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姜树森
作品数:
1
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供职机构:
辽宁大学物理系
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相关领域:
金属学及工艺
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合作作者
韩宇
辽宁大学物理系
张宏
辽宁大学物理系
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2004
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组合离子注入的杂质浓度分布与损伤分布比较
2004年
用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×10^(13)~5×10^(15)ion/cm^2的N_2^+/As^+组合离子注人Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的分布,并将二者进行了比较.结果表明N_2^+/As^+组合离子注入单晶Si的应变分布曲线为单峰,位于杂质浓度分布曲线的双峰之间,靠近重离子峰.
韩宇
张宏
姜树森
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