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陈梦真

作品数：19 被引量：25H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程水利工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 3篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇水利工程

主题

  • 11篇光刻
  • 7篇X射线光刻
  • 5篇电路
  • 5篇掩模
  • 4篇集成电路
  • 4篇X射线
  • 3篇氮化
  • 3篇光刻胶
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇电路工艺
  • 2篇射线
  • 2篇室温
  • 2篇微米
  • 2篇微细加工
  • 2篇离子束
  • 2篇粒子束
  • 2篇可见光发射
  • 2篇激光
  • 2篇鼓泡

机构

  • 16篇中国科学院微...
  • 4篇中国科学院
  • 2篇中国科学技术...
  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 19篇陈梦真
  • 7篇叶甜春
  • 7篇孙宝银
  • 7篇谢常青
  • 3篇韩阶平
  • 3篇朱樟震
  • 3篇赵玲莉
  • 3篇李秀琼
  • 2篇刘渝珍
  • 2篇韩一琴
  • 2篇刘训春
  • 2篇石万全
  • 2篇刘世祥
  • 2篇刘辉
  • 1篇欧文
  • 1篇曹振亚
  • 1篇王润梅
  • 1篇钱鹤
  • 1篇张菊芳
  • 1篇伊福廷

传媒

  • 3篇微细加工技术
  • 2篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 1篇科学通报
  • 1篇科技导报
  • 1篇物理学进展
  • 1篇发光学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第一次两岸同...
  • 1篇第六届全国电...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1989
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用
1995年
阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上，采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30～40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。
孙宝银陈梦真朱樟震伊福廷
关键词：X射线
束致变蚀方法
本发明涉及半导体芯片二氧化硅表面束致变蚀方法。本发明包括使用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束和等离子束对二氧化硅表面进行选择轰击，使二氧化硅表面的腐蚀特性发生明显变化；在该选择轰击的二氧化硅表面上涂一层催化剂组合物层；...
韩阶平王守武王培大杜甲丽李秀琼陈梦真刘辉徐卫东
文献传递
193nm与x射线光刻技术比较被引量：2
1998年
分别从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面对１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术进行了对比分析，介绍了目前它们的一些进展情况，并对它们的应用前景进行了简要分析。
谢常青叶甜春陈梦真
关键词：掩模光刻胶光刻机激光技术IC
同步辐射软X射线曝光工艺研究
1993年
本文介绍利用北京正负电子对撞机同步辐射软X射线光刻装置进行亚微米X射线光刻技术和深结构光刻的实验研究。通过对曝光剂量、掩模、抗蚀剂等工艺实验,初步得到适合于目前条件的较好的同步辐射X射线光刻工艺条件,并光刻出0.3μm的亚微米图形和抗蚀剂厚度为36μm深光刻图形。
孙宝银陈梦真
关键词：光刻集成电路
同步辐射x射线光刻实验研究被引量：1
1997年
采用侧墙工艺技术研制深亚微米ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射ｘ射线曝光实验。
谢常青陈梦真赵玲莉孙宝银韩敬东朱樟震张菊芳
关键词：X射线光刻X射线掩模
一种X射线图形掩模
本实用新型公开了一种用于半导体器件与集成电路工艺的X射线图形掩模，它在掩模线条的侧边设有能够透过X射线的属侧向支撑体，基片可为氮化硅片，金属图形可以是金属线条形成的图形。这样的结构能够提高掩模的合格率、可靠性以及使用寿命...
刘训春陈梦真叶甜春钱鹤王润梅王玉玲孙宝银曹振亚欧文张学
文献传递
软X射线光刻硅掩模的制备技术
叶朝霞陈梦真马俊如
关键词：硅膜X辐射电子束光刻大规模集成电路
束致变蚀技术
本发明涉及半导体芯片二氧化硅表面束致变蚀技术。本发明包括使用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束和等离子束对二氧化硅表面进行选择轰击，使二氧化硅表面的腐蚀特性发生明显变化；在该选择轰击的二氧化硅表面上涂一层催化剂混合物层；...
韩阶平王守武王培大杜甲丽李秀琼陈梦真刘辉徐卫东
文献传递
193nm与x射线光刻技术比较
从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面对193nm与x射线光刻技术进行了对比分折,介绍了目前它们的一些进展情况,并对它们的应用前景进行了简要分析。
谢常青叶甜春陈梦真
关键词：光源照明系统光刻胶光刻机
低压化学汽相淀积含氢氮化硼薄膜
1989年
本实验采用二硼烷(B_1H_6)和氨气(NH_(?)),在388～700℃下进行低压化学汽相淀积生成含有硼、氮、氢的膜(B_(1～3)NH),用于X光曝光掩模的基底.已测得膜的各种特性如淀积速率、电阻率、元素成份比、晶型、折射率、红外吸收光谱、应力变化、对光的透射率、化学不活泼性及等离子腐蚀速率等.
王玉玲陈梦真江红
关键词：化学汽相淀积
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共2页<12>
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