但亚平
- 作品数：17 被引量：6H指数：2
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- 室温发光硅基法布里－珀罗(F－P)微腔器件
- 室温发光硅基法布里-珀罗微腔器件属于硅基光电子器件领域，其特征在于它含有两个由a-Si∶H薄膜和a-SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>∶H薄膜交替生长制备的a-Si∶H/a-SiO<Sub>x</S...
- 岳瑞峰王燕但亚平刘理天姚永昭
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- 氮氧化硅薄膜的光学特性及光波导中的应用
- 氮氧化硅(SiO<,X>N<y>)有许多优良的特性，特别是其折射率可调、击穿电场高，因而在光学器件和深亚微米MOS技术方面有广阔的应用前景。该文重点介了SiON的光学特性及其在光波导中的应用。
- 但亚平岳瑞峰王燕刘理天
- 关键词：氮氧化硅
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- 室温电致发光硅基法布里－珀罗微腔器件
- 本发明涉及一种室温电致发光硅基法布里－珀罗微腔器件，属于硅基光电子器件领域，包括采用透明材料作为衬底；在该透明衬底上由周期性淀积的两种高、低折射率材料薄膜相间隔组成的布拉格反射器；在该布拉格反射器之上淀积硅基电致发光层；...
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- 硅基法布里-珀罗微腔的红光发射
- 2003年
- 以PECVD为制备工艺，a—SiO2：H／a—Si：H为分布式布拉格反射镜的多层膜，a—SiCx：H为中间腔体发光材料，制备出垂直腔面的发光微腔，根据模拟结果确定了微腔的多层膜层数和排列顺序，并在250C下制备出了这种微腔，将微腔样品分别在不同温度下进行退火，对退火前后的微腔进行了反射谱和光致发光谱研究。结果表明，微腔能激射出波长为743nm，半高宽为9nm的光，在350C退火后发光性能进一步提高，而450C退火后，性能恶化。
- 但亚平姚永昭王燕岳瑞峰刘理天
- 关键词：微腔布拉格反射镜PECVD退火
- 室温发光硅基法布里——珀罗微腔的结构设计
- 提出了一种新型法布里-珀罗(F-P)微腔结构,它采用PDECVD方法制备的硅/氮氧化硅结构作为微腔中的布拉格反射器,非晶碳化硅薄膜作为中间光发射层,通过以一维方向光子的限制,使发光层荧光强度增强,谱线变窄,通过调节发光层...
- 王燕岳瑞峰但亚平刘理天
- 关键词：碳化硅光致发光半导体微腔
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- 基于PECVD工艺的硅基垂直腔面光发射器件的研制
- 但亚平
- 关键词：布拉格反射镜
- 室温发光硅基法布里－珀罗(F－P)微腔器件
- 室温发光硅基法布里－玻罗微腔器件属于硅基光电子器件领域，其特征在于它含有两个由a－Si∶H薄膜和a－SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>∶H薄膜交替生长制备的a－Si∶H/a－SiO<Sub>x</S...
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- 垂直腔体表面光发射器件的模拟与实践
- 设计了一种新型的垂直腔体表面光发射器件,并模拟了布拉格反射镜的反射谱以及薄膜厚度误差对镜反射谱的影响.模拟结果从理论上证实了PECVD方法能够满足制备垂直腔体表面光发射器件所要求的工艺条件,实验中用PECVD工艺制备出了...
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- 关键词：反射谱激光器PECVD法
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- 室温发光硅基法布里－珀罗(F－P)微腔器件
- 室温发光硅基法布里－玻罗微腔器件属于硅基光电子器件领域,其特征在于它含有两个由a－Si:H薄膜和a－SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>:H薄膜交替生长制备的a－Si:H/a－SiO<Sub>x</S...
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- 富氧氮氧化硅薄膜退火的研究被引量：4
- 2002年
- 利用红外吸收 (IR)谱和 X射线光电子谱 (XPS)对富氧氮氧化硅 (oxygen- rich Si Ox Ny)及其在 6 0 0、75 0和90 0℃下退火后样品的微结构进行了研究 .实验中除观察到 N、H的释放外 ,首次发现退火会导致 Si Ox Ny 中 O的释放 ,同时还发现退火温度不同 ,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同 ,根据这些现象 ,提出了
- 但亚平岳瑞峰王燕姚永昭徐杨刘理天
- 关键词：退火
