛光工艺研究
- 在分析硅衬底CMP的动力学过程基础上,提出了在机械抛光去除产物过程中,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程,从而提高抛光效率。在对不同粒径分散度的氧化铈抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械抛光过...
- 谭刚吴嘉丽
- 关键词：硅衬底动力学过程
- 文献传递
- 高浓度硼扩散硅片CMP工艺研究
- “叉指式微加速度计”的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,很难将其去除,不能在高浓度硼扩散层上制作更好的“叉指式微加速度计”结构。针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,选...
- 谭刚吴嘉丽唐海林
- 关键词：微加速度计
- 文献传递
- LPCVD多晶硅薄膜成膜质量分析与控制
- 介绍了低压化学气相淀积多晶硅薄膜的制备原理与工艺,对多晶硅成膜质量进行了详细的分析,分析多晶硅薄膜片內均匀性、片间均匀性、局部发雾和整体发雾、氧沾污产生的具体原因,并分别给出了避免这些不利因素的控制措施。优化工艺参数,制...
- 谭刚李仁锋
- 关键词：低压化学气相淀积多晶硅薄膜均匀性
- 文献传递
- 硅晶圆CMP抛光速率影响因素分析
- 化学机械抛光（CMP）技术是半导体工艺中不可缺少的重要工艺。针对硅晶圆 CMP 平坦性问题,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响,从中找到它们之间的优化参数,减少 CMP 工艺中的表面...
- 谭刚
- 关键词：单晶硅化学机械抛光平坦化
- 文献传递
