高行新
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：兰州大学核科学与技术学院更多>>
- 发文基金：磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 钴离子注入对二氧化钛晶体的结构和光学性能的影响被引量：3
- 2011年
- 采用离子注入法制备了钴离子掺杂的金红石相TiO2样品;离子注入能量、注量分别为40keV(1×1016cm-2),80keV(5×1015,1×1016,5×1016,1×1017cm-2),120keV(1×1016cm-2).通过XRD,XPS和UV-Vis等手段对掺杂前后样品的结构和光学性能进行了表征,分析了掺杂元素在金红石TiO2中的存在形式.XRD测试表明随着注入能量的增加晶体的损伤程度增加.UV-Vis测试表明掺杂后所有样品在可见光区的吸收增强;并且随着注量的增加,注量为5×1015cm-2到5×1016cm-2范围内注入样品的光学带隙逐渐变小.
- 李天晶李公平马俊平高行新
- 关键词：钴二氧化钛离子注入掺杂
- Co掺杂ZnO的快中子辐射损伤研究
- 2010年
- 用中子发生器上D-D反应的2.5MeV中子辐照Co掺杂ZnO和对照样品纯ZnO单晶。室温下测量了样品的X射线衍射谱、光致发光谱和透射光谱。结果表明,快中子辐照后的纯ZnO单晶中引入了氧空位(VO)和氧错位(OZn)缺陷,且有少量的锌填隙(Zni)和氧填隙(Oi)缺陷。Co掺杂ZnO中存在的Co以及钴氧化物纳米团簇由于快中子轰击而分解消失。快中子与替代Zn2+的Co2+的碰撞导致大量的Co2+离开ZnO晶格点位,导致Co掺杂ZnO中引入钴填隙杂质和锌空位(VZn)缺陷。中子辐照后的所有样品依然呈纤锌矿结构并沿c轴高度择优取向。表明纯ZnO和掺Co氧化锌半导体材料具有良好的抗辐照性能,在空间器件方面具有应用潜力,且有助于在ZnO点缺陷方面的研究。
- 王云波李公平李天晶高行新
- 关键词：ZNO单晶快中子辐照
- 低能Co离子注入单晶ZnO的光致发光特性被引量：1
- 2009年
- 采用离子注入法研究了Co离子注入ZnO晶体的光致发光效应。对离子注入后的样品在Ar气保护下进行退火处理,退火温度为700℃,退火时间为10min,在其光致发光谱中观察到了406和370nm的紫光发射峰。对比了Co,Cu离子分别注入的ZnO晶体的光致发光谱,观测到二者的光致发光谱类似。同时,研究了Co离子注入剂量对样品发光性质的影响,结果表明随注入剂量的增加绿色发光中心逐渐向低能边偏移,分析认为绿色发光中心的偏移与离子注入后ZnO晶体的禁带宽度发生改变相关。
- 李天晶高行新李公平李玉红
- 关键词：CU离子注入ZNO光致发光
