李天晶
- 作品数：9 被引量：5H指数：1
- 供职机构：兰州大学核科学与技术学院更多>>
- 发文基金：磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- Co^+离子注入单晶TiO_2铁磁性来源与微结构研究
- 2012年
- 在室温下,将能量为80keV,注量分别为1×1016和1×1017ions/cm2的Co+离子注入到10mm×10mm×0.5mm的单晶TiO2样品。在氮气保护下,Co+离子注量为1×1017ions/cm2时样品在温度为900℃的条件下退火30min。利用超导量子干涉仪(SQUID)测量样品磁性,并应用X射线衍射(XRD)和扩展边X射线吸收精细结构谱(EXAFS)研究Co+离子注入后样品的微观结构。样品磁性测量结果表明:Co+离子注入后的样品具有室温铁磁性,并且其饱和磁化强度的大小与Co+离子注量及样品是否经退火处理有关。EXAFS研究表明:Co元素在Co+离子注量为1×1017ions/cm2的样品中主要以团簇形式存在;样品经退火处理后,Co团簇消失,并发现Co部分替代TiO2单晶中的Ti。Co+离子注入后,在样品中形成Co团簇与否受离子注量的影响。阐述了样品微观结构与铁磁性来源之间的关系。
- 钟火平李公平许楠楠李天晶龚恒风陈景升
- 关键词：稀磁半导体铁磁性离子注入EXAFS
- 离子注入单晶ZnO，TiO_2基改性和Li_(0.2)Zn_(0.8)O/Al_(0.15)Zn_(0.85)O双层膜光电特性的研究
- ZnO和TiO：作为两种重要的金属氧化物分别在光电子领域和催化领域起着重要的作用。ZnO具有宽的直接带隙(3.37eV)和高的激子束缚能(60meV)在稀磁半导体、紫外发光器件、压电器件、气敏传感器、透明导电膜、以及声光...
- 李天晶
- 关键词：离子注入脉冲激光沉积稀磁半导体室温铁磁性
- 文献传递
- 钴离子注入单晶氧化锌的磁光特性研究
- 离子注入技术是近些年来蓬勃发展和广泛应用的一种高新技术，注入可以引起材料结构的改变以及原子环境和电子组态的扰动，由此导致材料的各种物理、化学、或机械性能的变化。同时氧化锌是一种直接宽带隙半导体材料，具有多种用途，可广泛地...
- 李天晶
- 关键词：钴离子磁光特性室温铁磁性
- 文献传递
- 离子注入单晶ZnO，TiO<sub>2</sub>基改性和Li<sub>0.2</sub>Zn<sub>0.8</sub>O/Al<sub>0.15</sub>Zn<sub>0.85</sub>O双层膜光电特性的研究
- ZnO和TiO：作为两种重要的金属氧化物分别在光电子领域和催化领域起着重要的作用。ZnO具有宽的直接带隙(3.37eV)和高的激子束缚能(60meV)在稀磁半导体、紫外发光器件、压电器件、气敏传感器、透明导电膜、以及声光...
- 李天晶
- 关键词：离子注入稀磁半导体室温铁磁性
- D-D中子辐照单晶TiO_2的损伤特性
- 2012年
- 利用兰州大学强流中子发生器出射的单能D-D中子对单晶TiO2(金红石相)进行辐照,分别测量了样品的正电子寿命谱及XRD谱。中子辐照会在样品内部产生大量的空位缺陷,由于晶格中Ti原子的位移阈能约为O原子的2倍,因此中子辐照在样品内部产生的空位缺陷以氧空位(VO)为主。结果表明,单晶内部捕获正电子的陷阱Ti空位(VTi)在中子辐照后电子密度增大,可能与Ti空位周围O空位的引入有关,O空位的出现减弱了Ti空位处的库仑排斥作用,使空位体积减少。后续测试的XRD也得到相同的结果,样品由于中子辐照而在c轴方向的晶面间距发生变化,并导致单晶TiO2的结晶度变差。
- 许楠楠李公平王云波钟火平李天晶龚恒凤王宝义李卓昕
- 关键词：辐照损伤正电子
- 用AFM研究Cu在Si基上沉积成核的演化过程
- 2006年
- 室温下,利用磁控溅射在P型Si(100)衬底上沉积了Cu膜。利用原子力显微镜(AFM)对较短沉积时间内制备的样品形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时Cu在Si衬底上沉积成核的演化过程。随着沉积的进行,Si基表面的成核密度随着时间的增加而增大;核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜。在溅射到15 s时,发现奇异现象。
- 李天晶李公平
- 关键词：CUAFM
- 低能Co离子注入单晶ZnO的光致发光特性被引量：1
- 2009年
- 采用离子注入法研究了Co离子注入ZnO晶体的光致发光效应。对离子注入后的样品在Ar气保护下进行退火处理,退火温度为700℃,退火时间为10min,在其光致发光谱中观察到了406和370nm的紫光发射峰。对比了Co,Cu离子分别注入的ZnO晶体的光致发光谱,观测到二者的光致发光谱类似。同时,研究了Co离子注入剂量对样品发光性质的影响,结果表明随注入剂量的增加绿色发光中心逐渐向低能边偏移,分析认为绿色发光中心的偏移与离子注入后ZnO晶体的禁带宽度发生改变相关。
- 李天晶高行新李公平李玉红
- 关键词：CU离子注入ZNO光致发光
- Co掺杂ZnO的快中子辐射损伤研究
- 2010年
- 用中子发生器上D-D反应的2.5MeV中子辐照Co掺杂ZnO和对照样品纯ZnO单晶。室温下测量了样品的X射线衍射谱、光致发光谱和透射光谱。结果表明,快中子辐照后的纯ZnO单晶中引入了氧空位(VO)和氧错位(OZn)缺陷,且有少量的锌填隙(Zni)和氧填隙(Oi)缺陷。Co掺杂ZnO中存在的Co以及钴氧化物纳米团簇由于快中子轰击而分解消失。快中子与替代Zn2+的Co2+的碰撞导致大量的Co2+离开ZnO晶格点位,导致Co掺杂ZnO中引入钴填隙杂质和锌空位(VZn)缺陷。中子辐照后的所有样品依然呈纤锌矿结构并沿c轴高度择优取向。表明纯ZnO和掺Co氧化锌半导体材料具有良好的抗辐照性能,在空间器件方面具有应用潜力,且有助于在ZnO点缺陷方面的研究。
- 王云波李公平李天晶高行新
- 关键词：ZNO单晶快中子辐照
- 钴离子注入对二氧化钛晶体的结构和光学性能的影响被引量：3
- 2011年
- 采用离子注入法制备了钴离子掺杂的金红石相TiO2样品;离子注入能量、注量分别为40keV(1×1016cm-2),80keV(5×1015,1×1016,5×1016,1×1017cm-2),120keV(1×1016cm-2).通过XRD,XPS和UV-Vis等手段对掺杂前后样品的结构和光学性能进行了表征,分析了掺杂元素在金红石TiO2中的存在形式.XRD测试表明随着注入能量的增加晶体的损伤程度增加.UV-Vis测试表明掺杂后所有样品在可见光区的吸收增强;并且随着注量的增加,注量为5×1015cm-2到5×1016cm-2范围内注入样品的光学带隙逐渐变小.
- 李天晶李公平马俊平高行新
- 关键词：钴二氧化钛离子注入掺杂
