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曾徵丹

作品数：2 被引量：4H指数：2
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国留学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇氧沉淀
  • 2篇直拉硅
  • 1篇单晶硅
  • 1篇杂质对
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇维氏硬度
  • 1篇位错
  • 1篇位错运动
  • 1篇硅单晶
  • 1篇掺磷
  • 1篇掺锗

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇曾徵丹
  • 1篇陈加和
  • 1篇杨德仁
  • 1篇马向阳

传媒

  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
氧沉淀对直拉硅单晶硬度的影响被引量：2
2009年
研究了氧沉淀对直拉(CZ)硅单晶维氏硬度的影响。研究表明,在发生一定程度氧沉淀的情况下,硅单晶的硬度会由于氧沉淀导致的间隙氧浓度的降低而减小,此时间隙氧原子的固溶强化作用对硅单晶硬度具有显著的影响;而当氧沉淀足够显著时,由于氧沉淀的密度和尺寸较大,氧沉淀在硅单晶中的第二相强化作用得以显现,此时硅单晶的硬度不随间隙氧浓度的降低而减小,反而有较为显著的提高。
曾徵丹马向阳陈加和杨德仁
关键词：单晶硅氧沉淀维氏硬度
杂质对直拉硅单晶力学性能的影响
直拉硅单晶作为集成电路的基础材料已经被广泛而深入地研究了几十年,其力学性能是其中重要的研究课题。随着集成电路用硅片直径的增大、硅片加工精度要求的提高及硅基微机电系统/(MEMS/)的兴起,人们对直拉硅单晶的力学性能更加关...
曾徵丹
关键词：直拉硅单晶掺锗氧沉淀位错运动
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