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刘志弘

作品数：157 被引量：53H指数：5
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学兵器科学与技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 110篇专利
  • 28篇期刊文章
  • 18篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 54篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 65篇晶体管
  • 59篇双极晶体管
  • 29篇锗硅
  • 28篇电阻
  • 28篇发射区
  • 24篇激光
  • 23篇多晶
  • 22篇异质结
  • 21篇异质结双极晶...
  • 20篇圆片
  • 20篇半导体
  • 19篇锗硅异质结双...
  • 19篇发射极
  • 16篇基极
  • 15篇多晶硅
  • 15篇半导体制造
  • 14篇原位掺杂
  • 14篇抬升
  • 14篇嵌入式
  • 14篇基极电阻

机构

  • 156篇清华大学
  • 2篇信阳师范学院
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇上海集成电路...
  • 1篇泰科天润半导...

作者

  • 157篇刘志弘
  • 75篇张伟
  • 64篇王玉东
  • 62篇付军
  • 62篇崔杰
  • 52篇赵悦
  • 47篇严利人
  • 41篇李高庆
  • 40篇周卫
  • 36篇吴正立
  • 31篇许平
  • 20篇钱佩信
  • 19篇窦维治
  • 18篇刘朋
  • 15篇陈长春
  • 15篇许军
  • 13篇张伟
  • 8篇梁仁荣
  • 8篇王敬
  • 8篇刘道广

传媒

  • 12篇微电子学
  • 6篇Journa...
  • 4篇微纳电子技术
  • 4篇第十四届全国...
  • 3篇第十二届全国...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇电子与封装
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇中国微米/纳...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇2011’全...

年份

  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 19篇2015
  • 8篇2014
  • 20篇2013
  • 21篇2012
  • 11篇2011
  • 8篇2010
  • 3篇2009
  • 8篇2008
  • 4篇2007
  • 13篇2006
  • 8篇2005
  • 7篇2004
  • 5篇2003
  • 1篇2002
共 157 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
带应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺
本发明公开了属于半导体器件范围的一种带有应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺。在MOS器件源漏接触区两侧制作开槽结构，阻断或者减弱来自源漏两侧的对沟道区的作用，排除了沟道两侧材料对于沟道区的影响，从而使得器件沟道...
严利人周卫付军王玉东刘志弘张伟
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嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法
本发明公开了一种嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法，为解决现有制备方法，步骤多且繁琐、生产效率低、生产成本高等问题而设计，本发明制备方法依次包括：制备第一掺杂类型的集电区、在集电区上制备第二掺杂的基区、在基区上制备介质层...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
文献传递
两种自主开发的图形外延SiGe工艺研究
本文使用清华大学微电子学研究所自主研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/Poly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,研究开发出了不同的实...
徐阳王飞许军刘志弘钱佩信
关键词：SIGE
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采用投影成像方式获取特定激光加工束斑的方法
本发明公开了属于半导体制造设备范围的一种采用投影成像方式获取特定的激光加工束斑的方法。通过在光刻版上设计一系列的透光图形，通过驱动机构移动光刻版以选择特定的光刻版透光图形，入射激光光束通过光刻版透光图形后，进入投影成像透...
严利人周卫刘朋窦维治刘志弘
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快恢复二极管制造工艺方法
本发明公开一种快恢复二极管制造工艺方法，主要为了提供一种可进一步降低器件反向恢复时间，提高相关电路的工作速度。本发明综合应用离子注入和激光退火的深度控制能力，利用少子复合中心的扩散引入及缺陷损伤区对于少子复合中心的吸杂作...
严利人张伟刘道广刘志弘
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两种自主开发的图形外延SiGe工艺
2006年
使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.
徐阳王飞许军刘志弘钱佩信
关键词：SIGE
隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻R<Sub>B</Sub>的缺点而发明。本发明隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管的抬升外基区由隐埋低电阻金属硅...
付军王玉东崔杰赵悦张伟刘志弘许平
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单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积外延系统
单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)外延系统属于集成电路半导体薄膜外延生长技术和超晶格薄膜材料生长技术领域。其特征在于：在外延生长室的石英反应腔内有一个衬片旋转机构，该机构水平放置在上述反应腔内。该机...
钱佩信刘荣华林惠旺刘志弘陈长春张伟
文献传递
嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、选择性注入集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
文献传递
嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区、基区上的发射极、以及发射极两侧的侧墙，所述外基区采用原位掺杂选择性...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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