公共文化服务平台

曹永明: 作品数：33 被引量：34H指数：3; 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>; 发文基金：上海市科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>; 相关领域：理学电子电信机械工程金属学及工艺更多>>

合作作者

InGaAlP外延片的微分析: 2005年; 介绍了电子显微镜和二次离子质谱仪(SIMS)两种当前主要的微分析工具在四元InGaAlP发光二极管(LED)外延片分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用领域,指出两者有机的结合可以得到比较全面的分析结果,为工艺监控和工艺改进提供了参考。; 樊华曹永明曾伟李越生; 关键词：电子显微镜二次离子质谱发光二极管外延片

利用SIMS分析研究离子注入损伤吸附杂质的作用被引量：1: 1998年; 用（BF2）+替代B+注入，是一种重要的注入掺杂形成浅结的工艺手段．（BF2）+注入也有不利的一面．剩余F原子的积聚以及大量二次缺陷的存在，都将影响PN结的性能．利用离子束损伤技术（IBDE）可以有效地消除上述（BF2）+注入的不足之处．该文利用SIMS技术，测试分析经预注入低能（BF2）+后，直接进行高温热退火的样品，以及预注入低能（BF2）+后，又经1MeVSi+辐照，再退火的样品．对比分析这两组样品中F+和B+的不同分布，研究IBDE对改善PN结性能的作用．; 曹永明张敬海蔡磊李越生宗祥福赵清太; 关键词：离子注入 VLSI SIMS

聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究被引量：1: 2007年; 随着聚焦离子束(focusedion beam,FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入剂量恒定,离子浓度随深度的分布与离子束流大小无关;当离子束流恒定,注入离子的表面浓度随注入剂量的增加而增加,但是由于FIB注入的同时会刻蚀材料表面,注入剂量达到饱和值后,会造成材料一定程度的减薄.; 王蓓陈忠浩陆海纬宋云曹永明曾韡; 关键词：聚焦离子束溅射

铅同位素比值的飞行时间二次离子质谱法测量被引量：2: 1996年; 介绍了用飞行时间二次离子质谱法对器物中的铅同位素比值的测量。在仔细地讨论了质量干扰、二次离子产额的同位素分馆效应等对测量结果的影响后，认为本工作无需标准样品，可以实现对样品无损的高质量分辨的二次离子质谱分析。铅同位素比值的测量精确度优于１％。; 宋玲根蔡磊任云珠李白云陶莹曹永明宗祥福

重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析被引量：5: 2003年; 重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试.虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度因子法,还是能够比较精确地给出定量测试结果,解决重掺砷硅单晶中硼杂质的定量检测问题,进而为控制硼含量提供了依据和帮助.; 王铮曹永明方培源王家楫; 关键词：二次离子质谱硼硅材料

Cu互连工艺中Ta基扩散阻挡层的二次离子质谱剖析被引量：1: 2004年; With the development of deep submicron integrated circuits (IC), copper metallization has been a replacement for conventional aluminum metallization in high density IC manufacture. But Cu is quite mobile in Si and has poor adhesion to Si or SiO2, which could degrade the performance of copper interconnect. Therefore, a diffusion barrier layer between copper interconnect and Si device is necessary. In this paper, Ta-based barrier layers are deposited on Si substrate with deposition technology of magnetron sputtering. The depth profile of copper interconnect and Ta-diffusion barrier layer are investigated by second ion mass spectrometry(SIMS).; 曹永明方培源姜蕾; 关键词：互连工艺二次离子质谱

离子质谱及其应用被引量：6: 2002年; 离子质谱按照物质电离后质量与电荷的比值 (即荷质比m/e)大小进行分离 ,可以测定离子的质量和离子流的强度[1] 。能快速连续地进行未知样品中包括氢在内的全元素分析和杂质同位素分析、微区微量分析和杂质纵向分布的深度剖析 ,因此被广泛应用于产、学、研的各个领域。对于一个样品进行离子质谱分析的整个过程必须包括三个部分 :离子的产生———离子源 ;离子的分离———质谱计 ;离子流的接收———检测系统。整个分析过程必须在高真空条件下进行。各种不同的离子源、质谱计和检测系统组合成各种不同类型的质谱仪。按离子源分类 ,可以有火花源质谱仪 ,辉光放电质谱仪 ,等离子体质谱仪、二次离子质谱仪等。按质谱仪可以分为磁质谱计 ,飞行时间质谱计和电四极杆质谱计等。检测系统可以是感光胶板、电子倍增器、双通道板。; 曹永明王铮方培源; 关键词：离子源质谱仪质谱计

二次离子质谱无标样定量分析方法的探索: ＜正＞二次离子质谱法具有检测灵敏度高,质量分辨率高,能分析元素周期中包括氢在内的所有元素及其同位素,也可以进行微区微量杂质元素的检测和深度分布的剖析等优点,因而受到人们的高度重视。但至今还没有找到一个理论模型,能比较成功...; 方培源曹永明; 关键词：ISOTOPE; 文献传递

用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算被引量：2: 2003年; 利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响 .; 杨恒青颜佳骅陈俭曹永明; 关键词：硅分辨率二次离子质谱

SOI材料中绝缘层界面处离子注入氟的SIMS剖析: Silicon-on-insulator (SOI) is well known as “new technology of Si semiconductor IC process in 21 Contrary”. Re...; 方培源曹永明; 文献传递