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连文泰

作品数：19 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 5篇自动化与计算...

主题

  • 14篇存储器
  • 6篇电阻
  • 6篇细丝
  • 5篇电极
  • 5篇非挥发性
  • 3篇导电
  • 3篇纳米
  • 3篇晶体管
  • 3篇挥发性
  • 3篇集中性
  • 3篇非易失性
  • 3篇复位
  • 3篇半导体存储
  • 3篇半导体存储器
  • 2篇电流
  • 2篇纳米电极
  • 2篇局域
  • 2篇均一性
  • 2篇兼容性
  • 2篇编程

机构

  • 19篇中国科学院微...
  • 1篇兰州大学

作者

  • 19篇连文泰
  • 19篇刘琦
  • 19篇龙世兵
  • 19篇刘明
  • 14篇张森
  • 14篇吕杭炳
  • 14篇王艳
  • 11篇李颖弢
  • 5篇谢常青
  • 4篇张康玮
  • 4篇王明
  • 3篇张满红
  • 3篇余兆安
  • 3篇刘璟
  • 3篇李冬梅
  • 3篇霍宗亮
  • 3篇李颖涛
  • 2篇王艳花
  • 2篇牛洁斌
  • 1篇杨建红

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 12篇2012
  • 1篇2011
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法
本发明涉及一种基于TiO<Sub>x</Sub>结构的忆阻器及其制备方法。所述基于TiO<Sub>x</Sub>的忆阻器包括上电极和下电极，所述上电极和下电极之间设有TiO<Sub>x</Sub>存储介质层。本发明解决了...
刘明李颖弢龙世兵刘琦张森王艳连文泰
阻变存储单元的编程方法
本发明公开了一种阻变存储单元的编程方法。该方法包括：施加置位信号于阻变存储单元，在阻变存储单元上电极和下电极之间形成导电细丝，阻变存储单元转变为低阻态；施加复位信号于阻变存储单元，使导电细丝部分溶解，阻变存储单元由低阻态...
刘明连文泰龙世兵吕杭炳刘琦谢常青
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阻变存储器及其制造方法
一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：下电极；下电极之上的局部控制电极；下电极和局部控制电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过下电极上的局部控制电极，增强了存储介质内的局域电场强度，使导电细丝更容易沿着...
刘琦刘明龙世兵吕杭炳张森李颖涛王艳连文泰谢常青
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阻变存储器及其制造方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存...
龙世兵刘明刘琦吕杭炳牛洁斌王艳花李颖弢张森王艳连文泰张康玮王明张满红霍宗亮谢常青刘璟余兆安李冬梅
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提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法
公开了一种提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法包括施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到该电阻表示电阻转变存储器的置位态；以及施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到该电阻表示电阻转变存储器的复位态。根据本发明提...
刘明连文泰龙世兵吕杭炳刘琦
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编程电阻存储单元的方法和装置
本发明公开了一种编程电阻存储单元的方法和装置。该方法包括：采用第一编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作；检测采用第一编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作是否成功；以及在对电阻存储单元编程失败的情况下，采用第二编程脉冲对电阻存...
刘明连文泰龙世兵刘琦李颖弢张森王艳
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阻变型随机存储单元、存储器及制备方法
本发明公开了一种阻变型随机存储单元、存储器及制备方法。本发明阻变型随机存储单元中，在导电电极表面制备具有圆锥形状的控制电极层，这种突出结构具有增强功能层中的局域电场强度的作用，这种局域集中的强电场效应有利于导电细丝的形成...
刘琦刘明龙世兵吕杭炳张森李颖涛王艳连文泰
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电阻转变存储器阵列及对其进行存储操作的方法
本发明公开了一种电阻转变存储器阵列，包括：多条字线、多条位线、以及多个电阻转换存储单元，每个电阻转换存储单元位于一条字线和一条位线的交叉区；每个电阻转变存储单元包括一个电阻转变存储器件和一个选通器件，在电阻转变存储器件的...
刘明连文泰龙世兵刘琦吕杭炳谢常青
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阻变存储器及其制造方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存...
龙世兵刘明刘琦吕杭炳牛洁斌王艳花李颖弢张森王艳连文泰张康玮王明张满红霍宗亮谢常青刘璟余兆安李冬梅
一种电阻转变型存储器的制造方法
本发明公开了一种电阻转变型存储器器件的制造方法，所述方法包括：形成下导电电极；在所述下导电电极上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成上导电电极；对所述器件进行辐照。通过辐照工艺对绝缘材料层优化，辐照工艺后的电阻转变型存储器器件...
刘明王艳龙世兵吕杭炳刘琦李颖涛张森连文泰
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共2页<12>
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