雷云
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 溅射温度对TaNx薄膜性能的影响
- 本文采用反应磁控溅射法制备TaNx薄膜,研究了溅射温度对薄膜成分、结构和性能的影响。结果表明,随溅射温度的升高,薄膜中氮含量先降低后升高,在560℃左右达到最低值26.71％(原子分数)。随溅射温度的升高,薄膜中依次析出...
- 向阳张万里蒋洪川莫绍毅雷云
- 关键词：薄膜电阻
- 文献传递
- 溅射温度对TaNx薄膜性能的影响
- 采用反应磁控溅射法制备TaN薄膜,研究了溅射温度对薄膜成分、结构和性能的影响。结果表明,随溅射温度的升高,薄膜中氮含量先降低后升高,在560℃左右达到最低值26.71%(原子分数)。随溅射温度的升高,薄膜中依次析出TaN...
- 向阳张万里蒋洪川莫绍毅雷云
- 关键词：反应溅射TCR
- 文献传递
- 热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响被引量：2
- 2008年
- 采用直流磁控溅射制备TaN薄膜,研究了热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响。结果表明,退火温度及退火时间都将影响薄膜的微结构及方阻。随退火温度的升高和时间的延长,TaN薄膜的方阻逐渐增大,但当退火温度高于800℃时,由于氧化严重导致薄膜的方阻异常增大。退火可显著改善薄膜的TCR,制备态TaN薄膜的TCR值为-1.2×10^(-3),薄膜经800℃退火30min后,其TCR可降低到-7.0×10^(-4)。
- 蒋洪川向阳王超杰莫绍毅雷云张万里
- 关键词：退火微结构方阻
