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刘冲
作品数:
2
被引量:6
H指数:2
供职机构:
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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发文基金:
电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金
中央高校基金
中央高校基本科研业务费专项资金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
杨帆
电子科技大学光电信息学院电子薄...
邓宏
电子科技大学光电信息学院电子薄...
韦敏
电子科技大学光电信息学院电子薄...
贾卓
电子科技大学光电信息学院电子薄...
杨胜辉
电子科技大学光电信息学院电子薄...
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2篇
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电子电信
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电极
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薄膜晶体
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机构
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电子科技大学
作者
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刘冲
2篇
韦敏
2篇
邓宏
2篇
杨帆
1篇
杨胜辉
1篇
贾卓
传媒
2篇
发光学报
年份
2篇
2014
共
2
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铜掺杂氧化锌薄膜阻变特性的研究
被引量:2
2014年
以ZnO∶Al为底电极,Cu为顶电极,在同种工艺条件下分别制备了类电容结构的纯ZnO阻变器件和ZnO∶2%Cu阻变器件,分析比较了两种器件的典型I-V特性曲线、置位电压(V Set)和复位电压(V Reset)的分布范围、器件的耐久性。结果显示,ZnO∶Cu阻变器件较纯ZnO阻变器件有更大的开关比和更稳定的循环性能。另外,研究了ZnO∶Cu阻变器件的阻变机理,通过对其I-V特性曲线分析得出以下结论:ZnO∶Cu阻变器件在高阻态遵循空间电荷限制电流效应,低阻态符合欧姆定律。
杨帆
韦敏
邓宏
杨胜辉
刘冲
电极材料对IGZO薄膜晶体管性能的影响
被引量:4
2014年
采用射频磁控溅射方法在n型硅片上制备了底栅顶结构的铟镓锌氧-薄膜晶体管(IGZO-TFT)。分别采用Au、Cu、Al 3种金属材料作为电极,研究不同电极材料对IGZO薄膜晶体管性能的影响。器件的输出特性和转移特性测试结果表明:以Au为电极的IGZO-TFT具有最佳的性能,其饱和输出电流达到17.9μA,开关比达到1.4×106。基于功函数比较分析了3种电极的接触特性,根据TLM(Transmission line model)理论推算得出Au电极具有三者中最小的接触电阻。
刘冲
韦敏
杨帆
贾卓
邓宏
关键词:
IGZO
接触电阻
功函数
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