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赵清太

作品数：34 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 13篇晶体管
  • 13篇衬底
  • 12篇生物传感
  • 12篇生物传感器
  • 12篇沟道
  • 12篇感器
  • 12篇传感
  • 12篇传感器
  • 11篇衬底材料
  • 10篇SUB
  • 8篇金属硅化物
  • 8篇硅化物
  • 8篇场效应
  • 7篇纳米
  • 7篇绝缘
  • 7篇绝缘体
  • 7篇场效应晶体管
  • 6篇图形化
  • 6篇纳米线
  • 6篇背栅

机构

  • 34篇中国科学院
  • 1篇于利希研究中...

作者

  • 34篇赵清太
  • 26篇俞文杰
  • 25篇王曦
  • 16篇狄增峰
  • 16篇张苗
  • 14篇刘畅
  • 13篇张波
  • 5篇文娇
  • 3篇李铁
  • 3篇高安然
  • 3篇王跃林
  • 2篇叶林
  • 2篇薛忠营
  • 2篇侯春雷
  • 1篇刘强

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 8篇2015
  • 8篇2014
  • 6篇2013
  • 1篇2012
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过退火工艺使Ni层与Si衬底反应生成NiSi<Sub>2</Sub>，...
俞文杰张波赵清太狄增峰张苗王曦
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一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明提供一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法至少包括步骤：提供一SGOI衬底，包括埋氧层和P型重掺杂SiGe；在所述P型重掺杂SiGe依次沉积形成硅层和N型重掺杂SiGe；利用光刻和刻蚀技术刻蚀所述...
赵清太俞文杰刘畅王曦
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基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法
本发明提供一种基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一SOI衬底，所述SOI衬底绝缘层的厚度为20nm~40nm；2）制作器件区域；3）形成源区及漏区及沟道区；4）于所...
刘畅俞文杰文娇赵清太王曦
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基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法
本发明提供一种基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法，所述CMOS器件包括：PMOS器件，包括硅衬底、埋氧层、应变硅层、SiGe层以及应变硅盖帽层，形成于所述SiGe层中的SiGe沟道、形成于所述S...
文娇刘强刘畅俞文杰赵清太王曦
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一种绝缘体上Si/NiSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
本发明提供一种绝缘体上Si/NiSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi<Sub>2</Sub>，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅...
俞文杰张波赵清太狄增峰张苗王曦
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利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法
本发明提供一种利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法，该方法通过将图形化和锗浓缩的方法相结合，获得一种保证产量和质量的SiGe和Ge纳米线的可控生长。本发明可以获得均匀而笔直的Ge或SiGe纳米线阵列，并且通过对氧...
狄增峰叶林赵清太张苗
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一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Co层，然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi<Sub>2</Sub>，通过...
张波俞文杰赵清太狄增峰张苗王曦
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一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法
本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述方法包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。所述步骤一中制备硅...
俞文杰刘畅赵清太王曦
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一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法
本发明提供一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：步骤一、制备垂直结构的隧穿场效应晶体管作为转换器，所述隧穿场效应晶体管中的沟道悬空，所述沟道与源极、漏极形成垂直结构；步骤...
赵清太俞文杰刘畅王曦
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一种绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
本发明提供一种绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过Co与Si衬底两次反应生成CoSi<Sub>2</Sub>，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间插...
张波俞文杰赵清太狄增峰张苗王曦
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