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张倩

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇英文
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇基区渡越时间
  • 1篇SIC
  • 1篇4H-SIC

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇张倩
  • 1篇张义门
  • 1篇张玉明

传媒

  • 1篇计算物理

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真(英文)
2010年
基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表明,该器件的共发射结电流增益最高可达72,具有负温度系数,并且在一个很宽的集电极电流范围内该特性保持不变.
张倩张玉明张义门
关键词：双极晶体管基区渡越时间
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共1页<1>
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