王天琦
- 作品数：45 被引量：11H指数：2
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术农业科学更多>>
- 基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法
- 本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深...
- 刘超铭王天琦张延青齐春华马国亮霍明学李何依魏轶聃
- 文献传递
- 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法
- 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始...
- 刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
- 抗多节点翻转的存储单元
- 抗多节点翻转的存储单元，涉及集成电路技术领域。为了解决现有存储单元在辐射环境下不具备抵抗单粒子多节点翻转的能力，从而引起存储单元的存储状态改变的问题。该存储单元包括一号PMOS晶体管、二号PMOS晶体管、三号PMOS晶体...
- 肖立伊齐春华李安龙王天琦柳姗姗
- 文献传递
- 基于深层离子注入方式的倒置三结太阳电池抗位移辐照加固方法
- 基于深层离子注入方式的倒置三结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有空间带电粒子会在太阳电池内部产生位移辐射损伤，在太阳电池内部产生空位、间隙原子等缺陷，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。...
- 刘超铭周佳明张延清齐春华马国亮王天琦王新胜李何依霍明学
- 文献传递
- 65nm近阈值SRAM稳定性分析被引量：2
- 2017年
- 本文通过将供电电压降低到近阈值区域实现低功耗的目的.现有标准6T-SRAM在近阈值电压下的性能非常差,且受工艺波动的影响很大.因此,本文提出了一种新型的8T-SRAM,与近阈值电压下的6管单元相比,其静态功耗基本相同,读噪声容限也增加了一倍.因此使该新型8管单元在实现低功耗的基础上保证了读写的稳定性.另外针对工艺波动对读噪声容限的影响进行分析,与6T-SRAM相比,新型8T-SRAM受工艺波动的影响更小.
- 于雨情王天琦齐春华肖立伊喻沛孚
- 关键词：低功耗工艺波动
- 基于太阳电池低温低光强综合试验装置及试验方法
- 本发明公开了一种基于太阳电池低温低光强综合试验装置以及试验方法，该装置包括光源、低温恒温舱、无油分子泵、风冷压缩机、温度控制仪以及电学测试系统；其试验方法包括：根据电池服役环境，确定温度光照条件；整理装置，安装衰减片；样...
- 霍明学张延清刘超铭王天琦齐春华马国亮周佳明
- 文献传递
- 电容式MEMS加速度计电子辐照效应研究
- 2021年
- 随着我国航天工程的技术发展,对航天器用惯性器件的小型化和轻量化的需求越来越高,研究微电子机械系统(Micro electromechanical system,MEMS)惯性器件的空间环境效应以保障其在轨长寿命和高可靠运行就显得尤为重要。针对国产电容式MEMS加速度计,通过1 MeV电子辐射试验,研究了高能电子辐照对电容式MEMS加速度计电学性能的影响规律及相关退化机理。结果表明,电子辐照注量对电容式MEMS加速度计的表头电容影响较弱、阻抗与辐照注量呈负相关趋势;在低辐照注量下,电容式MEMS加速度计的ASIC电路正常工作,在高辐照注量下(3.0×10^(13) cm^(-2)以上)出现明显的性能退化;电容式MEMS加速度计整表在5.0×10^(12) cm^(-2)的电子辐照注量下发生功能失效。
- 刘超铭蒋礼达刘国文刘国文马国亮王天琦霍明学
- 关键词：微电子机械系统电容式加速度计电子辐照电压特性
- 空间环境地面模拟装置及其粒子加速器
- 空间环境地面模拟大科学装置的建造，实现了对空间综合环境的地面模拟，使费用昂贵的空间飞行实验在地面进行成为可能，弥补我国此类装置的空白。离子加速器系统为整个装置提供了辐照粒子源，围绕粒子加速器建造的各个实验终端，为开展粒子...
- 郝焕锋王天琦周彬霍明学
- 关键词：空间环境加速器
- 倒置四结(IMM4J)太阳电池中InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)子电池高能电子辐照退火效应
- 2020年
- 本文为研究1 MeV电子辐照倒置四结(IMM4J)太阳电池InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)关键子电池的退火效应,将辐照后的两种子电池在60—180℃温度范围累计退火180 min,并对不同退火温度、退火时间下的两种子电池进行了光IV测试、暗IV测试和光谱响应测试.实验结果表明两种子电池的开路电压Voc、短路电流Isc和最大输出功率Pmax随着退火时间的延长逐渐恢复,温度越高,恢复程度越大.在相同的退火条件下,InGaAs(1.0 eV)子电池的恢复程度比InGaAs(0.7 eV)子电池小.本文通过对暗特性曲线进行双指数模型拟合,得到不同退火条件下两种子电池的串联电阻Rs、并联电阻Rsh、扩散电流Is1、复合电流Is2.结果表明在退火过程中两种子电池的Rsh逐渐增大,Rs,Is1和Is2逐渐减小.温度越高,退火时间越长,恢复程度越大.在退火60 min后两种子电池的Voc,Isc和Pmax恢复程度均可达到整体恢复程度的85%以上.InGaAs(1.0 eV)子电池的Is1和Is2的恢复程度远大于InGaAs(0.7 eV).本文建立了短路电流密度Jsc和缺陷浓度N的等效模型,以此计算得到InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)两种子电池的热退火激活能分别为0.38 eV和0.26 eV.
- 张延清齐春华周佳明刘超铭马国亮蔡勖升王天琦霍明学
- 关键词：电子辐照退火效应
- 一种功率MOSFET可靠性的建模方法
- 本发明的一种功率MOSFET可靠性的建模方法，涉及功率MOSFET可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有MOSFET可靠性建模方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一...
- 刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
