吴宗桂
- 作品数：6 被引量：7H指数：1
- 供职机构：贵州大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种适用于LDO的三级误差放大器的设计被引量：1
- 2010年
- 为了促进LDO在低电源电压环境中的应用，提高其稳定性，在此采用SMIC0．35um，N阱CMOS工艺，设计并实现了适用于LDO内部误差放大器的一种单密勒电容频率补偿的三级CMOS运算放大器。仿真结果表明该运算放大器的工作电压范围宽（2．5～6．5V），静态电流小，开环电压增益为112．16dB，相位裕度为89．03°，增益带宽积为6．04MHz，共模抑制比为89．3dB，电源抑制比为104．8dB。
- 李盛林刘桥吴宗桂
- 关键词：LDO共模抑制比电源抑制比
- 一种新型的高电源抑制比带隙基准源的设计
- 2010年
- 利用有源PMOS负载反相器组成电压减法器,将电源噪声引入运放反馈,得到了一种高电源抑制比的基准电压源。对基准源的低频电源噪声抑制进行了推导和分析。仿真结果表明,在3 V电源电压下,在-40-85℃范围内,温度系数低于1.976 ppm/℃;在27℃下,1 KHz时,电源抑制比达88 dB.
- 牛宗超杨发顺吴宗桂丁召张正平
- 关键词：带隙基准源温度系数电源抑制
- 适用于高阶∑△调制器的全差分运算放大器的设计被引量：1
- 2009年
- 比较了增益自举式共源共栅、折叠式共源共栅和套筒式A/A类三种常用的运算放大器结构,提出了一种可用于各种高阶∑△调制器的全差分运算放大器。采用SIMC0.35μm标准CMOS工艺,完成了含共模反馈电路的全差分套筒式运算跨导放大器的设计。仿真结果表明放大器的直流增益为84.5dB,单位增益带宽为199MHz,相位裕度为51°,电路工作可靠,性能优良。
- 邓爱枝吴宗桂傅兴华
- 关键词：运算放大器CMOS∑△调制器
- 一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源被引量：3
- 2009年
- 根据带隙基准电压源理论，在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上，采用曲率补偿技术，对一阶温度补偿电路进行高阶补偿，获得了一种结构简单，电源抑制比和温度系数等性能都较好的带隙电压基准源。该电路采用CSMC0．5μm标准CMOS工艺实现，用Spectre进行仿真。结果表明，在3．3V电源电压下，在-30℃～125℃范围内，温度系数为3．2×10^-6／℃；在27℃下，10Hz时电源抑制比（PSRR）高达118dB，1kHz时（PSRR）达至086dB。
- 吴宗桂邓爱枝秦水介杨发顺
- 关键词：带隙基准源温度系数电源抑制比曲率补偿
- 高性能CMOS集成电压比较器设计被引量：1
- 2009年
- 比较器可以比较一个模拟信号和参考信号,并且输出比较得到的二进制信号。为了设计一个高速度、高精度的比较器,采用预放大锁存比较电路结构,并加以改进。在Cadence环境下基于CSMC 0.5μm CMOS工艺完成比较器的电路设计、版图设计和版图验证。仿真得到比较器的增益为85.588 4 dB,带宽为60.546 7 MHz,上升延时为5.723 74 ns,下降延时为5.429 17 ns,输入失调电压为640.17μV。它适用于高速A/D等领域的应用。
- 马奎丁召吴宗桂邓爱枝傅兴华
- 关键词：比较器模拟信号
