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王玉东

作品数：85 被引量：7H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国防基础科研计划更多>>
相关领域：电子电信兵器科学与技术文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 72篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 20篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 63篇晶体管
  • 60篇双极晶体管
  • 31篇电阻
  • 30篇发射区
  • 23篇异质结
  • 22篇异质结双极晶...
  • 22篇锗硅
  • 20篇多晶
  • 20篇锗硅异质结双...
  • 18篇发射极
  • 16篇抬升
  • 16篇基极
  • 16篇基极电阻
  • 16篇掺杂
  • 15篇多晶硅
  • 14篇原位掺杂
  • 14篇嵌入式
  • 14篇自对准
  • 13篇多晶硅发射区
  • 12篇金属硅化物

机构

  • 85篇清华大学
  • 2篇天津大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 85篇王玉东
  • 78篇付军
  • 64篇刘志弘
  • 64篇崔杰
  • 59篇张伟
  • 56篇赵悦
  • 40篇吴正立
  • 40篇李高庆
  • 36篇许平
  • 9篇张伟
  • 8篇严利人
  • 7篇蒋志
  • 6篇周卫
  • 6篇钱佩信
  • 4篇徐阳
  • 3篇刘爱华
  • 3篇许军
  • 3篇彭亚涛
  • 3篇郭雅娣
  • 2篇张为

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇2011’全...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2016
  • 21篇2015
  • 7篇2014
  • 16篇2013
  • 18篇2012
  • 6篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2003
共 85 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
通用四端口在片高频去嵌入方法
本发明提出了一种通用四端口在片高频去嵌入方法。所述方法包括针对每个去嵌入陪测结构建立考虑了各去嵌入陪测结构高频特性分布本质的模型；并利用所述模型通过计算或者仿真得到所述N个去嵌入陪测结构的本征Y参数导纳矩阵；将去嵌入所需...
付军王玉东崔杰赵悦崔文普刘志弘
文献传递
具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品集电极串联电阻过大的问题而设计。本发明具有低电阻集电区的双极晶体管包括衬底、N-外延层、锗硅外延层、发射区引出端、外基区引出端、发射极引出电极、集电极...
赵悦付军王玉东崔杰张伟刘志弘李高庆许平
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金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
文献传递
自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
低三阶交调失真的有源Gilbert混频器
本发明公开一种低三阶交调失真的有源Gilbert混频器，本发明主要为了改善有源Gilbert混频器三阶交调失真而进行的设计。本发明低三阶交调失真的有源Gilbert混频器包括带射极反馈电阻的Multi-tanh doub...
郭雅娣付军王玉东
提高多相网络相位平衡度和带宽的方法及装置
本发明公开一种提高多相网络相位平衡度和带宽的方法及装置，主要针对正交信号产生电路的带宽和相位平衡度制约了高性能带宽的正交变频器的发展的问题，提出了一种利用第一移相装置、第四移相装置分别对第一相位信号进行移相形成第一移相信...
郭雅娣付军王玉东
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适用于双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法
本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种适用于双极晶体管或异质结双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法。所述制备方法是利用器件发射区窗口掩膜版，通过光刻在光刻胶上形成窗口，然后利用大剂量离子注入向该窗口内注入扩散...
付军张伟严利人王玉东许平蒋志钱佩信
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嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品和方法只适于制备本征集电区窗口和单晶发射区较窄的器件的缺陷而设计。本发明局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管包括衬底、硅埋层集电区、硅外延层、...
付军王玉东崔杰赵悦张伟刘志弘许平
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金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
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