孙宝银
- 作品数：10 被引量：15H指数：2
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- 发文基金：国家科技部专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用
- 1995年
- 阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上，采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30～40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。
- 孙宝银陈梦真朱樟震伊福廷
- 关键词：X射线
- 同步辐射软X射线曝光工艺研究
- 1993年
- 本文介绍利用北京正负电子对撞机同步辐射软X射线光刻装置进行亚微米X射线光刻技术和深结构光刻的实验研究。通过对曝光剂量、掩模、抗蚀剂等工艺实验,初步得到适合于目前条件的较好的同步辐射X射线光刻工艺条件,并光刻出0.3μm的亚微米图形和抗蚀剂厚度为36μm深光刻图形。
- 孙宝银陈梦真
- 关键词：光刻集成电路
- 0.5μm分辨率同步辐射X射线光刻技术被引量：2
- 1999年
- 报道了用 Ｘ 射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置（ Ｂ Ｓ Ｒ Ｆ）３ Ｂ Ｉ Ａ 光刻束线获得的 ０５μｍ 光刻分辨率的实验结果。
- 谢常青叶甜春孙宝银伊福廷
- 关键词：X射线光刻分辨率氮化硅薄膜
- 同步辐射x射线光刻实验研究被引量：1
- 1997年
- 采用侧墙工艺技术研制深亚微米ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射ｘ射线曝光实验。
- 谢常青陈梦真赵玲莉孙宝银韩敬东朱樟震张菊芳
- 关键词：X射线光刻X射线掩模
- 一种X射线图形掩模
- 本实用新型公开了一种用于半导体器件与集成电路工艺的X射线图形掩模，它在掩模线条的侧边设有能够透过X射线的属侧向支撑体，基片可为氮化硅片，金属图形可以是金属线条形成的图形。这样的结构能够提高掩模的合格率、可靠性以及使用寿命...
- 刘训春陈梦真叶甜春钱鹤王润梅王玉玲孙宝银曹振亚欧文张学
- 文献传递
- RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响被引量：1
- 2003年
- 在 5 0eV的激光激发下 ,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰 ,其峰位分别为 2 97,2 77,2 5 5 ,2 32 ,2 10 ,1 9eV。经 90 0～ 110 0℃在N2 气氛下快速退火 (RTA)处理后 ,样品的六个PL峰变为3 1,3 0 ,2 85 ,2 6 ,2 36 ,2 2eV。本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨。
- 刘渝珍石万全赵玲莉孙宝银叶甜春
- 关键词：发光光谱LPCVD氮化硅薄膜快速退火RTA
- 一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法
- 一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法，涉及一种制作含有深亚微米金吸体图形的X光光刻掩模的方法，特别是涉及一种在掩模基片上制作三层结构，通过特殊设计的常规光刻掩模版的套准光刻和垂直定向刻蚀，采用常规电镀和在图形侧面覆盖金膜...
- 高士平孙宝银程秀玲
- 文献传递
- LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射被引量：6
- 1999年
- 在５．０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２．９７，２．７７，２．５５，２．３２，２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰，建立了其可见荧光发射的能隙态模型，并初步讨论了其发光机制．
- 刘渝珍石万全刘世祥姚德成刘金龙韩一琴赵玲莉孙宝银叶甜春陈梦真
- 关键词：LPCVD氮化硅室温激光激发
- 同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究被引量：2
- 1995年
- 同步辐射X射线光刻自从被提出来以后,就日益引起了许多人的注意.它具有许多优点,比如高分辨率、大的工艺宽容度、高产量等,被普遍认为是一种很好的可应用于0.25μm以下的光刻技术.鉴于同步辐射X射线光刻技术在未来的光刻技术中所占的重要地位,我国光刻技术研究者于1990年在北京同步辐射装置(BSRF)3BIA束线上筹建了我国首座同步辐射X射线光刻站,并于1990年6月成功地进行了我国首次同步辐射X射线光刻实验.在同步辐射X射线光刻实验中,准确地选择曝光时间和曝光束流的乘积是很重要的(该乘积以下用XK来表示),因为它会直接影响到光刻胶的显影速率,从而影响到以下图形转换的质量.
- 谢常青陈梦真王玉玲孙宝银周生辉朱樟震
- 关键词：X射线光刻光刻胶光刻
- LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射被引量：4
- 2000年
- 在 4.66e V的激光激发下 ,在室温下 LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光 ,其峰位位置分别为 2 .97,2 .77,2 .55,2 .32 ,2 .1 0和 1 .90 e V的 6个 PL峰 ,建立了可见光发射的能隙态模型 。
- 刘渝珍石万全韩一琴刘世祥赵玲莉孙宝银叶甜春陈梦真
- 关键词：LPCVD光致发光
