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霍明学

作品数:74 被引量:99H指数:5
供职机构:哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>

文献类型

  • 49篇专利
  • 20篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 5篇理学
  • 1篇天文地球
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学

主题

  • 12篇束电流
  • 12篇离子
  • 10篇辐照
  • 10篇感器
  • 10篇传感
  • 10篇传感器
  • 9篇二极管
  • 7篇肖特基
  • 6篇单粒子
  • 6篇电池
  • 6篇电路
  • 6篇肖特基二极管
  • 5篇电压
  • 5篇电子辐照
  • 5篇陀螺
  • 5篇微机械陀螺
  • 4篇单粒子翻转
  • 4篇电容式
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅

机构

  • 74篇哈尔滨工业大...
  • 1篇哈尔滨理工大...
  • 1篇黑龙江大学
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇上海空间电源...
  • 1篇北京航天控制...
  • 1篇中国航天北京...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇广州广电计量...

作者

  • 74篇霍明学
  • 38篇刘晓为
  • 35篇王天琦
  • 33篇刘超铭
  • 31篇马国亮
  • 30篇齐春华
  • 28篇张延清
  • 20篇陈伟平
  • 18篇王喜莲
  • 8篇谭晓昀
  • 8篇王新胜
  • 5篇兰慕杰
  • 5篇肖立伊
  • 4篇高乐
  • 4篇徐磊
  • 4篇蓝慕杰
  • 4篇王超
  • 4篇王蔚
  • 3篇田丽
  • 3篇索春光

传媒

  • 5篇Journa...
  • 4篇哈尔滨工业大...
  • 2篇原子能科学技...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇黑龙江大学自...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子与封装
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇2004第四...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 8篇2022
  • 10篇2021
  • 2篇2020
  • 9篇2019
  • 2篇2016
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 6篇2008
  • 3篇2007
  • 8篇2006
  • 8篇2005
  • 7篇2004
  • 2篇2003
74 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
集成CMOS四象限模拟乘法器
本文设计了一种CMOS型四象限模拟乘法器,乘法器采用有源衰减器结合吉尔伯特单元结构,利用基于CSMC的0.6微米n阱2p2m工艺SPICEBSIM3V3MOS模型(LEVEL=49)进行仿真,采用单电源5V电压供电.利用...
霍明学刘晓为谭晓昀王永刚任连峰
关键词:集成电路模拟乘法器芯片设计
文献传递
“固态电子论”实验课程研究
2008年
"固态电子论"是微电子和电子信息专业的技术基础课程,理论抽象,学习难度大。因而其实验教学极为重要,是对理论教学的必要补充,是使学生对抽象理论加深理解的重要途径。本课程组在对该课程进行全面深入分析基础上建立了实验教学体系,自制了主要的实验仪器和装置,编写了实验指导书,开设了5个综合型实验和1个设计型实验。从已开出的三届实验课程来看,效果很好,起到了加深学生对抽象理论理解作用。
刘晓为王蔚张宇峰霍明学王喜莲
关键词:实验课
应用于微型直接甲醇燃料电池的质子交换膜的改性方法
本发明提供一种适用于微型液体进料直接甲醇燃料电池用质子交换膜的改性方法。该改性方法主要包括两个部分:首先对Nafion膜进行伽玛射线照射处理,然后再对照射后的Nafion膜采用化学镀的方法在膜表面获得与膜结合力良好的极薄...
刘晓为索春光张宇峰陈伟平霍明学
文献传递
集成CMOS四象限模拟乘法器被引量:3
2006年
给出了一种CMOS型四象限模拟乘法器,该乘法器采用有源衰减器结合吉尔伯特单元结构.利用基于CSMC的0.6μm n阱2p2m工艺SPICE BSIM3V3 MOS模型(level=49)进行仿真,采用单电源5V电压供电.利用HSPICE仿真并给出了仿真的结果及版图实现.
霍明学谭晓昀刘晓为王永刚任连峰齐向昆
关键词:模拟乘法器CMOS
一种功率MOSFET可靠性的建模方法
本发明的一种功率MOSFET可靠性的建模方法,涉及功率MOSFET可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有MOSFET可靠性建模方法复杂度高,计算效率低,模型可解释性也较差的问题,具体步骤如下:步骤一...
刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
单粒子多脉冲的软错误敏感性分析方法
随着晶体管特征尺寸的减小,在逻辑电路中,由于高能粒子辐照引起的软错误受到越来越多的关注。本文提出了一种考虑多脉冲的重汇聚和单粒子多脉冲效应的组合逻辑电路的软错误率分析方法。在提出的软错误率分析方法中,标准逻辑单元的输出端...
周彬霍明学肖立伊
关键词:单粒子效应
文献传递
MEMS兼容PZT压电厚膜的性能测试被引量:1
2004年
丝网印刷法制备PZT厚膜工艺与MEMS技术兼容.通过调整PZT印刷浆料粘度,并采取多次套印、多次退火及合理的烧结工艺,在硅膜片上获得了较致密的PZT厚膜.采用悬臂梁方法对制备的Ag/PZT/SiO2/n+Si结构复合压电厚膜进行了直接测试,结果表明PZT压电厚膜的压电常数d31可达70×10-12m/V,以此方法制备的压电厚膜适合作为MEMS执行器的微驱动元件.
王蔚刘晓为兰慕杰霍明学
关键词:PZT压电厚膜丝网印刷MEMS
基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法
基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法,属于微电子技术领域,本发明为解决现有倒置四结太阳电池在空间带电粒子的辐照下抗位移辐照能力差,易产生位移辐射损伤,从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒...
张延清齐春华王天琦马国亮刘超铭陈肇宇王新胜李何依周佳明霍明学
文献传递
集成毛细管电泳芯片的设计被引量:4
2003年
利用ANSYS软件对集成毛细管电泳芯片微沟道内样品流动情况进行模拟,获得了不同进样模式下微沟道的结构与流体流速之间的关系,并以此为依据对芯片整体结构参数进行设计:毛细管沟道最终尺寸为宽度16μm,深度10μm,有效分离长度为3.5cm的圆角转弯形沟道,从而确定整个芯片设计。
刘晓为田丽霍明学王美
关键词:有限元法ICEC
基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法
本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域,目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题,具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深...
刘超铭王天琦张延青齐春华马国亮霍明学李何依魏轶聃
文献传递
共8页<12345678>
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