陈加和
- 作品数：13 被引量：3H指数：1
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种具有内吸杂功能的掺碳硅片的制备方法
- 本发明的具有内吸杂功能的掺碳硅片，其氧浓度为5～15×10<Sup>17</Sup>cm<Sup>-3</Sup>，碳浓度为5～30×10<Sup>16</Sup>cm<Sup>-3</Sup>。制备步骤如下：1)采用直...
- 杨德仁陈加和马向阳阙端麟
- 文献传递
- 掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构制备工艺
- 本发明公开的掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构制备工艺，是将初始氧浓度为0.5×10<Sup>18</Sup>cm<Sup>-3</Sup>-5×10<Sup>18</Sup>cm<Sup>-3</Sup>，锗浓度为0....
- 杨德仁林丽霞陈加和马向阳
- 文献传递
- 一种具有高机械强度的掺锗直拉硅片及其制备方法
- 本发明公开的掺锗直拉硅片，硅片中的氧浓度为5×10<Sup>17</Sup>～15×10<Sup>17</Sup>cm<Sup>－3</Sup>，锗浓度为1×10<Sup>15</Sup>～1×10<Sup>21</Su...
- 杨德仁陈加和马向阳阙端麟
- 文献传递
- 碳含量对直拉单晶硅片空位型缺陷的影响
- 本文研究了具有不同碳浓度的直拉硅片的空位型缺陷及其高温退火行为。研究发现，随着直拉单晶硅体内碳浓度的提高，硅片原生空位型缺陷密度降低，而且其高温热稳定性变差，碳的引入有利于抑制直拉单晶硅体内空位型缺陷的形成。
- 陈加和杨德仁马向阳阙端麟
- 关键词：掺杂改性碳含量
- 一种具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法
- 本发明公开了具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法，硅片的氧浓度为5～15×10<Sup>17</Sup>cm<Sup>－3</Sup>，锗浓度为1×10<Sup>13</Sup>～1×10<Sup>20</Sup>cm<...
- 杨德仁陈加和马向阳阙端麟
- 文献传递
- 一种具有内吸杂功能的掺碳硅片及其制备方法
- 本发明的具有内吸杂功能的掺碳硅片，其氧浓度为5～15×10<Sup>17</Sup>cm<Sup>－3</Sup>，碳浓度为5～30×10<Sup>16</Sup>cm<Sup>－3</Sup>。制备步骤如下：1)采用直...
- 杨德仁陈加和马向阳阙端麟
- 文献传递
- 大规模集成电路用同族元素掺杂直拉硅单晶的微缺陷及其缺陷工程
- 超大规模集成电路的高速发展对硅单晶材料提出了愈来愈严格的要求，控制和消除直拉硅中的微缺陷是硅材料开发面临的最关键的问题。随着直拉硅单晶的大直径化，硅中氧含量有所下降，而当代集成电路以超浅结为特征，其制造工艺的热预算显著降...
- 陈加和
- 关键词：氧沉淀大规模集成电路
- 氧沉淀对直拉硅单晶硬度的影响
- 直拉(CZ)硅单晶目前已广泛用于集成电路的生产,是微电子工业的基础,其机械性能是影响器件制造的成品率和器件性能的关键因素之一。随着硅片直径的增大,对其机械强度的要求也更加突出,因而引起了广泛的关注。已有的研究表明Cz硅单...
- 曾徵丹杨德仁马向阳陈加和阙端麟
- 文献传递
- 氧沉淀对直拉硅单晶硬度的影响被引量：2
- 2009年
- 研究了氧沉淀对直拉(CZ)硅单晶维氏硬度的影响。研究表明,在发生一定程度氧沉淀的情况下,硅单晶的硬度会由于氧沉淀导致的间隙氧浓度的降低而减小,此时间隙氧原子的固溶强化作用对硅单晶硬度具有显著的影响;而当氧沉淀足够显著时,由于氧沉淀的密度和尺寸较大,氧沉淀在硅单晶中的第二相强化作用得以显现,此时硅单晶的硬度不随间隙氧浓度的降低而减小,反而有较为显著的提高。
- 曾徵丹马向阳陈加和杨德仁
- 关键词：单晶硅氧沉淀维氏硬度
- 直拉硅单晶的杂质工程:微量掺锗的效应
- 2019年
- 直拉硅单晶是集成电路的基础材料,因而在过去几十年来被广泛而深入研究.直拉硅单晶的缺陷以及机械强度对集成电路制造的成品率有显著的影响.传统上,人们认为直拉硅单晶中除了掺杂所需的电活性杂质以及不可避免的氧杂质以外,其他杂质越少越好.在此情形下,直拉硅单晶的缺陷控制和机械强度的改善几乎只能依赖于晶体生长工艺的优化.为了打破这种限制,我们提出在直拉硅单晶中掺入特定的非电活性杂质,既可以通过这些杂质原子与点缺陷的相互作用来调控维度更高的缺陷的行为,又可以发挥增强机械强度的作用,这就是直拉硅单晶的杂质工程.本文首先阐述直拉硅单晶的杂质工程的研究背景与意义,随后综述作为直拉硅单晶的杂质工程的一个范本——微量掺锗的效应,包括掺锗对氧沉淀和空洞等缺陷形成的影响及其对集成电路制造的有益作用,以及掺锗对硅片机械强度的增强作用.
- 孙玉鑫陈加和余学功马向阳杨德仁
- 关键词：直拉硅单晶机械强度
