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刘冲

作品数：2 被引量：6H指数：2
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金中央高校基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电极
  • 1篇电极材料
  • 1篇电阻
  • 1篇接触电阻
  • 1篇晶体管
  • 1篇开关
  • 1篇功函数
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇IGZO
  • 1篇触电

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇刘冲
  • 2篇韦敏
  • 2篇邓宏
  • 2篇杨帆
  • 1篇杨胜辉
  • 1篇贾卓

传媒

  • 2篇发光学报

年份

  • 2篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
铜掺杂氧化锌薄膜阻变特性的研究被引量：2
2014年
以ZnO∶Al为底电极,Cu为顶电极,在同种工艺条件下分别制备了类电容结构的纯ZnO阻变器件和ZnO∶2%Cu阻变器件,分析比较了两种器件的典型I-V特性曲线、置位电压(V Set)和复位电压(V Reset)的分布范围、器件的耐久性。结果显示,ZnO∶Cu阻变器件较纯ZnO阻变器件有更大的开关比和更稳定的循环性能。另外,研究了ZnO∶Cu阻变器件的阻变机理,通过对其I-V特性曲线分析得出以下结论:ZnO∶Cu阻变器件在高阻态遵循空间电荷限制电流效应,低阻态符合欧姆定律。
杨帆韦敏邓宏杨胜辉刘冲
电极材料对IGZO薄膜晶体管性能的影响被引量：4
2014年
采用射频磁控溅射方法在n型硅片上制备了底栅顶结构的铟镓锌氧-薄膜晶体管(IGZO-TFT)。分别采用Au、Cu、Al 3种金属材料作为电极,研究不同电极材料对IGZO薄膜晶体管性能的影响。器件的输出特性和转移特性测试结果表明:以Au为电极的IGZO-TFT具有最佳的性能,其饱和输出电流达到17.9μA,开关比达到1.4×106。基于功函数比较分析了3种电极的接触特性,根据TLM(Transmission line model)理论推算得出Au电极具有三者中最小的接触电阻。
刘冲韦敏杨帆贾卓邓宏
关键词：IGZO接触电阻功函数
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