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崔鹏

作品数：100 被引量：28H指数：3
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 80篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 7篇学位论文
  • 6篇会议论文

领域

  • 33篇电子电信
  • 11篇自动化与计算...
  • 5篇医药卫生
  • 5篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇自然科学总论
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 16篇氮化镓
  • 16篇肖特基
  • 13篇电极
  • 13篇微电子
  • 13篇击穿电压
  • 11篇势垒
  • 11篇肖特基二极管
  • 11篇二极管
  • 10篇电阻
  • 10篇半导体
  • 9篇碳化硅
  • 8篇增强型
  • 8篇势垒层
  • 8篇晶体管
  • 7篇氮化镓器件
  • 7篇导通
  • 7篇导通电阻
  • 7篇异质结
  • 6篇信号
  • 6篇肖特基接触

机构

  • 100篇山东大学
  • 2篇南京理工大学
  • 2篇山东建筑大学
  • 1篇昌吉学院
  • 1篇山东科技大学
  • 1篇泰山学院
  • 1篇山东电力研究...

作者

  • 100篇崔鹏
  • 58篇徐现刚
  • 58篇韩吉胜
  • 21篇徐明升
  • 12篇李树强
  • 10篇王黎明
  • 10篇林兆军
  • 10篇李方义
  • 8篇罗鑫
  • 6篇史振宇
  • 6篇王柳
  • 5篇张承慧
  • 4篇张帅
  • 4篇李鑫
  • 4篇吕元杰
  • 3篇张玫
  • 3篇展杰
  • 3篇徐伟
  • 3篇冯俊娥
  • 2篇刘战强

传媒

  • 2篇控制与决策
  • 2篇山东大学学报...
  • 2篇第26届中国...
  • 1篇自动化学报
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇中华耳鼻咽喉...
  • 1篇第二十六届中...

年份

  • 46篇2024
  • 20篇2023
  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 4篇2019
  • 5篇2018
  • 2篇2013
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇1999
共 100 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件
本发明涉及一种基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件，属于半导体器件技术领域，自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN沟道层和势垒层，所述势垒层两侧GaN沟道层上方分别设置有源电极和漏电极，所述势垒层上方在源电极和...
崔鹏孙久继韩吉胜汉多科·林纳威赫徐现刚
一种基于器件结构优化提升AlGaN/GaN异质结场效应晶体管跨导和特征频率方法
本发明涉及一种基于器件结构优化提升AlGaN/GaN异质结场效应晶体管跨导和特征频率方法，属于晶体管器件研究技术领域。传统的提升跨导和特征频率方法，工艺复杂，实验条件严苛，并已经走到了GaN材料物理极限。本发明在一定程度...
林兆军王鸣雁吕元杰周衡崔鹏
一种改善短路能力的SiC MOSFET器件
本发明提供了一种改善短路能力的SiC MOSFET器件，属于碳化硅（SiC）功率器件技术领域，提出了一种具有分段渐变掺杂外延结构的垂直平面SiC MOSFET器件，其漂移层自上而下分为第一漂移层、第二漂移层和第三漂移层，...
汉多科·林纳威赫刘世杰韩吉胜崔鹏徐现刚
变时滞线性系统时滞相关的H∞控制
本文利用线性矩阵不等式(LMI)的方法,研究了状态具有变时滞项线性系统的时滞相关的H∞控制、分别讨论了无记忆时滞相关的H∞状态反馈控制与基于状态观测器的无记忆时滞相关的H∞输出反馈控制的分析与综合问题。给出了线性系统反馈...
张志钢张承慧崔鹏
关键词：状态反馈线性矩阵不等式鲁棒控制
文献传递
线性离散奇异系统的最优估计新方法被引量：1
2007年
讨论了线性离散奇异系统的状态估计问题.在系统正则的前提下,将奇异系统的滤波估计问题转化为系统状态噪声带有前向时滞的滤波估计问题,基于等价系统的新息分析及射影定理,通过求解两个耦合的Riccati方程求得等价系统的滤波估计器,最终得到与原始奇异系统状态同维的预报,滤波,及平滑估计器.
崔鹏张承慧张玫
关键词：KALMAN滤波
一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法。高击穿电压碳化硅肖特基二极管包括由下至上依次设置的第一金属Ni电极、SiC衬底、n<Sup>+</Sup>‑SiC缓冲层、n‑SiC层和p‑...
崔鹏代嘉铖韩吉胜汉多科·林纳威赫徐现刚
一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
本发明属于氮化镓HEMT器件技术领域，具体涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法，其自一侧向另一侧依次设置有衬底、成核层、缓冲层、插入层、AlGaN势垒层、SiN帽层和钝化层，插入层和AlGaN势垒层形成异质结，所述Si...
崔鹏罗鑫韩吉胜汉多科·林纳威赫徐现刚
一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法
本发明涉及一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法，属于微电子器件技术领域。膜层结构自下而上依次为衬底、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和帽层；金属电极穿过帽层生长在势垒层上。本发明在退火前增加了Asher+HC...
崔鹏罗鑫徐明升崔潆心钟宇李汉和李树强韩吉胜徐现刚
一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法
本发明涉及一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法，包括：1)在固定漏端偏压下，测试得到不同栅偏压下GaN基HEMT的S参数；2)计算不同栅偏压下GaN基HEMT的栅电容C<Sub>g</Sub>；3)根据...
崔鹏陈思衡钟宇李汉和徐明升崔潆心李树强韩吉胜徐现刚
基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管及其制备方法。基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管包括由下至上依次设置的欧姆电极、N<Sup>+</Sup>型GaN衬底、N<Sup>‑</S...
崔鹏王柳韩吉胜汉多科·林纳威赫徐现刚
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