赵联波
- 作品数：23 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- H_2流量对直流磁控溅射低温沉积ZnO:Al薄膜结构与性能的影响
- 2013年
- 在Ar和H2的混合气氛下采用直流磁控溅射在玻璃衬底上低温沉积Al掺杂ZnO,即ZnO∶Al透明导电薄膜,研究H2流量(0～10sccm)对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。结果表明:不同H2流量下制备的ZnO∶Al薄膜均为高度C轴取向的六角纤锌矿结构,溅射过程中通入适量的H2能改善ZnO∶Al薄膜的结晶质量和表面形貌;所有薄膜在400～900nm范围内的平均透过率均高于85%;随着H2流量的增大,薄膜的载流子浓度升高,电阻率减小,达到10-4Ω.cm数量级。
- 赵联波赖延清刘芳洋张坤邹忠李劼刘业翔
- 关键词：ZNO磁控溅射电阻率透过率
- 一种光伏材料及其制备方法
- 本发明涉及一种光伏材料及其制备方法；特别涉及一种硒硫化锑薄膜材料及其制备方法，属于新能源材料制备技术领域。本发明所述光伏材料的化学式为Sb<Sub>2</Sub>(S<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub...
- 刘芳洋高春晖蒋良兴赵联波曾芳琴
- 文献传递
- 一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法
- 本发明公开了本发明涉及一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法，属于新能源材料技术领域。本发明在太阳能电池基底上通过反应溅射的方法制备预制层铜铟镓硫，在一定条件下进行硒化退火，得到铜铟镓硫硒薄膜材料。该方法通过反应溅射制备铜铟镓...
- 刘芳洋高春晖蒋良兴赵联波曾芳琴
- 文献传递
- 一种锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池光吸收层的表面处理方法
- 本发明公开了一种锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池光吸收层的表面处理方法，该方法是将光吸收层(Cu<Sub>1‑a</Sub>Ag<Sub>a</Sub>)<Sub>2</Sub>(Zn<Sub>1‑b</Sub>Cd<Sub>...
- 刘芳洋高春晖蒋良兴秦勤杨佳赵联波
- 文献传递
- Zn靶与掺铝ZnO靶共溅射制备ZnO:Al薄膜及其性能被引量：3
- 2012年
- 采用Zn靶和ZnO(掺2%Al2O3(质量分数))陶瓷靶在玻璃衬底上共溅射沉积Al掺杂ZnO薄膜,即ZnO:Al透明导电薄膜,研究Zn靶溅射功率(0～90 W)和衬底温度(室温、100℃和200℃)对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。结果表明:按双靶共溅射工艺制备的ZnO:Al薄膜的晶体结构均为六角纤锌矿结构,且随着Zn靶溅射功率的增加,薄膜的结晶质量呈现出先改善后变差的规律,薄膜中的载流子浓度逐渐升高,电阻率逐渐降低,而薄膜的光学性能受其影响不大;随着衬底温度的升高,薄膜的结晶性能得到改善,薄膜的可见光透过率增强,电阻率降低。
- 赵联波刘芳洋邹忠张治安欧阳紫靛赖延清李劼刘业翔
- 关键词：ZNO:AL薄膜磁控溅射衬底温度光电性能
- 制备铜锌锡硫纳米粒子的方法
- 本发明公开了一种制备铜锌锡硫纳米粒子的方法，该方法是将铜盐、锌盐和锡盐在络合剂的存在下溶于水，得到混合金属盐溶液；将所得混合金属盐溶液和碱溶液同时加入到含分散剂的底液中搅拌反应，直到底液中沉淀完全，过滤分离，得到铜锌锡复...
- 赖延清王庆龙蒋良兴唐定赵联波秦勤杨佳刘芳洋李劼刘业翔
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- 一种柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构
- 本发明公开了一种柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构，由下至上依次为柔性基底、铜基硫属半导体薄膜吸收层、缓冲层和窗口层，其中，窗口层是由石墨烯层和通过掺杂、加氢、光刻或边缘修饰改性处理的改性石墨烯层组成的复合层；该柔...
- 赖延清杨佳蒋妍张坤赵联波蒋良兴李劼刘业翔刘芳洋
- 文献传递
- 一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法
- 本发明公开了一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法，该方法是先在导电基体上镀一层Se或S薄膜，再将镀有Se或S薄膜的导电基体置于含有铟离子、镓离子、硒离子、铜离子中的至少两种和光电子释放剂的溶液体系中，进行光化学沉积，...
- 李劼秦勤刘芳洋赖延清杨佳赵联波张坤王庆龙
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- 双靶共溅射Cu-Sb合金预制层后硫化法制备CuSbS_2光伏薄膜及其性能被引量：1
- 2015年
- 采用双靶共溅射Cu-Sb合金预制层后硫化法制备铜锑硫(Cu Sb S2)薄膜,研究溅射功率对合金成分的影响,并采用X线能量色散谱(EDS)、扫描电镜(SEM)、X线衍射(XRD)和紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)等对硫化后薄膜进行表征,同时制备Cu Sb S2太阳能电池器件并对其输出特性进行表征和分析。研究结果表明:三元Cu Sb S2相由预制层中金属被硫化生成的二元硫化物Cu S和Sb2S3相互反应形成。在400℃下硫化退火可制得结晶良好、表面致密的Cu Sb S2薄膜,其带隙宽度为1.46 e V,并在可见光区具有大于5×104 cm-1的光吸收系数。制作的glass/Mo/Cu Sb S2/Cd S/i-Zn O/Al-doped Zn O/Ag薄膜太阳能电池器件在太阳总辐照度为100 m W/cm2下测试,获得的开路电压和短路电流密度分别达150 m V和1.29 m A/cm2。
- 杨佳赵联波张坤陈志伟秦勤刘芳洋蒋良兴赖延清李劼刘业翔
- 关键词：磁控溅射硫化温度光学性质
- 一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法
- 本发明公开了本发明涉及一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法，属于新能源材料技术领域。本发明在太阳能电池基底上通过反应溅射的方法制备预制层铜铟镓硫，在一定条件下进行硒化退火，得到铜铟镓硫硒薄膜材料。该方法通过反应溅射制备铜铟镓...
- 刘芳洋高春晖蒋良兴赵联波曾芳琴
