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邓爱枝

作品数:5 被引量:6H指数:1
供职机构:贵州大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金教育部“优秀青年教师资助计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇基准电压
  • 2篇基准电压源
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低漂移
  • 1篇电流
  • 1篇电压
  • 1篇电压比较器
  • 1篇电压源
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇调制器
  • 1篇信号
  • 1篇抑制比
  • 1篇运算放大器
  • 1篇漂移
  • 1篇曲率补偿
  • 1篇全差分

机构

  • 3篇贵州大学
  • 2篇贵州省微纳电...
  • 1篇贵州省光电子...

作者

  • 4篇邓爱枝
  • 3篇吴宗桂
  • 2篇傅兴华
  • 1篇杨发顺
  • 1篇秦水介
  • 1篇丁召
  • 1篇马奎

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇现代显示
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 4篇2009
5 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
适用于高阶∑△调制器的全差分运算放大器的设计被引量:1
2009年
比较了增益自举式共源共栅、折叠式共源共栅和套筒式A/A类三种常用的运算放大器结构,提出了一种可用于各种高阶∑△调制器的全差分运算放大器。采用SIMC0.35μm标准CMOS工艺,完成了含共模反馈电路的全差分套筒式运算跨导放大器的设计。仿真结果表明放大器的直流增益为84.5dB,单位增益带宽为199MHz,相位裕度为51°,电路工作可靠,性能优良。
邓爱枝吴宗桂傅兴华
关键词:运算放大器CMOS∑△调制器
一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源被引量:3
2009年
根据带隙基准电压源理论,在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上,采用曲率补偿技术,对一阶温度补偿电路进行高阶补偿,获得了一种结构简单,电源抑制比和温度系数等性能都较好的带隙电压基准源。该电路采用CSMC0.5μm标准CMOS工艺实现,用Spectre进行仿真。结果表明,在3.3V电源电压下,在-30℃~125℃范围内,温度系数为3.2×10^-6/℃;在27℃下,10Hz时电源抑制比(PSRR)高达118dB,1kHz时(PSRR)达至086dB。
吴宗桂邓爱枝秦水介杨发顺
关键词:带隙基准源温度系数电源抑制比曲率补偿
高精度低漂移集成电压源研究
基准电压源广泛应用于各种模拟集成电路、数模混合信号集成电路和系统集成芯片(SOC)中,是集成电路中一个重要的单元模块,也是各种传感器,A/D,D/A转换器以及通信电路中的基本元件。它的温度稳定性和电源电压抑制比是影响整个...
邓爱枝
关键词:基准电压源温度补偿
文献传递
高性能CMOS集成电压比较器设计被引量:1
2009年
比较器可以比较一个模拟信号和参考信号,并且输出比较得到的二进制信号。为了设计一个高速度、高精度的比较器,采用预放大锁存比较电路结构,并加以改进。在Cadence环境下基于CSMC 0.5μm CMOS工艺完成比较器的电路设计、版图设计和版图验证。仿真得到比较器的增益为85.588 4 dB,带宽为60.546 7 MHz,上升延时为5.723 74 ns,下降延时为5.429 17 ns,输入失调电压为640.17μV。它适用于高速A/D等领域的应用。
马奎丁召吴宗桂邓爱枝傅兴华
关键词:比较器模拟信号
共1页<1>
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