任云珠
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 铅同位素比值的飞行时间二次离子质谱法测量被引量：2
- 1996年
- 介绍了用飞行时间二次离子质谱法对器物中的铅同位素比值的测量。在仔细地讨论了质量干扰、二次离子产额的同位素分馆效应等对测量结果的影响后，认为本工作无需标准样品，可以实现对样品无损的高质量分辨的二次离子质谱分析。铅同位素比值的测量精确度优于１％。
- 宋玲根蔡磊任云珠李白云陶莹曹永明宗祥福
- VLSI中钛硅化物肖特基接触特性与退火条件被引量：3
- 2001年
- 基于 Ti Si2 低电阻率的优点 ,采用 Ti制作肖特基二极管。在 VL SI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管 (SBD)的制作。文中用 AES等技术研究不同退火工艺形成的 Ti/ Si界面形态和结构 ,寻找完善的工艺设计和退火条件。此外还测量 Al/ Ti N/ Ti/ Si结构的金属硅化物 SBD的有关特性。通过工艺实验确定 VL
- 黄榕旭蒋聚小郑国祥俞宏坤任云珠徐蓓蕾
- 关键词：退火肖特基势垒VLSI接触特性
- 表面残留有机沾污物的TOF－SIMS及XPS研究
- 1996年
- 飞行时间次级离子质谱（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）结合Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析了用化学方法清洗后、银片上残留的未知的有机物。结果显示，有机沾污物主要是一些含１８～３０碳原子、碳链饱和度很高的酮类和酯类化合物；个别有机物可能是硬脂酰胺。这种结构特点使有机物中的Ｃ＝Ｏ基团易于采取氧原子指向基体表面的取向，通过带部分负电荷的氧原子与金属基体镜像力的作用而增强粘附。ＴＯＦ－ＳＩＭＳ二维离子像显示有机沾污物在银片表面上呈极稀薄的均匀分布。
- 邓朝辉林晶任云珠宗祥福
- 关键词：XPS
- 深度分辨率对多层薄膜样品SIMS分析的影响被引量：2
- 1995年
- 组分元素和杂质在多层薄膜样品中深度分布的ＳＩＭＳ剖析结果总是偏离其真实的分布情况，这是由一次离子溅射样品时的物理过程以及溅射坑底的不平整所造成的。轰击离子在样品内所引起的混合效应，以及坑底的不平整导致了某一时刻的二次离子来自样品中的不同深度。因此，为了提高ＳＩＭＳ分析的深度分辨率，必须注意克服这两种影响因素．
- 曹永明任云珠张敬海陶莹宗祥福
- 关键词：质谱SIMS
- n型硅脉冲激光掺铟的物理过程与缺陷特性研究
- 1990年
- 用Nd-YAG脉冲激光对n型硅掺铟,形成外p^+n结。利用二次离子质谱仪(SIMS)、卢瑟福背散射(RBS)等方法,研究了硅内铟的分布,并分析了用20ns脉冲激光硅掺铟的物理过程,发现当激光能量密度足够大时,在硅表面层存在硅-铟混合熔体和液态硅两部分。当激光能量密度较小时,硅表面层仅有液态硅层、用I-V,C-V和深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究了p^+n结的电学性质,发现在p^+n结的n区存在两个缺陷。一个能通过快速热退火,在600℃,60s条件下消失,研究表明可能为空位与杂质的复合体。另一个通过快速热退火不能消失,可能与位错有关。
- 刘开锋蔡劲孙恒慧任云珠曹永明
- 关键词：脉冲硅物理过程激光铟
- 用SIMS等技术表征镓扩散质量
- 1994年
- 介绍用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＳＲＰ等技术检测Ｇａ扩散杂质分布及工艺中存在的问题，提供改进工艺的技术依据。
- 任云珠曹永明
- 关键词：半导体器件
- 飞行时间二次离子质谱结合X-射线光电子能谱分析化学清洗后残留的表面有机物被引量：3
- 1995年
- 用飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)结合X射线光电子能谱,分析了用化学方法清洗后银片上残留的未知有机物.TOF-SIMS与XIPS提供的互补的表面信息显示,中分子量以上的有机物主要是几种链长22～27碳原子、碳链饱和度很高的多酮类化合物,可能还有一些多酯类化合物.这些有机物中的C=O基团易于采取氧原子指向金属基体表面的取向,通过带部分负电荷的氧原子与金属基体镜像力的作用而增强粘附.
- 邓朝辉林晶任云珠宗祥福
- 关键词：质谱XPS
