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唐文洁

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学技术大学物理学院近代物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇低功耗
  • 1篇读写
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇功耗
  • 1篇ULSI
  • 1篇MOSFET
  • 1篇存储器

机构

  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇刘之景
  • 1篇唐文洁
  • 1篇陶进绪
  • 1篇刘磁辉

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
纳米晶存储特性的研究
2004年
常温下硅纳米晶构成的 MOSFET 存储器具有低压、低功耗、体积小、高剂量和快速读写等优良特性,在 ULSI 中有重要的应用前景。它是当前 ULSI 研究中的一项热门专题,在国外一些著名刊物上屡见报道。本文介绍了这种器件的存储特性及其机理与最新研究进展。
唐文洁刘之景陶进绪刘磁辉
关键词：ULSIMOSFET低功耗纳米晶存储器读写
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